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公开(公告)号：CN100583474C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710143725.6
申请日：2007-08-02
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B29C45/02 , B29C45/14655 , B29K2995/0018 , B41F15/12 , B41F15/40 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2933/0041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种注入装置，其具有用于抑制荧光体含有材料M中所包含的混合物在荧光体含有材料M中混合比的偏差的荧光体含有材料温度控制部、荧光体含有材料搅拌部、荧光体含有材料余量传感器和荧光体含有材料注入量调节部。因此，能够将荧光体含有材料均匀地涂布在半导体发光元件上。
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公开(公告)号：CN100523596C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710106439.2
申请日：2007-05-29
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： F21S19/00 , H05B33/00 , H05B37/02 , G02F1/13357 , F21Y101/02 , F21Y113/00
CPC分类号： H05B33/14 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种发光装置。在使用了LED的发光装置中，LED的亮度和色度因温度变化的影响而发生较大的变化，另一方面，虽然利用荧光体能够提高亮度及色度相对于温度变化的稳定性，但是，这样将导致降低发光装置的色再现性。为解决上述问题，本发明的发光装置具备：第1LED；第2LED；第1荧光体，由上述第2LED激励并发出颜色和上述第1LED的发光色相同或近似的光；以及控制电路，对上述第1LED的发光强度和上述第2LED的发光强度之比率进行控制。
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公开(公告)号：CN101252165A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810074071.0
申请日：2008-02-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有绝缘性的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(4)而接合的金属制的反射体(5)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(4)向反射体(5)传导，从反射体(5)向外部散热。反射体(5)是金属制，所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(5)设置切削部，如果沿着该切削部切割，就能容易切割，所以不会降低成品率，能提高生产性。
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公开(公告)号：CN101082401A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710106439.2
申请日：2007-05-29
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： F21S19/00 , H05B33/00 , H05B37/02 , G02F1/13357 , F21Y101/02 , F21Y113/00
CPC分类号： H05B33/14 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种发光装置。在使用了LED的发光装置中，LED的亮度和色度因温度变化的影响而发生较大的变化，另一方面，虽然利用荧光体能够提高亮度及色度相对于温度变化的稳定性，但是，这样将导致降低发光装置的色再现性。为解决上述问题，本发明的发光装置具备：第1LED；第2LED；第1荧光体，由上述第2LED激励并发出颜色和上述第1LED的发光色相同或近似的光；以及控制电路，对上述第1LED的发光强度和上述第2LED的发光强度之比率进行控制。
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公开(公告)号：CN1320712C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1-xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1-xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ1等于36度，可以提高椭圆度。
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公开(公告)号：CN1945405A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610141466.9
申请日：2006-09-29
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G02F1/13357 , G09G3/34 , G02F1/133
摘要： 本发明提供一种用于非自发光型图像显示面板的背光灯装置。该背光灯装置具有与显示面板的显示区域对应的发光区域，通过组合多个配置了颜色传感器和红色、绿色及蓝色LED的背光灯基板来构成上述发光区域，其中，上述颜色传感器检测入射光的光量，根据上述颜色传感器的检测结果来控制上述LED的发光量。由此，可望减少在背光灯装置中发光区域整体的亮度不均。
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公开(公告)号：CN1306666C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
摘要： 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
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公开(公告)号：CN1705178A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
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公开(公告)号：CN1501557A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
摘要： 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
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