公开(公告)号：CN104928641B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510415525.6

申请日：2015-07-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郭帅 ,  朱嘉琦 ,  代兵 ,  杨磊 ,  杨秋玲 ,  杨振怀

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10

Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。

公开(公告)号：CN105296966B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201510786301.6

申请日：2015-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  高鸽 ,  代兵 ,  舒国阳 ,  刘康 ,  陈亚楠 ,  赵继文

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/27

Abstract: 微波增强等离子体化学气相沉积中功率‑气压‑温度耦合方法，它涉及微波增强等离子体化学气相沉积技术的改进方法。本发明要解决现有的MPCVD技术制备金刚石薄膜过程中，由于基体温度、功率密度和沉积气压对于制备出的金刚石薄膜质量影响大的问题。本发明方法为：步骤一、实验数据采集步骤；二、检测试样质量；步骤三、制备工艺参数关系拟合。本发明的方法可以提高单晶金刚石的生长质量。

公开(公告)号：CN104775154B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510199722.9

申请日：2015-04-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 舒国阳 ,  代兵 ,  朱嘉琦 ,  王杨 ,  杨磊 ,  韩杰才

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/04

Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效调控的问题，本发明所述方法包括步骤如下：金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝，确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低，且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝，实现金刚石样品表面温度可控，使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态，保证了金刚石样片表面水平，与等离子体球均匀接触，保证了温度场及碳源密度的均匀性，使得生长效果更好。

公开(公告)号：CN104972189B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510459097.7

申请日：2015-07-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  舒国阳 ,  代兵 ,  杨磊 ,  王强 ,  王杨 ,  陈亚男 ,  赵继文 ,  刘康 ,  孙明琪 ,  韩杰才

IPC: B23K1/008 ,  B23K1/20

Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。

公开(公告)号：CN104947068A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510316529.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  代兵 ,  赵继文 ,  韩杰才 ,  杨磊 ,  王强 ,  刘康 ,  陈亚男 ,  孙明琪

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 一种金刚石热沉片的制备方法，本发明涉及金刚石的制备方法并将其用于热沉领域，它为了解决现有MWCVD方法生产金刚石的生长速率慢，表面粗糙以及热导率低的问题。制备方法：一、切割硅片，超声清洗后得到洁净的硅片基底；二、洁净的硅片基底表面均匀涂覆纳米金刚石悬浮液；三、涂覆有金刚石悬浮液的硅片放置于MWCVD装置中，通入氢气以及甲烷后进行化学气相沉积；四、利用HNO3与HF混合溶液腐蚀去除硅基底，清洗后得到金刚石热沉片。本发明通过使用涂覆纳米金刚石悬浮液的方法显著提高金刚石膜的生长速率，达到2～5μm/h，生长面粗糙度可低至600nm，热导率高，符合人造金刚石热沉的标准。

公开(公告)号：CN100576573C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810064841.3

申请日：2008-07-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  田桂 ,  代兵 ,  陈旺寿 ,  何小凤

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为：一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。