公开(公告)号：CN119013789A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380027455.X

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/14 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种包括微小的晶体管的半导体装置。提供一种包括晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口，第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。

公开(公告)号：CN118748210A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410756119.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：CN117917186A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280060522.3

申请日：2022-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 片山雅博 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  江口晋吾 ,  中村太纪 ,  楠纮慈 ,  吉住健辅

IPC: H05B33/26 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：层叠有多个发光层的第一发光器件和层叠有多个发光层的第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第一布线层在俯视时具有格子形状。

公开(公告)号：CN115241045A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210902715.0

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN113016090A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980072751.5

申请日：2019-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、金属氧化物层及导电层。半导体层、第二绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在第一绝缘层上。第二绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，导电层及金属氧化物层的端部位于第二绝缘层的端部的内侧。第三绝缘层与第一绝缘层的顶面、半导体层的顶面及侧面、第二绝缘层的顶面及侧面、金属氧化物层的侧面以及导电层的顶面及侧面接触。半导体层具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与第一绝缘层及金属氧化物层重叠。第二区域夹持第一区域且与第二绝缘层重叠而不与金属氧化物层重叠。第三区域夹持第一区域及一对第二区域且不与第二绝缘层重叠。第三区域与第三绝缘层接触并具有其电阻低于第一区域的部分。第二区域具有其电阻高于第三区域的部分。

公开(公告)号：CN112997235A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980073880.6

申请日：2019-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德 ,  黑崎大辅 ,  中田昌孝

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。

公开(公告)号：CN112038410A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010813126.6

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  岛行德 ,  保坂泰靖

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极，氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜包括其In的原子个数比大于M（M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的原子个数比的第一区域，第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域，第二区域包括薄于第一区域的部分。

公开(公告)号：CN111446259A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911299399.7

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN111129039A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911375684.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN108987416A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810760315.4

申请日：2013-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248

Abstract: 本公开涉及显示装置及具有该显示装置的电子设备。显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。