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公开(公告)号：CN115148433A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210683758.4
申请日：2022-06-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种提升F基氧化钒刻蚀形貌的方法，包括如下步骤：将待刻蚀产品置于预设腔体中，待刻蚀产品包括衬底、覆盖在衬底表面的氧化钒薄膜以及覆盖在氧化钒薄膜表面的掩蔽层；将预设腔体的温度调节至预设温度，并向预设腔体中充入刻蚀气体，刻蚀气体包括四氟化碳和含氢的碳氟气体；利用第一预设射频波使刻蚀气体形成等离子体；利用第二预设射频波使等离子体沿预设方向轰击所述掩蔽层未遮挡部分的氧化钒薄膜，形成刻蚀槽。本申请提供的提升F基氧化钒刻蚀形貌的方法通过在刻蚀工艺中加入含氢的碳氟气体来提升氧化钒刻蚀形貌，使得侧壁的刻蚀大幅度降低，加工产生的刻蚀侧壁能形成86度～90度的夹角，上述方法可以提高加工良品率。
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公开(公告)号：CN113948400A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111205628.1
申请日：2021-10-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/4757
Abstract: 本发明公开了一种提升氧化钒刻蚀形貌的工艺方法，针对F基在与氧化钒反应中形成化合物并且产生聚集现象，使深入到氧化钒内部的F基与周围的氧化钒产生反应而导致产生形状为圆弧形的刻蚀沟，导致良品率的下降的问题，提供了以下技术方案，包括刻气体增压装置、蚀反应腔室、衬底、沉降在衬底上的氧化钒薄膜，还包括分子泵，热交换器、射频电源和交射频发生器，刻蚀反应腔室中通入CL气并维持一定压力（一般为5~20mt），刻蚀工艺方法有步骤，首先对CL气进行电离，然后使电离后的带电离子体在交射频发生器的作用下形成双螺旋涡流并且向氧化钒薄膜的指定范围移动，经刻蚀使氧化钒薄膜形成的侧壁与衬底的夹角在85°～90°之间。
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公开(公告)号：CN113930724A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111205635.1
申请日：2021-10-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备，针对的问题，提供了以下技术方案，设备包括密封腔体，用于抽取真空，作为进行磁控溅射的环境；载片台，设置于密封腔体内；遮挡屏蔽件，设置于载片台和磁控溅射组件之间；移动部，与遮挡屏蔽件固定连接；控制器，与移动部电性连接；电压传感器，与磁控溅射组件和控制器电性连接。方法包括电压传感器检测磁控溅射组件的溅射电压，当溅射电压与设定电压一致时，电压传感器发送电信号至控制器，由控制器控制移动部带动遮挡屏蔽件移动，遮挡射向基片的靶材物质；当溅射电压与设定电压一致时，取消遮挡射向基片的靶材物质，便于使基片得到的氧化钒薄膜的成分更单一，提高质量。
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公开(公告)号：CN119243101A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411319248.4
申请日：2024-09-22
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了提高等离子体均匀性的磁控溅射装置及方法，包括：工作腔，背板，设于所述工作腔内的一侧；载台，设于所述工作腔内的另一侧；至少一组线圈组件，任一组所述线圈组件包括：第一线圈组件；第二线圈组件，所述第二线圈组件和所述第一线圈组件沿任一方向间隔、且平行设置、投影重合，所述第一线圈组件与所述第二线圈组件之间形成磁场轨道；所述背板和/或所述载台设于所述磁场轨道中。本发明实施例能够在靶材和晶圆之间形成的等离子体趋向于均匀分布，既能够提升靶材溅射均匀性，提升靶材利用率，在填孔或槽时，使得晶圆圆心附近和边缘处的微孔或沟槽的台阶覆盖率越趋于一致，提升晶圆的生产良率和可靠性，结构简单，降低成本。
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公开(公告)号：CN118957526A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411422142.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种完全非对称式PVD磁控器及镀膜试验方法，完全非对称式PVD磁控器包括上安装盘，经所述上安装盘直径的其中两条直线分别配置为第一直线和第二直线，所述第一直线与所述第二直线互相垂直；下安装盘，位于第一直线的一侧、相对于第二直线镜像对称；若干磁铁，分别布置在所述下安装盘靠近上安装盘的侧面上；配重块，位于第一直线的另一侧、与所述上安装盘相连接，所述配重块相对于第二直线镜像对称；移动件，用于驱动所述下安装盘沿所述第二直线移动，以使得所述磁控组件靠近或远离所述回转中心；镀膜试验方法使用完全非对称式PVD磁控器来实现，利用下安装盘、磁铁、配重块和移动块的配合解决侧壁台阶镀膜偏边问题。
