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公开(公告)号：CN106716255B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580051801.3
申请日：2015-06-30
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： N·J·M·范德纽维拉尔 , V·M·布兰科卡巴洛 , C·R·德格鲁特 , R·H·J·屈斯泰 , D·M·菲利普斯 , F·A·范德桑德 , P·L·J·岗特尔 , E·H·E·C·尤姆麦伦 , Y·J·G·范德维基沃尔 , B·D·斯霍尔滕 , M·武泰 , R·F·科克斯 , J·A·维埃拉萨拉斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G02B27/0043 , G03F7/2043 , G03F7/70358 , G03F7/70725 , G03F7/70858 , G03F7/70925
摘要： 一种浸没式光刻设备具有控制器(500)，所述控制器(500)被配置用以控制衬底台(WT)沿着曝光路线移动，所述曝光路线按次序包括：进入运动(R2)，其中衬底从浸没空间(10)不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动(R3，R4)，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使图案化的束投影至所述衬底上，其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠，且其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上。
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公开(公告)号：CN1244017C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN98812815.2
申请日：1998-11-06
申请人： 约翰·C·波拉尼
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/306
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/2043 , G03F7/2059 , H01L21/0277 , H01L21/2254
摘要： 公开了一种在反应性固体表面无掩膜形成分子或原子图形的方法。使用了一种吸附剂分子的分子级图形替代传统的肉眼可见的“掩膜”。分子在表面吸附形成的图形是由该表面的结构，吸附剂的化学性能和在表面的吸附剂覆盖率所决定。通过引发吸附剂分子和固体表面之间的定位化学反应，在表面形成图形，然后依据图形对表面进行标记或印刻，导致在吸附剂分子的附近形成印刻。
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公开(公告)号：CN106716255A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051801.3
申请日：2015-06-30
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： N·J·M·范德纽维拉尔 , V·M·布兰科卡巴洛 , C·R·德格鲁特 , R·H·J·屈斯泰 , D·M·菲利普斯 , F·A·范德桑德 , P·L·J·岗特尔 , E·H·E·C·尤姆麦伦 , Y·J·G·范德维基沃尔 , B·D·斯霍尔滕 , M·武泰 , R·F·科克斯 , J·A·维埃拉萨拉斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G02B27/0043 , G03F7/2043 , G03F7/70358 , G03F7/70725 , G03F7/70858 , G03F7/70925
摘要： 一种浸没式光刻设备具有控制器(500)，所述控制器(500)被配置用以控制衬底台(WT)沿着曝光路线移动，所述曝光路线按次序包括：进入运动(R2)，其中衬底从浸没空间(10)不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部分地重叠的衬底上位置；转移运动(R3，R4)，其中所述衬底台在所述衬底移动至所述衬底上位置之后改变速度和/或方向且移动至少一转移时间；和曝光运动，其中扫描所述衬底且使图案化的束投影至所述衬底上，其中贯穿所述转移运动，所述浸没空间的至少一部分与所述衬底重叠，且其中所述图案化的束在所述进入运动及所述转移运动期间没有被投影至所述衬底上。
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公开(公告)号：CN100342491C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510056980.8
申请日：2005-03-24
申请人： 株式会社东芝
发明人： 伊藤信一
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/2043 , G03F7/40 , H01L21/30
摘要： 在浸液曝光中，一种抑制抗蚀图形缺陷的抗蚀图形形成方法包括：将其上形成有抗蚀膜的衬底(10)和其上形成有图形的标线片(32)放置(ST205)到曝光装置上；在抗蚀膜上供给第一化学溶液，以在抗蚀膜上的局部区域中选择性地形成第一液体膜，并排出所述溶液，所述第一液体膜具有液流(72b、72d、72e)并形成于抗蚀膜和投影光学系统(33)之间；通过第一液体膜将标线片(32)的图形转移(ST206)到抗蚀膜以形成潜像；在抗蚀膜上供给(ST208)第二化学溶液，以清洁抗蚀膜；加热(ST210)抗蚀膜；以及显影(ST211)抗蚀膜，以从抗蚀膜形成抗蚀图形。
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公开(公告)号：CN105182594B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510527566.4
