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公开(公告)号：CN107059135B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610853198.7
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 冲田恭子
Abstract: 本发明涉及一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块(1)的步骤和通过切割晶块(1)获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块(1)的 方向或 方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。
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公开(公告)号：CN107059135A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610853198.7
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 冲田恭子
Abstract: 本发明涉及一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块(1)的步骤和通过切割晶块(1)获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块(1)的 方向或 方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。
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公开(公告)号：CN103503119A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021347.3
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 冲田恭子
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块（1）的步骤和通过切割晶块（1）获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块（1）的 方向或 方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。
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公开(公告)号：CN102576659A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180004270.4
申请日：2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2)，并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此，能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。
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公开(公告)号：CN102388433A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080015897.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/02656 , H01L21/02667 , H01L21/047 , H01L29/66068
Abstract: 在提供的用于制造半导体衬底的方法中，准备具有支撑部(30)和第一和第二碳化硅衬底(11，12)的组合衬底。所述第一碳化硅衬底(11)具有第一正面和第一侧面(S1)。所述第二碳化硅衬底具有第二正面和第二侧面(S2)。所述第二侧面(S2)被设置成使得在所述第一和第二正面(F1，F2)之间具有开口的间隙被形成在所述第一和第二侧面(S1，S2)之间。经由所述开口将熔融的硅引入到所述间隙，形成硅连接部(BDp)，所述硅连接部(BDp)连接所述第一和第二侧面(S1，S2)以便封闭所述开口。通过对所述硅连接部(BDp)进行碳化，形成碳化硅连接部(BDa)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102379025A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080015066.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/2007 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其包括以下步骤：提供包括碳化硅的基础衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；通过彼此堆叠所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)，使得衬底的主表面(10A，20B)彼此接触来准备堆叠衬底；加热所述堆叠衬底以彼此接合基础衬底(10)和SiC衬底(20)，以制造接合衬底(3)；以及加热所述接合衬底(3)，使得在基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间形成温度差，以制造接合衬底(3)，其中基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间的接合界面(15)中形成的空洞(30)被消除到外部。
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公开(公告)号：CN102334176A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009653.6
申请日：2010-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/02529 , H01L21/02609 , H01L21/187 , H01L29/7802
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底(81)，其具有衬底区域(R1)和支撑部(30)。该衬底区域(R1)具有第一单晶衬底(11)。支撑部(30)连接到第一单晶(11)的第一背面(B1)。第一单晶衬底(11)的位错密度小于支撑部(30)的位错密度。衬底区域(R1)和支撑部(30)中的至少一个具有空洞。
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公开(公告)号：CN101075570A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710104113.6
申请日：2007-05-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02008 , H01L21/02052 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。
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公开(公告)号：CN114651091A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080078036.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/304
Abstract: 将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。
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公开(公告)号：CN111433394B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201880078475.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明满足规定的数学表达式，其中ν0代表指示与具有4H多型并且具有零应力的碳化硅的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数，νmax代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最大值，νmin代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最小值，并且ν1代表指示与在第一主表面处的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数。
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