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公开(公告)号：CN118841414A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410498006.X
申请日：2024-04-24
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 本文公开了低电容多晶硅可控整流器(SCR)。在某些实施例中，SCR包括在基板中彼此相邻形成的n型阱(NW)和p型阱(PW)。SCR还包括有源区，该有源区包括在NW之上并连接到SCR的阳极端子的p型有源(p+)鳍区，以及在PW之上并连接到SCR的阴极端子的n型有源(n+)鳍区。SCR还包括在PW和NW上的多晶硅栅极区，其用于分离有源区，同时还提高响应于快速过应力瞬变的SCR的导通速度。
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公开(公告)号：CN107104102B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201710097800.3
申请日：2017-02-23
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 公开了化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法。本文提供了用于化合物半导体保护钳位器的装置和方法。在某些配置中，化合物半导体保护钳位器包括电阻器‑电容器(RC)触发网络和金属‑半导体场效应晶体管(MESFET)钳位器。RC触发网络检测ESD/EOS事件何时存在于第一节点和第二节点之间，并且响应于检测到ESD/EOS事件而激活MESFET钳位器。当MESFET钳位器被激活时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供低阻抗路径，从而提供ESD/EOS保护。当被禁用时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供高阻抗，并且因此以低泄漏电流和小静态功率耗散操作。
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公开(公告)号：CN107645157B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710587986.0
申请日：2017-07-19
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明提供了具有瞬态激活和激活释放控制的高电压钳位装置。公开了一种集成电路，包括：电连接在第一节点和第二节点之间的钳位装置，其中钳位装置由钳位激活信号选择性地启动；被配置为基于第一节点的电压产生隔离电压的隔离电路；和有源钳位控制电路，包括：被配置为基于隔离电压来检测第一节点处的瞬态过应力事件的存在的触发电路，其中触发电路激活调节电压以响应检测到瞬态过应力事件的存在；和被配置为通过控制钳位激活信号来控制钳位装置的激活和释放的逻辑电路，其中逻辑电路被配置为从调节电压接收功率。
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公开(公告)号：CN109713916A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811256259.7
申请日：2018-10-26
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 本公开涉及通过控制信号放大控硅整流器动态触发和关断。提供通过控硅整流器(SCR)触发放大控制的电过应力保护。在某些配置中，过应力保护电路包括用于检测接口的第一垫盘和第二垫盘之间是否存在过应力事件的控制电路，以及电连接在第一垫盘和第二垫盘之间的放电电路。由控制电路选择性地激活。该接口对应于集成电路(IC)，片上系统(SoC)或系统级封装(SiP)的电子接口。放电电路包括第一较小的SCR和第二较大的SCR。响应于检测到过应力事件，控制电路激活较小的SCR，SCR又激活较大的SCR以在第一垫盘和第二垫盘之间提供夹紧。
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公开(公告)号：CN107527879A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710472186.4
申请日：2017-06-21
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 提供用于有源控制的触发和锁存释放晶闸管的设备和方法。在某些构造中，有源控制的保护电路包括：过电压传感电路、在信号节点和放电节点之间电连接的晶闸管或硅控整流器(SCR)、以及有源触发和锁存释放电路。过电压传感电路基于信号节点的电压控制虚拟供电节点的电压，并且有源触发和锁存释放电路基于虚拟供电节点的电压检测信号节点处瞬态过应力事件的存在。有源触发和锁存释放电路提供一个或多个触发信号至SCR以控制SCR的激活电压，并且有源触发和锁存释放电路基于是否检测到瞬态过应力事件来激活或失活一个或多个触发信号。
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公开(公告)号：CN103681630B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310411055.7
申请日：2013-09-11
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/60 , H01L23/50 , H01L23/62 , H01L25/0655 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本公开涉及用于多芯片模块和系统级封装的过压保护。在一个实施方案中，一种装置包括封装，所述封装包围至少第一集成电路小片和第二集成电路小片。所述第一集成电路小片附接至所述封装并且包括一个或多个电气过应力/静电放电(EOS/ESD)保护电路。所述第二集成电路小片附接至所述封装，并且电连接至所述第一集成电路小片，以使得所述第二集成电路小片中的至少一个部件由所述第一集成电路小片保护以免发生EOS/ESD。
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公开(公告)号：CN103887304A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310697902.0
申请日：2013-12-18
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L27/0255
摘要： 提供了用于单片数据转换接口保护的设备和方法。在具体实施方式中，保护装置包括用于在信号节点和电源高节点之间提供保护的第一硅控整流器(SCR)和第一二极管，用于在信号节点和电源低节点之间提供保护的第二SCR和第二二极管，以及用于在电源高节点和电源低节点之间提供保护的第三SCR和第三二极管。SCR和二极管结构集成在公共电路布局中，由此在结构间共用某些阱和有源区域。按照这样的方式配置保护装置使得能够利用单个单元实现原位的输入/输出接口保护。保护装置适合于亚3V操作下的单片数据转换接口保护。
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公开(公告)号：CN103887303A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310697753.8
申请日：2013-12-18
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了参考单电源的信号IO保护装置。在具体实施方式中，保护装置包括第一硅控整流器(SCR)和第一二极管，用于在信号节点和诸如电源低网络或电源高网络之类的电源网络之间提供保护。SCR和二极管结构集成在公共电路布局中，以便在结构之间共用具体阱和有源区域。在其它实施方式中，保护装置包括第一和第二SCR，用于在信号节点和电源低网络之间或信号节点和电源高网络之间提供保护，SCR结构集成在公共电路布局中。保护装置适合于亚3V操作下对单个电源的单个单元数据转换接口保护。
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公开(公告)号：CN103681658A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310436970.1
申请日：2013-09-24
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778 , H01L21/82 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7786
摘要： 本公开涉及双向异质结化合物半导体保护装置及其形成方法。包括多栅高电子迁移率晶体管(HEMT)、正向传导控制块和反向传导控制块的保护电路被布置在第一终端和第二终端之间。多栅HEMT包括明确的漏极/源极、第一耗尽模式(D-模式)栅极、第一增强模式(E-模式)栅极、第二E-模式栅极、第二D-模式栅极以及明确的源极/漏极。漏极/源极和第一D-模式栅极被连接至第一终端和源极/漏极，第二D-模式栅极被连接至第二终端。正向传导控制块在第一和第二终端之间的电压差大于正向传导触发电压时使得第二E-模式栅极导通，反向传导控制块在电压差比反向传导触发电压更负时使得第一E-模式栅极导通。
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公开(公告)号：CN103681657A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310436506.2
申请日：2013-09-24
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778 , H01L21/82 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7783
摘要： 本公开涉及异质结化合物半导体保护夹及其形成方法。保护夹被布置在第一终端与第二终端之间，并包括多栅高电子迁移率晶体管（HEMT）、限流电路以及正向触发控制电路。多栅HEMT包括漏极/源极、源极/漏极、第一耗尽模式（D-模式）栅极、第二D-模式栅极以及布置在第一和第二D-模式栅极之间的增强模式（E-模式）栅极。漏极/源极和第一D-模式栅极连接至第一终端，源极/漏极和第二D-模式栅极连接至第二终端。正向触发控制电路和限流电路分别耦接在E-模式栅极与第一和第二终端之间。正向触发控制电路在第一终端的电压比第二终端的电压高正向触发电压时向E-模式栅极提供激活电压。
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