公开(公告)号：CN109920907A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910240325.X

申请日：2019-03-27

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 牛菁 ,  周婷婷 ,  张方振 ,  孙双 ,  史鲁斌 ,  王锦谦 ,  米东灿

IPC: H01L41/04 ,  H01L41/332 ,  G06F3/041

Abstract: 本申请公开了一种压电传感器、触控显示装置及制造方法。该压电传感器依次设置有第一电极层、绝缘层、压电膜层，还包括：设置于绝缘层上的第一隔垫层，第一隔垫层位于未设有压电膜层的区域，第一隔垫层与压电膜层之间具有一定间距。

公开(公告)号：CN109755412A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910034214.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 牛亚男 ,  陈蕾 ,  孙中元 ,  周婷婷 ,  牛菁 ,  张方振 ,  黄维 ,  焦志强 ,  田宏伟

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件，所述柔性基板包括衬底；设置在衬底上的第一柔性材料层；在所述第一柔性材料层上设置的金属走线；覆盖所述第一柔性材料层及所述金属走线的第二柔性材料层，其中所述柔性基板包括多个岛区和岛间连接区，其中所述金属走线设置在所述岛间连接区内并延伸进入所述岛区。本发明提供的柔性基板将金属走线内置在拉伸性能更佳的柔性衬底中以减轻现有技术中的裂纹或断裂，同时减少柔性基板翘曲形变时的剪切应力，并减少金属走线在多向弯折及拉伸时的应力损伤，从而提高柔性显示装置或电子器件对于器件变形的耐受性，进而提高产品的良率。

公开(公告)号：CN109545834A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811476105.9

申请日：2018-12-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 牛亚男 ,  彭锦涛 ,  孙中元 ,  彭宽军 ,  张方振 ,  田宏伟 ,  秦纬

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种显示器件及其制备方法，该显示器件包括：衬底；设置于衬底一侧的驱动背板，驱动背板包括设置有外接线的焊盘区域；设置于驱动背板背离衬底一侧的发光层，发光层在驱动背板上的正投影与焊盘区域无重叠；设置于发光层背离驱动背板一侧且包覆发光层的功能层，功能层包括层叠设置的至少一层有机层、至少一层无机层和至少一层用于形成近场通信天线的线圈层，其中，有机层与无机层相间分布、线圈层的一端与外接线连接。该显示器件集成有用于形成近场通信天线的线圈层，从而可以较好的降低包含该显示器件的设备的成本，同时有利于实现包含该显示器件的设备的轻薄化。

公开(公告)号：CN104766803B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510152719.1

申请日：2015-04-01

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 宁策 ,  李明超 ,  张方振

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明公开一种TFT的制作方法及TFT、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，为改善TFT的中电极的导电性。所述TFT的制作方法包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在衬底基板上形成栅极绝缘层；形成源极和漏极的图形，源极和漏极位于栅极绝缘层上方；所述制作方法还包括：在栅极、源极或/和漏极的表面各形成一层防氧化的金属保护层。在本发明提供的TFT的制作方法中，在栅极、源极或/和漏极的表面分别形成一层防氧化的金属保护层，因而可以避免在后续的工艺中引起栅极、源极或/和漏极的氧化，从而改善TFT中的电极的导电性。本发明用于显示器的制造。

公开(公告)号：CN105182594B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510527566.4

申请日：2015-08-25

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 牛菁 ,  齐永莲 ,  孙双 ,  张方振

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133516 ,  G02B5/3058 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/133617 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/133548 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/2043

Abstract: 种显示基板,包括衬底基板和偏振层,其中偏振层包括同层设置且材料相同的线栅偏振器和遮光矩阵。该显示基板简化了生产环节,从而降低了成本,并减小了液晶显示装置的厚度。

公开(公告)号：CN105206568B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510673823.5

申请日：2015-10-16

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙双 ,  牛菁 ,  张方振 ,  吕志军

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/266 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1274 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及显示技术领域，公开一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板，制备方法包括在多晶硅层上形成光刻胶层，并采用灰度掩膜板进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域的图形；采用刻蚀工艺去除多晶硅层位于光刻胶完全去除区域的部分，形成有源层的图形；对光刻胶进行灰化处理，使位于光刻胶半保留区域的部分有源层露出并对部分有源层进行高浓度P+离子注入，形成P型TFT的源漏极图形的掺杂区；在形成公共电极的图形时形成源漏极和有源层的连接电极，该制备方法可减少低温多晶硅阵列基板制备过程中的光刻工艺数量，进而降低低温多晶硅显示设备的生产成本。

公开(公告)号：CN105047608B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201510531940.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 牛菁 ,  崔承镇 ,  张方振 ,  孙双

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、一种显示装置。所述阵列基板的制作方法包括：S1、形成包括栅极的图形；S2、形成包括源极和漏极中的一者的图形；S3、形成包括有源层的图形，所述有源层位于所述源极和漏极中的一者的背离衬底的一侧，且所述有源层与所述栅极绝缘间隔，所述有源层为金属氧化物半导体；S4、形成包括源极和漏极中的另一者的图形，并使得该源极和漏极中的另一者覆盖所述有源层；其中，包括源极的图形与包括漏极的图形均与包括栅极的图形绝缘间隔。本发明无需制作刻蚀阻挡层，从而简化了阵列基板的制作工艺，并简化了阵列基板的结构。

公开(公告)号：CN104465670B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201410773384.0

申请日：2014-12-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 吕志军 ,  王珂 ,  王久石 ,  张方振

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/29 ,  H01L21/77 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够提高钝化层与透明电极层的附着力，避免透明电极层在光刻胶剥离的过程中脱落。其中，所述阵列基板包括位于衬底基板表面的薄膜晶体管、设置于薄膜晶体管上方的第一钝化层，以及位于第一钝化层表面的透明电极层，第一钝化层包括第一子薄膜层，以及位于第一子薄膜层表面与透明电极层相接触的第二子薄膜层；其中，第二子薄膜层的薄膜致密度大于第一子薄膜层。

公开(公告)号：CN104851894B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201510300781.0

申请日：2015-06-03

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 宁策 ,  张方振

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单，有利于阵列基板和显示装置量产化。

公开(公告)号：CN106910779A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710221676.7

申请日：2017-04-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 张方振 ,  宁策 ,  牛菁 ,  孙双

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极；半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧；源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极以及所述漏极；以及沟道区保护层，所述沟道区保护层设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合。由此，沟道区保护层可以保护器件不受外部环境影响，同时不影响器件的性能。