公开(公告)号：CN107622982B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710352155.5

申请日：2017-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  黄立贤 ,  苏安治 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片。第二芯片位于第一芯片与第三芯片之间。此芯片封装结构包括一第一模塑层围绕第一芯片。此芯片封装结构包括一第二模塑层围绕第二芯片。此芯片封装结构包括一第三模塑层围绕第三芯片、第一模塑层及第二模塑层。

公开(公告)号：CN113517204A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110314548.3

申请日：2021-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈明发

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16

Abstract: 封装器件包括其中具有光学部件的光学IC。包括嵌入在相应的介电材料层内的导电部件层的互连结构覆盖在光学部件上。对该互连结构进行图案化以从光学部件上方去除该互连结构，并且在该光学部件上方形成相对于所需光波长具有光学中性性能的介电材料。一个或多个电子IC可以接合到光学IC以形成集成封装件。本申请的实施例还涉及形成封装器件的方法。

公开(公告)号：CN108831870B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201810576177.4

申请日：2015-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建裕 ,  郭宏瑞 ,  黄立贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  刘重希 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

公开(公告)号：CN112582389A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011025030.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发 ,  叶松峯 ,  陈宪伟

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 封装件包括再分布结构；位于再分布结构的第一侧上的管芯封装件，该管芯封装件包括通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而连接至第二管芯的第一管芯、位于第一管芯和第二管芯上方并且围绕第一管芯的介电材料以及延伸穿过介电材料并且连接至第一管芯和再分布结构的第一孔的第一通孔；位于再分布结构的第一侧上的半导体器件包括导电连接件，其中再分布结构的第二孔接触半导体器件的导电连接件；位于再分布结构上并且围绕管芯封装件和半导体器件的第一模制材料，并且延伸穿过第一模制材料以接触再分布结构的第三通孔的封装通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件和形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN112563218A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011016394.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发 ,  陈宪伟 ,  陈洁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种半导体结构及一种半导体结构的制造方法。所述半导体结构包括集成电路组件、在侧向上包封集成电路组件的侧壁的绝缘层、设置在绝缘层及集成电路组件上的重布线结构、以及与重布线结构相对地耦合到集成电路组件的背侧的翘曲控制部分。重布线结构电连接到集成电路组件。翘曲控制部分包括衬底、设置在衬底与集成电路组件之间的图案化介电层、以及嵌入在图案化介电层中且与集成电路组件电隔离的金属图案。

公开(公告)号：CN112542394A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010994162.7

申请日：2020-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈洁 ,  陈明发

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种制造封装结构的方法。所述方法包括：通过第一接合结构将底部层封装结构接合到支撑衬底，其中底部层封装结构包含由第一绝缘密封体密封的第一半导体管芯，且第一接合结构包含堆叠的第一介电层和穿过堆叠的第一介电层的至少一个堆叠的第一导电特征；将支撑衬底放置在接地台上，使得第一半导体管芯通过至少一个堆叠的第一导电特征、支撑衬底以及接地台接地；通过第二接合结构将第二半导体管芯接合到底部层封装结构，其中第二接合结构包含堆叠的第二介电层和穿过堆叠的第二介电层的至少一个堆叠的第二导电特征；以及用第二绝缘密封体密封第二半导体管芯。本发明可增加SoIC芯片封装件的良率。

公开(公告)号：CN112530912A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201911368431.2

申请日：2019-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发 ,  史朝文 ,  陈宪伟 ,  叶松峯 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/544

Abstract: 一种封装包括载体衬底、第一管芯以及第二管芯。第一管芯包括第一接合层、与第一接合层相对的第二接合层以及嵌置于第一接合层中的对位标记。第一接合层熔融接合到载体衬底。第二管芯包括第三接合层。第三接合层混合接合到第一管芯的第二接合层。

公开(公告)号：CN110137151B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201811318517.X

申请日：2018-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发 ,  陈宪伟 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 提出了半导体器件和制造方法，其中，将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第一晶圆，并且然后分割以形成第一封装件和第二封装件。然后密封第一封装件和第二封装件以及中介层通孔，并且在密封剂上方形成再分布结构。将不同封装件接合至中介层通孔。

公开(公告)号：CN112086423A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201910822039.4

申请日：2019-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  杨庆荣 ,  陈洁

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体结构，包括衬底、内连结构、焊盘、保护层以及接合结构。内连结构设置在衬底之上。焊盘设置在内连结构之上且电连接到内连结构。焊盘的顶表面具有探针标记且探针标记具有凹表面。保护层共形地覆盖焊盘的顶表面及探针标记。接合结构设置在保护层之上。接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，第一接合金属层穿透接合介电层及保护层以电连接到焊盘。

公开(公告)号：CN111883443A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010734386.4

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  刘重希 ,  林修任 ,  陈宪伟 ,  郑明达 ,  陈威宇 ,  曹智强

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/98 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供了封装结构中的可变互连接头。一种实施例方法，包括分析第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性并且在第一封装组件上形成多个焊料膏元件。多个焊料膏元件中的每一个的体积基于第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性。方法还包括将设置在第二封装组件上的多个连接件对准第一封装件上的多个焊料膏元件，并且通过回流多个连接件和多个焊料膏元件将第二封装组件接合至第一封装组件。