公开(公告)号：CN104662653A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380050290.4

申请日：2013-10-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  W-S·类 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/82 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明揭示使用UV可固化黏着薄膜进行激光与等离子体蚀刻晶圆切割的方法和系统。方法包括形成遮罩以覆盖晶圆上形成的集成电路(IC)。利用UV可固化黏着薄膜使该半导体晶圆与薄膜框架接合。使该UV可固化黏着薄膜预固化以使超出晶圆边缘的黏着剂周围部分固化，以增进露出的黏着剂材料对等离子体蚀刻的抗性并减少蚀刻腔室内的碳氢化合物再沉积作用(redeposition)。使用激光划线法对该遮罩进行图案化以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案露出用于形成集成电路(IC)的多个薄膜层下方的半导体晶圆区域。贯穿该图案化遮罩中的该等间隙等离子体蚀刻该半导体晶圆而切割该等集成电路(IC)。随后使该UV可固化黏着剂的中央部分固化，并使已切割的IC脱离该薄膜。

公开(公告)号：CN104246986B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201380021247.5

申请日：2013-04-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  M·K·乔杜里 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

Abstract: 兹描述使用UV‑可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割。在实例中，本发明的方法包括以下步骤：形成掩模于半导体晶圆上。半导体晶圆利用UV‑可硬化黏着膜耦接至承载基板。掩模覆盖及保护集成电路。以激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路之间的半导体晶圆区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶圆，以形成单粒化集成电路。接着以紫外(UV)光照射UV‑可硬化黏着膜。接着自承载基板取下单粒化集成电路。

公开(公告)号：CN104246986A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021247.5

申请日：2013-04-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  M·K·乔杜里 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明描述使用UV-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割。在实例中，本发明的方法包括以下步骤：形成掩模于半导体晶圆上。半导体晶圆利用UV-可硬化黏着膜耦接至承载基板。掩模覆盖及保护集成电路。以激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路之间的半导体晶圆区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶圆，以形成单粒化集成电路。接着以紫外(UV)光照射UV-可硬化黏着膜。接着自承载基板取下单粒化集成电路。

公开(公告)号：CN104395988A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033868.5

申请日：2013-06-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  B·伊顿 ,  T·伊根 ,  A·库玛 ,  W-S·类 ,  M·R·亚拉曼希里

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/82

Abstract: 本文描述了用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽。在实例中，一种切割具有数个具有凸块或立柱的集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在半导体晶圆之上均匀地旋涂遮罩，该遮罩由覆盖及保护集成电路的层所组成。然后，利用激光划割工艺图案化该遮罩，以提供具有间隙的已图案化遮罩，从而曝露集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后，经由已图案化遮罩中的间隙蚀刻半导体晶圆，以分割集成电路。

公开(公告)号：CN104380437A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380031988.1

申请日：2013-06-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  W-S·类 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67155 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/18 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  B23K26/06 ,  B23K2103/16

Abstract: 本发明揭示使用UV可固化胶膜进行激光与等离子体蚀刻的晶圆切割法。形成掩模以覆盖该些形成在晶圆上的集成电路(IC)和任何用于为IC提供连接界面的凸块。利用双面UV可固化胶膜使该半导体晶圆与载体基板耦合。利用激光划线法对该掩模进行图案化以提供具有缝隙的图案化掩模。该图案暴露出位在多个薄膜层(该等薄膜层形成集成电路)下方之该半导体晶圆的多个区域。随后通过该图案化掩模中的缝隙而蚀刻该半导体晶圆以切割该等IC。利用UV照射穿过该载体使该UV可固化胶膜部分固化。接着例如利用取放机个别地使该等已切割的IC脱离该部分固化的胶膜，且该部分固化的胶膜仍附着于该载体基板。随后可进一步固化该UV可固化胶膜以从该载体基板上完全去除该膜。