公开(公告)号：CN101529605A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039902.4

申请日：2007-10-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 米原隆夫 ,  山方宪二 ,  关口芳信 ,  西康二郎

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L27/153 ,  B41J2/45 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/784 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供新型的半导体物品制造方法等。具有在半导体衬底上形成的化合物半导体多层膜的半导体物品的制造方法包括：制备构件，该构件包含化合物半导体衬底(1000)上的蚀刻牺牲层(1010)、化合物半导体多层膜(1020)、绝缘膜(2010)和半导体衬底(2000)，并具有穿过半导体衬底和绝缘膜的第一沟槽(2005)和作为被设置在化合物半导体多层膜中以与第一沟槽连接的第二沟槽的半导体衬底沟槽(1025)；通过第一沟槽和第二沟槽使蚀刻剂与蚀刻牺牲层接触；以及蚀刻所述蚀刻牺牲层以使化合物半导体衬底与所述构件分开。

公开(公告)号：CN1194384C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00104669.1

申请日：2000-03-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方，并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130)，以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。

公开(公告)号：CN1227284A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN98125517.5

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00

CPC classification number: C25D11/32 ,  C25D11/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/004 ,  C25D17/02 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76259

Abstract: 本发明提供一种有效地进行阳极化处理的阳极化设备。这种在电解液中对衬底进行阳极化处理的阳极化设备包括：盛放电解液的处理池，该处理池在其壁上有开口；正对着开口设置在处理池中的负极；与要处理的衬底的表面相接触的正极，该衬底设置在开口附近且在处理池内侧，该衬底的表面通过开口向处理池外部敞开。

公开(公告)号：CN1221968A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98126327.5

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泷泽亨 ,  米原隆夫 ,  山方宪二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/6838

Abstract: 两晶片适当地彼此接触。第一晶片由具有环形外围部分(3d)的晶片支撑台(3)支撑。基片支撑台(3)只与第一晶片的外围部分(3d)接触。而第二晶片与第一晶片相对地被支撑时,第二晶片的下表面在其中心部分被加压,以便第一和第二晶片从中心部分向外彼此接触。晶片支撑台(3)的中心部分(3c)不与第一晶片接触。甚至在有颗粒附着于该中心部分时,也可以防止被支撑的第一晶片不平整。因此,两晶片间不存在残留的气体。

公开(公告)号：CN1188820A

公开(公告)日：1998-07-29

申请号：CN97123026.9

申请日：1997-11-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方宪二

IPC: C25D11/32

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/00 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6838 ,  Y10S134/902

Abstract: 由抗HF材料制成的支持器,包括环形吸气衬垫(105,108)。吸气衬垫(105)利用吸力支持小的硅衬底,吸气衬垫(108)利用吸力支持大的硅衬底。这样就可处理具有各种尺寸的硅衬底。利用泵减少吸气衬垫沟内空间的压力用吸力支持硅衬底。在该支持器中形成开口使得硅衬底的两个表面与HF溶液接触。使用铂作为正负电极并通过施加直流电压对硅衬底进行阳极化处理,制造具有多孔层的衬底。

公开(公告)号：CN1149758A

公开(公告)日：1997-05-14

申请号：CN96111711.7

申请日：1996-07-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方宪二 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦 ,  坂口清文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76243

Abstract: 半导体衬底的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。