公开(公告)号：CN106536795B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201580038381.5

申请日：2015-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  并川靖生

IPC: C30B29/42 ,  H01L33/16

Abstract: 一种GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。

公开(公告)号：CN106536795A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038381.5

申请日：2015-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  并川靖生

IPC: C30B29/42 ,  H01L33/16

Abstract: 一种GaAs晶体，其具有20cm-1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个

公开(公告)号：CN102576659A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201180004270.4

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2)，并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此，能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。

公开(公告)号：CN102449733A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023785.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；以及在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成作为导体的、包括碳的中间层(80)。由此将所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此接合。

公开(公告)号：CN102422424A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020502.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102388433A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015897.5

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068

Abstract: 在提供的用于制造半导体衬底的方法中，准备具有支撑部(30)和第一和第二碳化硅衬底(11，12)的组合衬底。所述第一碳化硅衬底(11)具有第一正面和第一侧面(S1)。所述第二碳化硅衬底具有第二正面和第二侧面(S2)。所述第二侧面(S2)被设置成使得在所述第一和第二正面(F1，F2)之间具有开口的间隙被形成在所述第一和第二侧面(S1，S2)之间。经由所述开口将熔融的硅引入到所述间隙，形成硅连接部(BDp)，所述硅连接部(BDp)连接所述第一和第二侧面(S1，S2)以便封闭所述开口。通过对所述硅连接部(BDp)进行碳化，形成碳化硅连接部(BDa)。

公开(公告)号：CN102379025A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015066.8

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其包括以下步骤：提供包括碳化硅的基础衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；通过彼此堆叠所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)，使得衬底的主表面(10A，20B)彼此接触来准备堆叠衬底；加热所述堆叠衬底以彼此接合基础衬底(10)和SiC衬底(20)，以制造接合衬底(3)；以及加热所述接合衬底(3)，使得在基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间形成温度差，以制造接合衬底(3)，其中基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间的接合界面(15)中形成的空洞(30)被消除到外部。

公开(公告)号：CN102334176A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009653.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/187 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底(81)，其具有衬底区域(R1)和支撑部(30)。该衬底区域(R1)具有第一单晶衬底(11)。支撑部(30)连接到第一单晶(11)的第一背面(B1)。第一单晶衬底(11)的位错密度小于支撑部(30)的位错密度。衬底区域(R1)和支撑部(30)中的至少一个具有空洞。

公开(公告)号：CN101647093A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880004747.7

申请日：2008-08-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法和因表面粗糙所引起的特性退化受到抑制的半导体装置，所述制造半导体装置的方法通过在热处理步骤中充分抑制晶片的表面粗糙而能够抑制因晶片表面粗糙所引起的特性退化。制造作为半导体装置的MOSFET的方法包括包括准备由碳化硅制成的晶片(3)的步骤和活化退火步骤，所述活化退火步骤通过加热所述晶片(3)来实施活化退火。在所述活化退火步骤中，在含产生自SiC片(61)的碳化硅蒸气的气氛中加热所述晶片(3)，所述SiC片(61)为不同于所述晶片(3)的发生源。

公开(公告)号：CN1222643C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01117791.8

申请日：2001-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: C30B31/02

CPC classification number: H01L21/385 ,  C30B29/48 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00 ,  Y10S420/903 ,  Y10S428/926 ,  Y10S428/941 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12764 ,  Y10T428/12792

Abstract: 本发明关于用Al作为施主杂质进行掺杂，热处理ZnSe晶体基质的方法，利用该热处理制备的ZnSe晶体基片和利用该ZnSe晶体基片制备的光发射装置，尤其是，热处理ZnSe晶体基片的方法包括预先在基片上形成Al膜，首先使基片在Se环境气氛中进行热处理，然后再在Zn环境气氛中进行热处理。