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公开(公告)号：CN106019850B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201610153625.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构，测量第二移位值。可以使用非对称照明在晶圆上形成测试结构，测试结构具有第一组图案化的子结构和第二组图案化的子结构，第一组图案化的子结构具有第一间距，第二组图案化的子结构具有与第一间距不同的第二间距。方法还包括，基于第一移位值和第二移位值之间的差值来确定用于照明系统的焦点移位补偿。
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公开(公告)号：CN106353962B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201510852193.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明提供了光刻掩模。光刻掩模包括包含低热膨胀材料(LTEM)的衬底。多层(ML)结构设置在衬底上方。ML结构配置为反射辐射。ML结构包含多个交错的膜对。每个膜对包括第一膜和第二膜。第一膜和第二膜具有不同的材料组分。每个膜对具有相应的厚度。对于多个膜对的至少一个子集，膜对的相应的厚度沿着预定方向随机地变化。本发明的实施例还涉及具有多层结构的掩模和通过使用掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN104656368B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201410677613.9
申请日：2014-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种低EUV反射率掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于第一区中的LTEM层上方的低EUV反射率(LEUVR)多层，位于第二区中的LTEM层上方的高EUV反射率(HEUVR)多层以及位于LEUVR多层和HEUVR多层上方的图案化的吸收层。本发明还涉及远紫外光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN108227396A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711038936.3
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统包括配置为生成极紫外线(EUV)光的辐射源。光刻系统包括限定集成电路(IC)的一个或多个部件的掩模。光刻系统包括配置为将EUV光引导到掩模上的照射器。掩模将EUV光衍射成0级光和多个更高级光。光刻系统包括配置为固定的晶圆的晶圆台，其中，根据由掩模限定的一个或多个部件来图案化该晶圆。光刻系统包括位于定位在掩模和晶圆台之间的光瞳面中的光瞳相位调制器。光瞳相位调制器配置为改变0级光线的相位。本发明还提供了印刷低图案密度部件的改进极紫外线光刻系统、器件及方法。
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公开(公告)号：CN104914677B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410258190.7
申请日：2014-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/72 , G03F1/24 , G03F7/701 , G03F7/70191 , G03F7/7065
Abstract: 本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。本发明也提供了制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN104916530B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510111358.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e‑束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括：显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。
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公开(公告)号：CN107452602A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710398746.6
申请日：2017-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明实施例提供了一种反射掩模的实施例，该反射掩模包括衬底；设置在衬底上的反射多层；设置在反射多层上的抗氧化阻挡层并且抗氧化阻挡层是具有小于氧直径的平均原子间距离的非晶结构；和设置在抗氧化阻挡层上并根据集成电路布局图案化的吸收层。本发明实施例涉及高耐久性极紫外光掩模。
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公开(公告)号：CN104950589B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510122477.1
申请日：2015-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/701 , G03F7/70141
Abstract: 公开了一种用于调整曝光强度来减少不期望的光刻效果的方法和系统。在一些示例性实施例中，光刻方法包括接收掩模和工件。确定照明图案相对于掩模的定向，以及根据该定向调整照明图案的强度分布。根据照明图案和强度分布将掩模暴露于辐射。利用产生自曝光掩模的辐射来曝光工件。在一些这种实施例中，强度分布包括横跨照明图案的照明的区域变化的强度。本发明还涉及通过调整曝光强度减少极不平衡的方法和系统。
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公开(公告)号：CN104049468B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410072008.9
申请日：2014-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/70141
Abstract: 本发明提供了用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法，系统和方法包括提供用于测量衬底上的第一坐标处的衬底的第一形貌高度并且测量衬底上的第二坐标处的衬底的第二形貌高度。所测量的第一和第二形貌高度可以被提供为晶圆图。然后，使用晶圆图对衬底实施曝光工艺。曝光工艺可以包括：当曝光衬底上的第一坐标时，使用第一焦点，并且当曝光衬底上的第二坐标时，使用第二焦平面。使用第一形貌高度确定第一焦点，并且使用第二形貌高度确定第二焦点。
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公开(公告)号：CN106019850A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610153625.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/7085
Abstract: 本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构，测量第二移位值。可以使用非对称照明在晶圆上形成测试结构，测试结构具有第一组图案化的子结构和第二组图案化的子结构，第一组图案化的子结构具有第一间距，第二组图案化的子结构具有与第一间距不同的第二间距。方法还包括，基于第一移位值和第二移位值之间的差值来确定用于照明系统的焦点移位补偿。
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