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公开(公告)号：CN118957524A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411266655.3
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明磁控溅射设备中的等离子体发生装置，包括腔体，腔体内从下至上依次设置有载台、靶材、电磁铁；电磁铁置于固定板上，固定板上开设有多圈通孔，每圈通孔包括均匀设置的多个通孔，通孔内设置有电磁铁；一个和/或多个电磁铁输入相同的电流，本发明中等离子体发生装置，可以采用平面靶材或特殊靶材进行溅射，通过对靶材背面的多个电磁铁选择性地进行通电，采用合适的磁控溅射工艺，可以实现膜厚均匀性提升；在靶材寿命周期内，定期地移动电磁铁，径向调整位置，可以将靶材溅射时背面的磁场强度作相应改变，即原本高溅射率区域的磁场强度降低、低溅射率区域的磁场强度升高，使得靶材各处的溅射程度得以平衡，靶材利用率大幅提升。
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公开(公告)号：CN118431119B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410759715.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多功能晶圆处理装置，包括反应腔、收容腔、载台、线圈和靶材，靶材具有第一工作位置时和第二工作位置；使得靶材处于收容腔内，进行晶圆刻蚀时，靶材远离反应区域、不会被污染物附着；使得靶材处于反应腔内，进行晶圆镀膜时，靶材可实现反应气体的电离和金属原子的供给；本申请提供的多功能晶圆处理装置通过在反应腔内布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性、以便于适应多种生产线的工艺需求，还能够降低使用成本；通过设置靶材具有两个不同的工作位置，刻蚀过程中转移靶材能够避免靶材沾附污染物，从而确保两种工艺的可靠进行。
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公开(公告)号：CN118841310A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411323816.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种交替式静电吸附刻蚀装置及刻蚀方法，刻蚀装置包括：刻蚀腔、清洁腔、第一静电吸盘、第二静电吸盘、交替驱动组件和清洁机构，清洁腔连通刻蚀腔，交替驱动组件能够驱使第一静电吸盘和第二静电吸盘在刻蚀腔和清洁腔之间交替运动；在刻蚀腔内，静电吸盘能够吸附刻蚀产生的杂质颗粒，从而保证刻蚀环境的清洁、提高晶圆的刻蚀效果；在清洁腔内，清洁机构能够清理静电吸盘上的杂质颗粒，以便于静电吸盘再次使用；通过设置两组静电吸盘、并使得两组静电吸盘能够交换工位，有利于不停机连续工作、从而提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118431119A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410759715.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多功能晶圆处理装置，包括反应腔、收容腔、载台、线圈和靶材，靶材具有第一工作位置时和第二工作位置；使得靶材处于收容腔内，进行晶圆刻蚀时，靶材远离反应区域、不会被污染物附着；使得靶材处于反应腔内，进行晶圆镀膜时，靶材可实现反应气体的电离和金属原子的供给；本申请提供的多功能晶圆处理装置通过在反应腔内布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性、以便于适应多种生产线的工艺需求，还能够降低使用成本；通过设置靶材具有两个不同的工作位置，刻蚀过程中转移靶材能够避免靶材沾附污染物，从而确保两种工艺的可靠进行。
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公开(公告)号：CN118028754A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410426325.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁控溅射晶圆处理装置，包括反应内腔、载台、加热机构、第一升降机构、靶材、下遮件和上遮件，反应内腔包括上腔体、下腔体和第二升降机构，上腔体中设有第一冷却通道，载台中设有第二冷却通道；通过上遮件和下遮件配合，能够全面地阻止金属原子向下沉积，保证腔内清洁；配合可活动的上腔体和下腔体，即使出现腔壁沉积金属原子的情况，也只需要对上腔体进行处理，方便便捷；进一步配合第一冷却通道和第二冷却通道，能够针对性地对易接触金属原子、易升温的部位进行降温，从而对晶圆进行可靠的温控，确保晶圆维持在目标设定温度，进而保证成膜质量、沉积速率和方块电阻均匀性。
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