公开(公告)号：CN110344024A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910274732.2

申请日：2019-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。

公开(公告)号：CN107548518A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201680025809.7

申请日：2016-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·拉维德 ,  T·J·伊根 ,  E·韦斯 ,  M·R·赖斯 ,  L·克莱蒙曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: G05B19/402 ,  G05B2219/39157 ,  G05B2219/40572

Abstract: 在多个工艺条件下用于在反应器腔室内晶片定位的校准的光学校准方法和设备采用在腔室的盖中的相机阵列，使用晶片边缘的多个图像，以相对于参考特征而定位晶片。

公开(公告)号：CN103021908B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210396242.8

申请日：2006-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 于第一实施方式中，本发明提供用于半导体元件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁，可界定适于容设机械臂的中心传送区；(2)数个面，形成于该侧壁上，各适于耦接至处理室；以及(3)延伸面，形成于该侧壁上，可让该主机能耦接到至少四个全尺寸处理室，同时提供该主机的维护进出口。本发明亦揭示其它多种实施方式。

公开(公告)号：CN101341574B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200680048123.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 于第一实施方式中，本发明提供用于半导体元件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁，可界定适于容设机械臂的中心传送区；(2)数个面，形成于该侧壁上，各适于耦接至处理室；以及(3)延伸面，形成于该侧壁上，可让该主机能耦接到至少四个全尺寸处理室，同时提供该主机的维护进出口。本发明亦揭示其它多种实施方式。

公开(公告)号：CN117043909A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280017739.6

申请日：2022-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯 ,  K·S·柯林斯 ,  J·D·卡达希 ,  S·拉乌夫 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种基板支撑件包括：介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于给定直径的内径和大于给定直径的外径，其中所述介电板包括夹持电极；插入环，所述插入环设置在介电板的环形凹槽中；以及边缘环，所述边缘环设置在介电板上，其中所述边缘环具有大于给定直径并且小于环形凹槽的外径的内径，使得所述边缘环设置在插入环的一部分上方。

公开(公告)号：CN116110846A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310233773.3

申请日：2016-12-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯 ,  Y·萨罗德维舍瓦纳斯 ,  S·斯里尼瓦杉 ,  R·丁德萨 ,  S·E·巴巴扬 ,  O·卢艾莱 ,  D·M·库萨 ,  I·尤瑟夫

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。

公开(公告)号：CN108369922B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201680067775.8

申请日：2016-12-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯 ,  Y·萨罗德维舍瓦纳斯 ,  S·斯里尼瓦杉 ,  R·丁德萨 ,  S·E·巴巴扬 ,  O·卢艾莱 ,  D·M·库萨 ,  I·尤瑟夫

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。

公开(公告)号：CN111164735B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201880064341.1

申请日：2018-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  D·芬威克 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 物件包含具有涂层的主体。涂层包含具有O/F摩尔比的M‑O‑F涂层，此可就物件接触的后续将来处理定制。

公开(公告)号：CN110382443A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015648.2

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·Y·孙 ,  詹国栋 ,  D·芬威克 ,  M·R·赖斯

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B35/515 ,  C04B35/48 ,  C04B35/553 ,  C04B35/632 ,  C04B35/626

Abstract: 本文公开了用于通过热压制造层状陶瓷材料的方法。一种方法包括以下步骤：将粉末压块或陶瓷浆料设置于制品的表面上，其中制品为处理腔室的腔室部件。通过以下步骤，抵靠制品的表面热压粉末压块或陶瓷浆料：加热制品和粉末压块或陶瓷浆料，并施加15至100百万帕斯卡的压力。热压将粉末压块或陶瓷浆料烧结成烧结陶瓷保护层，并将烧结陶瓷保护层接合至制品的表面。

公开(公告)号：CN109075059A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084797.5

申请日：2016-12-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  K·拉马斯瓦米 ,  M·R·赖斯 ,  R·C·福韦尔 ,  V·D·帕科

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。