公开(公告)号：CN112103355A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010898530.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  陈日志 ,  李柝时 ,  温丹丹 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种提供CdZnTe/CdTe/AlN复合结构、日盲区紫外探测器和其制备方法，其外延层包括由下至上依次设置的p型AlN衬底、CdTe过渡层和n型CdZnTe膜，所述p型AlN衬底上引出p型欧姆电极，所述n型CdZnTe膜上引出n型欧姆电极。本发明提供的CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、CdTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在CdTe/AlN衬底上快速生长大面积、低缺陷浓度的CdZnTe薄膜，CdTe/AlN衬底能保证CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的CdZnTe/CdTe/AlN垂直电导结构有着较低的漏电流，对日盲区紫外光也有着较强的光响应。

公开(公告)号：CN109524491A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811264136.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  孙佳豪 ,  徐宇豪 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN-CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。

公开(公告)号：CN104377037A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410686145.1

申请日：2014-11-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  谈洁 ,  王倩娣 ,  徐凯 ,  张宗坤 ,  顾峰 ,  曹萌 ,  王林军

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有高附着力的石墨烯厚膜电极的制备方法。它包括Hummers氧化还原法制备石墨烯粉体、球磨石墨烯粉体和手术刀法制备石墨烯厚膜三个主要步骤。本发明中利用液相无水乙醇和粘结剂松油醇与石墨烯粉体球磨，得到粘稠可控，颗粒均匀的石墨烯浆料；经涂抹于导电玻璃表面，最终得到的石墨烯厚膜电极，该厚膜电极附着力强，膜厚可控，性能优良。将该方法制备的石墨烯厚膜电极应用于染料敏化太阳能电池中，可得到优良的光电转换性能。

公开(公告)号：CN103236352A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310142604.5

申请日：2013-04-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  吴启霜 ,  王倩娣 ,  曹萌 ,  顾峰

IPC: H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜的制备方法，它包括水热法制备Sn掺杂ZnO粉体、sol-gel法制备ZnO溶胶和手术刀法制备ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜三个主要步骤。本发明中Sn掺杂ZnO粉体存在介孔结构，具有更大的比表面积，ZnO溶胶粘稠度可控，最终得到的ZnO厚膜附着力强、粒度均匀、膜厚可控、性能优良。将该方法制备的ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜应用于染料敏化太阳能电池中，得到了更优的光电转换性能。

公开(公告)号：CN101279989B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200810037728.6

申请日：2008-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  郑飞 ,  顾峰 ,  卢惠娜 ,  张建成

IPC: C07F13/00 ,  C07D487/22

Abstract: 本发明涉及一种高光电转换效率的锰酞菁双酚A环氧衍生物的制备。该方法主要包括如下步骤：四硝基锰酞菁的合成，通过胺基取代硝基制备四胺基锰酞菁，在此基础上进行双酚A二缩水环氧甘油醚的合成，将双酚A二缩水环氧甘油醚和四胺基锰酞菁反应，得到锰酞菁双酚A环氧衍生物。本发明制备的锰酞菁双酚A环氧衍生物具有成膜性好、光电转换效率高的特点，在有机太阳能电池上有良好应用前景。

公开(公告)号：CN101567270A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910050884.0

申请日：2009-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  吴明明 ,  顾峰 ,  张贇 ,  张建成

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种介孔半导体复合薄膜的准备方法，特别是涉及一种高锌含量介孔ZnO/TiO2复合薄膜的制备方法，属于太阳能电池半导体电极材料制备工艺技术领域。本发明复合薄膜中氧化锌的含量为70~95mol％，氧化钛的含量为5~30mol％，并且以三嵌段共聚物为模板剂，乙酰丙酮为络合剂；模板剂的加入量为1~3％，络合剂乙酰丙酮的加入量为2％；在有机溶剂中模板剂诱导锌的前躯体和钛的前躯体形成有机－无机均匀的介孔结构；在高温烧结下脱除模板剂并使薄膜晶化，最终得到骨架为纳米晶的介孔复合膜。本发明的复合薄膜可用于染料敏化太阳能电池上的电极材料，它具有良好的光电性能。

公开(公告)号：CN101279989A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810037728.6

申请日：2008-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  郑飞 ,  顾峰 ,  卢惠娜 ,  张建成

IPC: C07F13/00 ,  C07D487/22

Abstract: 本发明涉及一种高光电转换效率的锰酞菁双酚A环氧衍生物的制备。该方法主要包括如下步骤：四硝基锰酞菁的合成，通过胺基取代硝基制备四胺基锰酞菁，在此基础上进行双酚A二缩水环氧甘油醚的合成，将双酚A二缩水环氧甘油醚和四胺基锰酞菁反应，得到锰酞菁双酚A环氧衍生物。本发明制备的锰酞菁双酚A环氧衍生物具有成膜性好、光电转换效率高的特点，在有机太阳能电池上有良好应用前景。

公开(公告)号：CN1300046C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410067786.5

申请日：2004-11-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  顾峰 ,  夏义本

IPC: C04B35/117 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种氧化铝－金刚石复合材料的制造方法，属无机复合材料制造工艺技术领域。本发明的制备工艺方法，其特征在于先由金刚石微粉均匀分布于纯氧化铝陶瓷体系中并通过热压烧结制成两相共存的复合基底，然后在此复合基底上，用热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜，最终制成具有大面积金刚石薄膜的氧化铝－金刚石复合材料；本发明的具体步骤包括：纯氧化铝陶瓷体系的制备、添加助烧剂、合成煅烧、添加金刚石微粉、复合基底的热压烧结、化学气相沉积金刚石薄膜，最后制成本发明的新型氧化铝－金刚石复合材料。本发明的复合材料适合于制作大规模集成电路的基片材料，可用作封装管壳的基片材料。

公开(公告)号：CN110643937A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201911003731.0

申请日：2019-10-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  顾建文 ,  陈日志 ,  孙佳豪 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种掺Al的AlN靶材、AlN-CdZnTe复合结构组件及其制备方法，采用掺Al的AlN靶材，调控和优化进行溅射AlN工艺条件，制备AlN薄膜和CdZnTe厚膜，本发明方法首先制备掺Al的AlN靶材，以便用于之后AlN薄膜的溅射；然后是在AlN陶瓷衬底上溅射AlN膜，使其能和衬底形成AlN复合衬底来上快速生长大面积、高质量的CdZnTe厚膜。本发明可以制备出晶格缺陷较少的高质量的CdZnTe厚膜，以便于其在红外探测器、X射线与γ射线探测器、太阳能电池以及光电调制器等领域的应用。

公开(公告)号：CN107170853B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201710318230.6

申请日：2017-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  张宗坤 ,  徐宇豪 ,  沈意斌 ,  黄健 ,  顾峰 ,  王林军

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。