公开(公告)号：CN1170316C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN00106251.4

申请日：2000-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 半导体装置及制法是在形成在半导体基板上的第1和第2场效应管上堆积第1保护绝缘膜，在该第1保护绝缘膜形成电容下部电极、由绝缘性金属氧化膜构成电容绝缘膜以及电容上部电极构成的电容元件。电容下部电极和第1场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第1导电芯柱连接，电容上部电极和第2场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第2导电芯柱连接。该装置能防止电容绝缘膜的还原和电容元件的特性变化。

公开(公告)号：CN1345088A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN101976684B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101675579B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200880014850.X

申请日：2008-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森本笃史 ,  白石松夫 ,  石川晃一 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/12 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M3/1582 ,  H02M7/219

Abstract: 本发明公开了一种包括双向开关(2)的功率转换电路。该双向开关(2)具有第一栅端子(G1)、第二栅端子(G2)、第一欧姆端子(S1)以及第二欧姆端子(S2)。该双向开关(2)具有四种工作状态。在第一状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阴极、第二欧姆端子(S2)一侧为阳极的二极管工作；在第二状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阳极、第二欧姆端子(S2)一侧为阴极的二极管工作；在第三状态下，第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间不经由二极管双向导通；在第四状态下，将第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间的双向电流切断。

公开(公告)号：CN102318048A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156615.0

申请日：2009-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  森田竜夫 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/337 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：形成在基板(101)上的半导体层层叠体(105)、空出间隔地形成在半导体层层叠体(105)上的第一欧姆电极(111)及第二欧姆电极(113)、形成在第一欧姆电极(111)与第二欧姆电极(113)之间的第一控制层(117)、形成在第一控制层(117)上的第一栅电极(115)。第一控制层(117)具有：下层(117a)、形成在下层(117a)上且杂质浓度比下层(117a)的杂质浓度低的中层(117b)、形成在中层(117b)上且杂质浓度比中层(117b)的杂质浓度高的上层(117c)。

公开(公告)号：CN101675579A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014850.X

申请日：2008-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森本笃史 ,  白石松夫 ,  石川晃一 ,  森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/12 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M3/1582 ,  H02M7/219

Abstract: 本发明公开了一种包括双向开关(2)的功率转换电路。该双向开关(2)具有第一栅端子(G1)、第二栅端子(G2)、第一欧姆端子(S1)以及第二欧姆端子(S2)。该双向开关(2)具有四种工作状态。在第一状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阴极、第二欧姆端子(S2)一侧为阳极的二极管工作；在第二状态下，作为第一欧姆端子(S1)一侧为阳极、第二欧姆端子(S2)一侧为阴极的二极管工作；在第三状态下，第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间不经由二极管双向导通；在第四状态下，将第一欧姆端子(S1)和第二欧姆端子(S2)之间的双向电流切断。

公开(公告)号：CN100539196C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III-V族氮化物半导体构成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1750273A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III－V族氮化物半导体构成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1638149A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103700.X

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  田中毅 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/41 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/8128

Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。

公开(公告)号：CN1159759C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN96110805.3

申请日：1996-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田明浩 ,  长野能久 ,  那须彻 ,  有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第1绝缘膜的工序、在该第1绝缘膜上热处理形成第2绝缘膜的工序，以及在该第2绝缘膜上形成由金属模或导电性氧化膜构成的第2电极的工序。