申请日：2015-08-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC分类号： G02F1/133516 , G02B5/3058 , G02F1/133512 , G02F1/133528 , G02F1/133617 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2001/133548 , G03F7/0002 , G03F7/0007 , G03F7/2043
摘要： 种显示基板,包括衬底基板和偏振层,其中偏振层包括同层设置且材料相同的线栅偏振器和遮光矩阵。该显示基板简化了生产环节,从而降低了成本,并减小了液晶显示装置的厚度。
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公开(公告)号：CN106444281A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610843209.3
申请日：2016-09-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 陈善韬
CPC分类号： G03F7/2043 , G03F7/0045 , G03F7/16 , G03F7/2004 , H01L21/0274 , G03F7/004 , G03F7/00
摘要： 本发明公开了一种光刻胶及刻蚀方法，该光刻胶中含有在紫外光照射下电离产生离子的电离物质。这样通过在光刻胶中增加电离物质，在刻蚀过程中通过紫外光作用使得电离物质电离产生离子，而离子之间通过电荷间引力作用加速移动，从而实现各区域之间离子浓度的平衡。这样可以及时补充进行刻蚀的基板上各区域消耗掉的离子，尤其在图形密集区可以及时获得离子的补充，进而实现各区域的刻蚀速率的平衡，保证了整个基板的刻蚀均一性。
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公开(公告)号：CN105182594A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510527566.4
申请日：2015-08-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC分类号： G02F1/133516 , G02B5/3058 , G02F1/133512 , G02F1/133528 , G02F1/133617 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2001/133548 , G03F7/0002 , G03F7/0007 , G03F7/2043 , G02F2001/133614
摘要： 一种显示基板，包括衬底基板和偏振层，其中偏振层包括同层设置且材料相同的线栅偏振器和遮光矩阵。该显示基板简化了生产环节，从而降低了成本，并减小了液晶显示装置的厚度。
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公开(公告)号：CN1320602C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03157733.4
申请日：2003-08-28
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/30
CPC分类号： G03F7/2043 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , Y10S438/948 , Y10S438/949
摘要： 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。
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公开(公告)号：CN109786277A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811019709.0
申请日：2018-09-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/06 , G01B11/0616 , G01N21/8422 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G03F7/2043 , G03F7/70633 , H01L22/12
摘要： 一种对薄膜执行计量分析的方法包括：将辐射耦合到邻近所述薄膜的表面设置的光学元件中。所述辐射被耦合成使得所述辐射在所述光学元件与所述薄膜之间的界面处被全内反射。在所述界面处产生的消散辐射穿透所述薄膜。所述方法还包括：分析被所述薄膜散射的所述消散辐射以获得所述薄膜的性质。
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公开(公告)号：CN1674228A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056980.8
申请日：2005-03-24
申请人： 株式会社东芝
发明人： 伊藤信一
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/2043 , G03F7/40 , H01L21/30
摘要： 在浸液曝光中，一种抑制抗蚀图形缺陷的抗蚀图形形成方法包括：将其上形成有抗蚀膜的衬底(10)和其上形成有图形的标线片(32)放置(ST205)到曝光装置上；在抗蚀膜上供给第一化学溶液，以在抗蚀膜上的局部区域中选择性地形成第一液体膜，并排出所述溶液，所述第一液体膜具有液流(72b、72d、72e)并形成于抗蚀膜和投影光学系统(33)之间；通过第一液体膜将标线片(32)的图形转移(ST206)到抗蚀膜以形成潜像；在抗蚀膜上供给(ST208)第二化学溶液，以清洁抗蚀膜；加热(ST210)抗蚀膜；以及显影(ST211)抗蚀膜，以从抗蚀膜形成抗蚀图形。
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