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公开(公告)号：CN115233305A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210829095.2
申请日：2022-07-15
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： VB法制备超高纯多晶锗的方法，属于超高纯锗多晶制备领域。本发明的方法，包括以下步骤：采用VB法定向凝固结晶，将6‑8N纯度的锗多晶原料放入特殊处理的高纯石英坩埚内，再将其装入高纯石英管内通入高纯氢气，对6‑8N纯度的多晶锗在超高纯氢气气氛中进行高频感应加热，使其全部熔化为液体，保持高频感应加热持续不变，缓慢下降载有锗液体的高纯石英坩埚，使液体自下而上的缓慢凝固，使其中的微量杂质在固液转换的界面中，由于分凝系数不同，不断富集至晶体下部，从而把6‑8N纯度的多晶锗提纯至＞12N纯度的超高纯多晶锗。
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公开(公告)号：CN115771996B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211444186.0
申请日：2022-11-18
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
IPC分类号： C03B23/207
摘要： VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法，属于VGF晶体生长技术领域，具体涉及一种用于VGF法真空生长超大直径晶体的石英管封焊的方法。本发明方法中使用的是热应力检测合格的石英管和石英管封帽，在将石英管和石英管封帽清洗干净，坩埚装入石英管内后进行封焊，封焊过程具体包括预热、封焊、退火步骤。本发明的方法，保障长周期高温的晶体生长过程中保证石英管不会出现裂管现象，最大程度的保障石英管真空封焊的一次成功率。
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公开(公告)号：CN113638048B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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公开(公告)号：CN113638048A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110802948.9
申请日：2021-07-15
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350°后排空炉内气压，待炉内温度降至约150°后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
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公开(公告)号：CN105154978B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105154978A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105133019A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510659806.6
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞 , 祝永成
摘要： 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
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