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公开(公告)号：CN112038418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010952681.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。
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公开(公告)号：CN112531050B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011393697.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的横向SAM型APD边缘电场聚集效应的器件。该器件是先在p‑型AlGaN衬底上同质外延一层一定厚度的非故意掺杂的AlGaN，再在AlGaN上异质外延一层GaN，然后通过离子注入的方式在AlGaN层形成横向的p‑i‑n‑i‑n结构,上面形成p‑GaN覆盖层。刻蚀掉不需要的部分p‑GaN后，进行p型欧姆接触与n型欧姆接触的制备，形成横向SAM型APD器件。通过调节p‑GaN覆盖层的掺杂浓度与覆盖长度等参数，可以实现对横向SAM型APD器件边缘电场的调节。在合适的覆盖长度下，可以实现不具有显著的边缘电场聚集效应的GaN基横向SAM型APD器件。同时，p‑GaN覆盖层降低了掺杂与欧姆接触的难度，而极化场的引入，也会带来正的器件效益。
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公开(公告)号：CN114156347A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111608967.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高耐压和低导通的横向结构功率肖特基二极管器件，其特征在于其结构自下而上依次包括：具有渐变势垒的器件外延结构，在渐变势垒内形成从高到低指向衬底的极化电场；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在沟道层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明充分利用了沟道的高电导特性和维持势垒阻挡层，将集中分布在阳极边缘的电场分散抵消或减弱，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
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公开(公告)号：CN110544656B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910885207.4
申请日：2019-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro‑LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro‑LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。
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公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111987577B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010505174.9
申请日：2020-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 重复频率灵活倍增的全光纤激光器，所述激光器由一个锁模光纤激光振荡器(a)与一个基于时域泰伯效应的重复频率倍增模块(b)构成；其中锁模光纤激光振荡器先输出一定重复频率的稳定锁模脉冲，并通过光纤跳线头对准的方式注入基于时域泰伯效应的重复频率倍增模块，在倍增模块中的色散可调谐光纤器件中激发时域泰伯效应实现重复频率倍增；重复频率倍增模块由光纤环形器(5)与色散可调谐光纤器件(6)构成，锁模光纤激光振荡器输出的超短脉冲从光纤环形器1号口输入，2号口输出并注入色散可调谐光纤器件，激发色散介质中的时域泰伯效应实现激光器重复频率倍增，重复频率倍增后的周期性脉冲最终从环形器3号口输出。
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公开(公告)号：CN113299805A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110569721.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称量子阱结构的UV‑LED，其结构自下而上包括：一衬底层；一生长于衬底层上的n‑AlGaN层；一生长于n型AlGaN层上的对称AlGaN量子阱层；一生长于对称AlGaN量子阱层上的非对称AlGaN量子阱层；一生长于非对称AlGaN量子阱层上的p‑AlGaN层；一生长于p‑AlGaN层上的p‑GaN层；p型电极和n型电极。本发明提出了一种基于非对称多量子阱结构的AlGaN基宽光谱紫外LED(UV‑LED)，通过多种不同Al组分和不同厚度的量子阱结构的组合，获得了宽发光光谱，在6V正向电压的偏置下，发光光谱半高宽为17nm，接近传统UV‑LED的两倍。
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公开(公告)号：CN112960718A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202011250133.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 南京大学
IPC: C02F1/14 , F24S70/10 , C02F103/08
Abstract: 本发明公开了一种光热复合薄膜材料及仿生浮萍式海水淡化装置，所设计的海水淡化装置具有自漂浮、亲水性和低热导率等特征，且其顶层的功能复合材料为CoO@CNTF，具有优异的光热转换性能。其特征在于，利用电化学产生的氧气气泡将CNTF撑开；所述薄膜浸入钴盐溶液、有机配体2‑甲基咪唑和表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵的混合溶液中，经水热反应制得MOF前驱体@CNTF；最终经高温碳化处理得到CoO@CNTF。本发明涉及的光热复合薄膜材料具有优异的光热转换、柔性和稳定性等特性，其仿生浮萍式海水淡化装置的设计能有效提高对全光谱太阳光的吸收能力，进而提高海水淡化效率，且适合低成本规模化生产。
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公开(公告)号：CN111554733B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
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公开(公告)号：CN108878469B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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