公开(公告)号：CN102534562B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110448650.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  林珍永 ,  韩尚宪 ,  金起成 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。

公开(公告)号：CN102856481A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210226038.1

申请日：2012-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  蔡昇完 ,  金晟泰 ,  李守烈

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件封装件，其包括：具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上的光源；布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上的多个电极焊盘；从所述多个电极焊盘延伸并且穿透所述半导体衬底的导电通孔；以及包括多个二极管的驱动电路单元，通过由p型区和n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源。

公开(公告)号：CN102082079A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010537446.X

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 本发明公开了形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器。本发明的一种方法在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN1118871C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98125263.X

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  金晟泰 ,  李斗焕 ,  许元九

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面，形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层，填充接触孔。进行第二热处理，用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙，从而防止金属互连中电阻增加。

公开(公告)号：CN1345089A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN00135511.2

申请日：2000-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金民 ,  金晟泰

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

Abstract: 制造非易失性存储器件或其他半导体器件的方法包括在半导体衬底上的一个缓冲氧化层上形成一个硅层。形成缓冲氧化层之后,形成阻碍层。导电材料的控制栅极这样形成:对硅层、栅极氧化层和衬底构图,在衬底的上部形成沟槽。通过氧化沟槽的侧壁而在控制栅极材料的上部和下部产生鸟嘴形部分,可以实现均匀性。之后,形成一个填充沟槽的场氧化层。由于在沟槽侧壁的氧化过程中,鸟嘴形部分均匀形成在控制栅极材料的上部和下部,因此通过防止例如浮动栅极的侧壁具有正斜率,实现了均匀性。

公开(公告)号：CN1246726A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99109548.0

申请日：1999-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明所公开的是使用HSG膜制造电容器的改进的方法,该方法能够使电容量增加,稳定单元特性和得到没有存储节点间的跨接的电容器。该方法使得在其表面具有HSG膜的存储节点的表面的晶相稳定。稳定的晶相能够有力地支持HSG,并由此防止在清洗步骤中HSG膜与存储节点的表面分离。

公开(公告)号：CN1059050A

公开(公告)日：1992-02-26

申请号：CN90109275.4

申请日：1990-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋 ,  高在弘 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10835

Abstract: 一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛一沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛—沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛—沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛—沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。

公开(公告)号：CN1052006A

公开(公告)日：1991-06-05

申请号：CN90104393.1

申请日：1990-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L27/10835

Abstract: 一种在半导体基片中形成沟槽制作叠层-沟槽并合型电容的方法。一层作第一电极用的导电层，一层介电膜以及作第二电极用的另一层导电层，依次连续地淀积在沟槽内。然后，蚀刻两层导电层和介于其间的介电膜，以形成电容图形。沿电容图形的侧壁形成一绝缘层，再在整个结构上形成一层第三导电层。

公开(公告)号：CN1051637A

公开(公告)日：1991-05-22

申请号：CN90103246.8

申请日：1990-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  崔寿汉

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/30 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/94

Abstract: 一种半导体装置和它的制造方法。这个半导体装置包括：一个第一导电层、在第一导电层上组成的氧化层、在氧化层上组成一个多子层形式的氮化物层，又在多子层的氮化物层上还有一层氧化物层，最后是在前面n步所得到的结构上形成第二导电层。由于多子层的氮化物层的独一无二特性，按照本发明的半导体装置的电气性能就被改善了。同时按照本发明的多子层结构的氮化物层可以广泛地应用到很多半导体器件上。