-
公开(公告)号：CN119571465A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411612967.5
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属化合物晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用，属于晶体制备技术领域。所述含盐包硫属化合物中类金刚石结构；所述含盐包硫属化合物的化学式为[A5X][M14Q23]、[A5BaX][M18Q30],[A13BaX5][M22Q38]、[A14LiX5][M22Q38]中的一个；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；X选自Cl、Br、I中的至少一种；M选自Ga、In中的至少一种；Q选自S、Se、Te中的至少一种。该材料的NLO效应是商用AgGaS2的0.3‑10倍，激光损伤阈值是AgGaS2的1‑50倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
-
公开(公告)号：CN119462486A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411404351.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D213/22 , B01J31/22 , B01J37/08 , C07C68/04 , C07C69/96
Abstract: 本申请公开了一种含Zn和Fe的晶体及其制备方法和应用。该含Zn和Fe的晶体的化学式为Zn3(cpb)2[Fe(CN)6]2·nH2O；其中，配体cpb为1‑(3‑羧基苯)‑4,4'‑联吡啶紫精鎓盐。本申请提供的含Zn和Fe的晶体具有热致变色性能，加热刺激后的晶态催化剂可有效催化CO2和甲醇直接合成碳酸二甲酯，相比没有加热刺激的晶体，性能极大提升。
-
公开(公告)号：CN119147597A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411124241.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请公开了一种电荷转移包覆型半导体材料在气敏传感器件中的应用，属于半导体传感器材料技术领域。所述应用包括：将电荷转移包覆型半导体材料与待测气体接触；所述电荷转移包覆型半导体材料为：由有机组分通过电荷转移作用包覆在初始半导体外表面所形成的气敏材料。本申请利用电荷转移相互作用的存在提高了半导体的载流子迁移率和电荷分离态寿命，从而提高了气体检测灵敏度，降低了工作温度，并利用半导体外有机包覆组分的氧化还原特性提高气体的选择性。本申请的应用即保留了初始半导体的基本性质，又通过简化材料制备方式降低了应用成本，具有普适性。
-
公开(公告)号：CN118406242A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311870499.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种多酸氧簇基半导体材料，所述多酸氧簇基半导体材料的分子式为：[M3(I)(P)(DTB)3]n；其中，n为∞，表示不断重复无限延伸；M选自Cu+、Ag+中的一种；P为‑3价的完全脱氢后磷钼酸或磷钨酸；DTB为1H‑1,2,4‑三唑,1,1‑双(1,4‑亚苯基)。本申请提供的多酸氧簇基半导体材料制备方法简单，具有较好的X射线衰减能力、载流子迁移率和寿命乘积值大和X射线探测灵敏度高的特点，在X射线辐射直接探测、辐射探测剂量计、X射线半导体医学成像等领域具有应用价值。
-
公开(公告)号：CN118079971A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410095678.6
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B01J27/224 , B01J35/30 , C07C67/36 , C07C69/06
Abstract: 本申请公开了一种CO酯化制甲酸甲酯的高导热多相催化剂及其制备方法和应用。所述高导热多相催化剂包括钯活性组分和载体；所述载体包括碳化硅。本发明采用SiC作为催化剂的载体，与文献中已报道的催化剂载体相比，SiC载体具有高的导热性能，可有效降低反应器热点温度并避免飞温的发生，为反应器安全稳定、高效运行提供保障；且在固定式列管反应器中，高导热催化剂无需采用梯度装填的方案，极大减少催化剂装填的工作量、使催化剂装填简单易行。与传统浸渍法相比，该发明所采用的制备方法不仅催化剂的贵金属负载量低，且制备工艺简单、易于规模化放大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114908423B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210411436.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含两种碱金属的三维无机化合物晶体。所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体具有式I所示的化学式：ALiGa6Q10其中，A选自除锂以外的碱金属元素中的一种；Q选自硫属元素中的一种；所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体属于单斜晶系，Cc空间群。本申请进一步公开了该晶体的制备方法。通过该制备方法所得到的含两种碱金属的三维无机化合物晶体，具有非常好的激光损伤阈值和非线性光学效应，适合多种场合的应用，具有非常好的应用前景和价值。
-
公开(公告)号：CN113913941B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110257345.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种ZnSe同质异相结材料及其制备方法、应用。所述ZnSe同质异相结材料由一维棒状的六方相的(001)面与颗粒状的立方相的(111)面连接而成。其制备方法无需后热处理，工艺过程简单，能耗低、成本低、易于放大，具有很好的应用潜力。该ZnSe同质异相结界面处晶格高度匹配，实现了光生载流子的高效分离，从而显著提高其在可见光下的光催化性能，可应用于光催化分解水制氢、降解有机污染物或光催化选择性氧化醇类。
-
公开(公告)号：CN115287764A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210927240.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含铅和镓的单斜无机化合物晶体，所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体的化学式为PbGa4Se7。所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，PC空间群。并进一步公开了该含铅和镓的单斜无机化合物晶体的制备方法和应用。该含铅和镓的单斜无机化合物晶体具有比商用AgGaS2高达2倍的非线性光学(NLO)效应，且激光损伤阈值是AgGaS2的10倍，是非常具有潜力的NLO材料。
-
公开(公告)号：CN108441964B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
-
公开(公告)号：CN105944733B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610316808.X
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种稀土改性的多级孔负载型镍基催化剂、制备方法及应用。所述稀土改性的多级孔负载型镍基催化剂包括载体、分散在载体上的活性组分和改性组分，其特征在于，所述载体选自无机氧化物中的至少一种，所述载体包含大孔和介孔；所述活性组分为镍；所述改性组分含有至少一种稀土元素。该催化剂用于二氧化碳重整甲烷反应，不发生烧结和积炭，表现出优异的高温稳定性和较高的催化活性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
130
records
(took 0.032 seconds)
