公开(公告)号：CN108831870B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201810576177.4

申请日：2015-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建裕 ,  郭宏瑞 ,  黄立贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  刘重希 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

公开(公告)号：CN105428329A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510434802.8

申请日：2015-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建裕 ,  郭宏瑞 ,  黄立贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  刘重希 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/14

Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

公开(公告)号：CN108831870A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810576177.4

申请日：2015-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建裕 ,  郭宏瑞 ,  黄立贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  刘重希 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/20 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/14

Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

公开(公告)号：CN105428329B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510434802.8

申请日：2015-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建裕 ,  郭宏瑞 ,  黄立贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  刘重希 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/14

Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。