公开(公告)号：CN106077965A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610450148.4

申请日：2012-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: B23K26/364 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67207

Abstract: 本申请公开了多步骤和非对称塑形的激光束划线。提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束，在第一通量水平下剥蚀掩模和IC层以暴露基板，并且接着在第二通量水平下自沟槽底部清除再沉积的材料。一种利用分束器的激光划线装置可自单一激光提供具有不同通量的第一和第二射束。

公开(公告)号：CN103703545B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280033929.3

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛格 ,  B·伊顿 ,  A·库玛 ,  类维生 ,  J·M·霍尔登 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  T·J·伊根

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/064 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本发明描述了切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有多个集成电路。方法包括以下步骤：在半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。半导体晶圆由基板载具支撑。随后用激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露半导体晶圆在集成电路之间的区域。随后在由基板载具支撑时穿过图案化掩模中的间隙蚀刻半导体晶圆，以切割集成电路。

公开(公告)号：CN104169040B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380014729.8

申请日：2013-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/06 ,  B23K26/364 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L21/3086

Abstract: 兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有数个集成电路。方法包括形成遮罩于半导体晶圆上。遮罩由覆盖及保护集成电路的层组成。利用多步骤激光划线工艺图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化露出集成电路间的半导体晶圆区域。接着经由图案化遮罩的间隙蚀刻半导体晶圆，以单粒化集成电路。

公开(公告)号：CN105359256A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037607.5

申请日：2014-06-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  T·刘 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·伊耶 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67207

Abstract: 在实施例中，实现了涉及初始的激光划片和后续的等离子体蚀刻的混合式晶片或基板划切工艺，以进行管芯单片化。激光划片工艺可用于洁净地去除掩模层、有机和无机电介质层和器件层。随后，当暴露了或部分蚀刻了晶片或基板后，可终止激光蚀刻工艺。在实施例中，采用了混合式等离子体蚀刻方式来划切晶片，其中，在各向异性的蚀刻之后利用基于NF3和CF4的组合的等离子体进行各向同性的蚀刻来改善管芯侧壁。在管芯单片化之后，各向同性的蚀刻可从经各向异性地蚀刻的管芯侧壁去除各向异性蚀刻的副产物、粗糙度和/或扇形部。

公开(公告)号：CN104662653A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380050290.4

申请日：2013-10-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  W-S·类 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/82 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明揭示使用UV可固化黏着薄膜进行激光与等离子体蚀刻晶圆切割的方法和系统。方法包括形成遮罩以覆盖晶圆上形成的集成电路(IC)。利用UV可固化黏着薄膜使该半导体晶圆与薄膜框架接合。使该UV可固化黏着薄膜预固化以使超出晶圆边缘的黏着剂周围部分固化，以增进露出的黏着剂材料对等离子体蚀刻的抗性并减少蚀刻腔室内的碳氢化合物再沉积作用(redeposition)。使用激光划线法对该遮罩进行图案化以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案露出用于形成集成电路(IC)的多个薄膜层下方的半导体晶圆区域。贯穿该图案化遮罩中的该等间隙等离子体蚀刻该半导体晶圆而切割该等集成电路(IC)。随后使该UV可固化黏着剂的中央部分固化，并使已切割的IC脱离该薄膜。

公开(公告)号：CN103718287A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280038309.9

申请日：2012-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  A·伊耶

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/083 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K37/047 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述切割各具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集成电路之间所述半导体晶圆的区域。之后，透过经图案化的掩模上的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。

公开(公告)号：CN103703545A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280033929.3

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛格 ,  B·伊顿 ,  A·库玛 ,  类维生 ,  J·M·霍尔登 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  T·J·伊根

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/064 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本发明描述了切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有多个集成电路。方法包括以下步骤：在半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。半导体晶圆由基板载具支撑。随后用激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露半导体晶圆在集成电路之间的区域。随后在由基板载具支撑时穿过图案化掩模中的间隙蚀刻半导体晶圆，以切割集成电路。

公开(公告)号：CN117242399A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280031283.9

申请日：2022-04-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·Y·B·梁 ,  M·R·钱德拉赫德 ,  M·R·亚拉曼希里

IPC: G03F1/80

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括形成含氟前驱物的等离子体以产生等离子体流出物。可在形成等离子体的同时施加第一偏压频率。所述方法可包括使容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板与等离子体流出物接触。基板可以是或包括光掩模。所述方法可包括蚀刻光掩模的第一层。蚀刻光掩模的第一层可暴露光掩模的第二层。所述方法可包括将第一偏压频率调节到第二偏压频率，同时维持含氟前驱物的等离子体。所述方法可包括蚀刻光掩模的第二层。

公开(公告)号：CN105428281B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510982784.7

申请日：2011-06-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/308

Abstract: 本申请公开了使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割。本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的一经图案化的掩模。所述图案化曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。

公开(公告)号：CN104246986B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201380021247.5

申请日：2013-04-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  M·K·乔杜里 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

Abstract: 兹描述使用UV‑可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割。在实例中，本发明的方法包括以下步骤：形成掩模于半导体晶圆上。半导体晶圆利用UV‑可硬化黏着膜耦接至承载基板。掩模覆盖及保护集成电路。以激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路之间的半导体晶圆区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶圆，以形成单粒化集成电路。接着以紫外(UV)光照射UV‑可硬化黏着膜。接着自承载基板取下单粒化集成电路。