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公开(公告)号：CN117393583A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311448397.6
申请日：2023-11-02
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/266
摘要： 本发明公开了一种功率器件的终端区结构和制造方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种功率器件的终端区结构，包括终端区，终端区包括低浓度JTE区，以及间隔设置在低浓度JTE区内的若干个调制组，若干个调制组对低浓度JTE区的杂质浓度进行调制；调制组包括辅助场环和/或辅助沟槽。本发明的有益效果是：本发明提供的一种功率器件的终端区结构尺寸小且使用可靠性高、耐压稳定性好、制作工艺简单，提供的一种功率器件的终端区结构的制造方法工序简单，方便操作且可操作性好。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117252150A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311387938.9
申请日：2023-10-25
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： G06F30/398 , G06F119/08 , G06F113/18
摘要： 本发明涉及一种SiC沟道迁移率TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质，该方法包括S1.制备SiC芯片；S2.进行SiC芯片性能测试，获得转移特性实验曲线、输出特性实验曲线及阈值电压实验值；S3.完成SiC芯片结构建模和性能仿真，获得转移特性仿真曲线及阈值电压仿真值；S4.基于SiC芯片阈值电压实验值和仿真值，校准氧化层固定电荷参数；S5.基于SiC芯片转移特性实验曲线和仿真曲线，校准迁移率模型参数和界面态参数；S6.基于校准得到的物理模型参数，获得SiC芯片输出特性仿真曲线；S7.对比SiC芯片输出特性实验曲线和仿真曲线并验证参数；根据SiC芯片特性曲线中不同工作区特点，降低了不同物理模型之间的耦合度，实现了多模型参数校准与提取，提高了SiC芯片仿真准确度。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096014A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211687933.3
申请日：2022-12-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/311
摘要： 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN117080267A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311120002.X
申请日：2023-08-31
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiC MOSFET可靠性。
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公开(公告)号：CN116892059A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310309155.2
申请日：2023-03-27
申请人： 北京智慧能源研究院
摘要： 一种调控基平面位错的SiC外延生长方法，是一种通过缓冲层工艺和原位刻蚀工艺实现兼具高基平面位错转化率以及基平面位错转化点下移的4H‑SiC外延生长方法。本发明在外延层生长前进行多个周期的缓冲层生长和原位刻蚀，一方面通过调控位错弹性能和材料内应力促使基平面位错转化率进一步提高，实现高基平面位错转化，另一方面通过调控表面形貌来调节镜像力的作用，使基平面位错的转化点发生下移，从而满足高压大电流电力电子器件的性能和可靠性需求。
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公开(公告)号：CN116759400A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310395190.0
申请日：2023-04-13
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/492 , H01L21/48
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
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公开(公告)号：CN116525428A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310309126.6
申请日：2023-03-27
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/04
摘要： 本发明涉及一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法，该方法使用激光作为热源，加热熔融氢氧化钾在碳化硅材料表面形成局部湿法腐蚀，在碳化硅材料表面腐蚀形成凹槽。本发明可以对具有高化学稳定性、高硬度的碳化硅半导体材料表面进行高速、高深度的凹槽制备，且具有流程简单、工艺稳定和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN116435341A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310392938.1
申请日：2023-04-13
申请人： 北京智慧能源研究院
摘要： 一种用于制备超结结构的4H‑SiC沟槽外延生长方法，在衬底或外延层表面设置周期性沟槽结构，将进行沟槽外延的材料装入反应腔中；对反应腔通入氩气，设置反应腔压强，将反应腔内的温度升温；保持氩气通入的同时通入硅烷，维持温度及压强，进行原位退火处理；将混合气切换为氢气，设置反应腔内的温度和压强；维持设置的温度及压强，进行原位刻蚀处理一定时间；再次设置反应腔内的温度和压强；进行外延层生长。本发明在外延生长前通过原位退火工艺及原位刻蚀工艺调节沟槽形貌，调控沟槽结构的曲率半径；在外延生长过程中向反应腔内通入氯化氢，提高材料表面自由能；形成具备增强沟槽底部生长速率及抑制台面生长速率功能的沟槽外延生长模式。
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