公开(公告)号：CN102064197A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010287308.0

申请日：2010-09-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 孙榕德 ,  李基龙 ,  崔埈厚 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓 ,  李东炫 ,  苏炳洙 ,  具贤祐 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  张锡洛

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。

公开(公告)号：CN101826556A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010124380.1

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  崔宝京 ,  李大宇 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴钟力 ,  安志洙 ,  金永大 ,  罗兴烈 ,  郑珉在 ,  郑胤谟 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑在琓 ,  尹祥渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。

公开(公告)号：CN101826555A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010122246.8

申请日：2010-03-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法及具有其的有机发光二极管显示装置，所述薄膜晶体管包括：基底；硅层，形成在基底上；扩散层，形成在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，形成在扩散层上；栅电极，设置在扩散层上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN102386235A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259212.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  苏炳洙 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。

公开(公告)号：CN101556968B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910134258.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置。所述薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上并且具有沟道区、源区、漏区和体接触区的半导体层；布置在所述半导体层上以暴露所述体接触区的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上并与被所述栅绝缘层暴露的所述体接触区接触的硅层；布置在所述硅层上的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并与所述源区和漏区电连接的源电极和漏电极，其中所述体接触区形成在所述半导体层的边缘区域中。

公开(公告)号：CN102214556A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110041351.3

申请日：2011-02-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  朴钟力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：CN102194890A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064215.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李卓泳 ,  朴炳建 ,  郑胤谟 ,  朴种力 ,  李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。

公开(公告)号：CN102064089A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010506428.5

申请日：2010-10-12

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管(TFT)、显示装置及制造方法。形成多晶硅层的方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层中形成凹槽；在非晶硅层上形成覆盖层；在覆盖层上形成金属催化剂层；对基底进行退火并使非晶硅层晶化成具有与形成的凹槽的相邻的晶种区域的多晶硅层。