公开(公告)号：CN101122519A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710026124.7

申请日：2007-08-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  胡立群 ,  韩平 ,  江若琏 ,  修向前 ,  刘斌 ,  赵红 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  H01L31/105

Abstract: 太阳光紫外线指数监测的微型探测装置，是利用GaN基和AlGaN基微型紫外探测器、芯片尺寸小于2－3mm2，在290nm－400nm波长的包含紫外线A和紫外线B谱线范围的带宽内的响应特性；并由驱动电路对探测器人信号进行放大输出，驱动电路是由放大电路和AD转换和信号处理及显示电路构成，探测器先接放大电路再连接AD转换、信号处理及显示电路。本发明利用微型化GaN基或AlGaN基结构微型紫外探测器对紫外射线具有带隙连续可调，适当的带宽、快的响应速度等特性，通过微型放大集成电路和微型显示输出装置直接、适时显示太阳光紫外线强度。

公开(公告)号：CN118326333A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410452509.3

申请日：2024-04-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈鹏 ,  郭庄鹏 ,  谢自力 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  刘斌 ,  赵红 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，利用同质靶材与异质靶材本身的不同生长机制，可以同时获得表面平整的AlN薄薄膜，且具有较快的生长速度，可以很好地兼容大批量低成本制备工艺。同时，采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，有利于在后续高温退火中释放再结晶应力，可以实现低应力的AlN晶体薄膜。

公开(公告)号：CN117637813A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311670062.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈鹏 ,  梁子彤 ,  殷鑫燕 ,  刘先程 ,  牛天豪 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  刘斌 ,  赵红 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了Si衬底上一种具有反向掺杂层的高耐压的横向肖特基二极管，其结构自下而上依次包括：p型Si衬底层、成核层、反向掺杂层、缓冲层、沟道层和势垒层，在沟道层和势垒层界面处产生二维电子气，在成核层与缓冲层之间还设有反向掺杂层，所述反向掺杂层为n‑GaN、n‑AlGaN或者n‑GaN/n‑AlGaN组合。本发明在成核层和缓冲层之间生长反向掺杂层，吸收从顶部扩散下来的外加电场，降低到达p型Si衬底界面的电场强度，延缓Si衬底表面反型层的出现，降低通过Si衬底出现的漏电流以及来自Si的感应电荷，专门针对Si衬底上制备的GaN基肖特基二极管器件，提高反向耐压性能；也同时降低来自Si衬底电荷的影响，提高GaN肖特基二极管的开关速度。

公开(公告)号：CN110335924B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910546752.0

申请日：2019-06-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  智婷 ,  刘斌 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  赵红 ,  张荣

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种基于非极性、半极性面的可见光通信光源及相应的图形蓝宝石衬底，选取一蓝宝石衬底加工出光栅状条形图案；在刻蚀工艺中讲台阶侧壁的角度进行优化，优化下一步的生长面角度；在此图形化蓝宝石衬底设计阻挡层，采用氧化硅薄膜作为外延阻挡层；利用化学气相外延法依次生长GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，并公开了其生长方法。本发明利用非/半极性面在Ⅲ族氮化物极化调控上的优势减弱量子限制斯托克效应的影响，增加电子‑空穴波函数在实空间上的交叠，提高载流子的辐射复合占比和速率，该方法适用于利用非极性、半极性面技术有效提高可见光通信性能。

公开(公告)号：CN109037291B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810863787.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  王丹蓓 ,  赵红 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  周玉刚 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L27/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。

公开(公告)号：CN106129204A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610627269.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  张国刚 ,  刘斌 ,  任芳芳 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  郭旭 ,  葛海雄 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。

公开(公告)号：CN102420277B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110360361.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  李烨操 ,  谢自力 ,  方贺男 ,  庄喆 ,  陈鹏 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  顾书林 ,  韩平 ,  郑有炓 ,  托马斯·科奇

IPC: H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。

公开(公告)号：CN101519772B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910030912.2

申请日：2009-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  吴军 ,  王荣华 ,  王琦 ,  于乐 ,  俞斐 ,  赵红 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  修向前 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/455

Abstract: CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。对于分解温度较高的反应源气体，在输运至石墨反应腔进气端前需对其进行加热而使其预分解，这个过程是通过在导引气体的细石英管周围配置石墨管感应件、经射频加热的方法来实现的。

公开(公告)号：CN101315881B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810124323.6

申请日：2008-06-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  严文生 ,  修向前 ,  韩平 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  赵红 ,  刘斌 ,  李弋 ,  宋黎红 ,  崔颖超 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  C23C14/28

Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10-3Torr以上；将衬底温度升至300-900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5-90帕；调整激光器频率设置为5Hz，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3-5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101714604A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910212663.9

申请日：2009-11-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  谢自力 ,  刘斌 ,  修向前 ,  华雪梅 ,  赵红 ,  傅德颐 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/08

Abstract: 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*1018cm-1；在N型GaN是依次生长蓝光波长量子阱材料，蓝绿或绿光量子阱材料和红黄光或红光量子阱材料；蓝光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.1到0.18之间；绿光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.18到0.32；红黄光或红光量子阱分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的In xGa1-xN/GaN多量子阱结构，其中x在0.32以上。本发明得到一种三色GaN基白光LED结构。