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公开(公告)号：CN112510143B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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公开(公告)号：CN114325303B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113903857B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111475179.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。
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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851466B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111436654.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN114050818A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111182262.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及隔离器技术领域，提供一种数字隔离器及芯片。所述数字隔离器包括：调制发送模块，用于将接收到的输入信号转换为全差分信号；隔离电容模块，与所述调制发送模块连接，用于传输所述全差分信号；有源共模滤波模块，与所述隔离电容模块连接，用于过滤所述隔离电容模块传输所述全差分信号过程中的共模瞬态脉冲；接收解调模块，与所述隔离电容模块连接，用于对过滤共模瞬态脉冲后的全差分信号进行解调并输出。本发明通过调制发送模块将输入信号转换为全差分信号，利用有源共模滤波模块过滤全差分信号传输过程中的共模瞬态脉冲，提高了数字隔离器的共模瞬态脉冲抑制能力。
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公开(公告)号：CN113707558B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111257655.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , G03F1/00
Abstract: 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体地涉及一种用于制备高压LDMOS器件的方法及器件，包括提供第二导电类型的衬底；在衬底的中形成第一导电类型的漂移区与第二导电类型的体区；在漂移区上生长场氧化物；形成覆盖于漂移区的一部分和体区的一部分的栅介质层；在栅介质层上形成栅电极；在体区表面形成源区；以及在漂移区表面形成漏区；其中，使用局部线性掺杂工艺对第一选定区域注入第一导电类型离子，使用掩膜版调节漂移区的离子掺杂浓度，以使得漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而第一子区域和第二子区域的离子掺杂浓度相对于漂移区中的第一子区域和第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征。
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公开(公告)号：CN113868965A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111451892.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明实施例提供一种黑磷吸波体设计方法及系统，属于光学器件逆设计技术领域。所述方法包括：根据预设的模拟场景和预设的黑磷吸波体的结构参数，在预构建的专用残差神经网络中获得目标吸收光谱训练样本；利用所述训练样本获得预测模型；获取需求吸收光谱，利用所述预测模型对所述需求吸收光谱进行训练，输出目标结构参数；基于所述目标结构参数进行黑磷吸波体设计。本发明方案在预构建的专用残差神经网络中进行预测模型构建，然后基于该预测模型进行符合用户需求的黑磷吸波体结构参数预测，极大提高了黑磷吸波体结构参数预测的准确性。
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公开(公告)号：CN113866690A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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