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公开(公告)号：CN110487186A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910784773.6
申请日：2019-08-23
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明涉及光纤传感测距技术领域，具体涉及一种灵敏度高的光纤测距装置由第一激光器，第二激光器、第一聚光准直透镜，成像透镜，第二聚光准直透镜、第一发送光纤，第二发送光纤、第一接收光纤，第二接收光纤、滤光分光镜、第二光电接收器，第一光电接收器组成，频率调制后的第一激光器和第二激光器分别发出相近波长激光，分别通过第一准直聚焦透镜和第二准直聚焦透镜进入第一发送光纤和第二发送光纤内，第一发送光纤的出光经滤光分光镜全透射，第二发送光纤的光经滤光分光镜全反射，透射光和反射光均通过成像透镜出射于被测物体上，经被测物体反射后原路返回，分别被第一光电接收器和第二光电接收器接收，成像透镜将第一发送光纤和第二发送光纤的端面成像在被测物体前。
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公开(公告)号：CN107883912B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201711116481.2
申请日：2017-11-13
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01B21/20
摘要： 本发明涉及光学加工与测量技术领域，具体涉及一种大口径轴对称非球面测试方法及装置。其实现大口径非球面的精确测量，可将探针式接触测量设备的测量量程增大80%，实现大口径光学表面的检测测量。本发明采用探针式轮廓仪进行表面轮廓测量时，测针在测量杆的带动下沿非球面表面做横向运动，随零件表面轮廓的形状进行纵向扫描，从而改变了测量光路与参考光路之间的光程差，使干涉条纹发生移动，对测量结果进行分析，得到非球面的测量偏差数据，实现了大口径零件的检测和分析。
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公开(公告)号：CN105607173B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610007844.8
申请日：2016-01-07
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G02B5/20
摘要： 本发明涉及光能量衰减光学元件制造领域，具体涉及一种圆形径向渐变中性密度滤光片及其制备方法和装置。解决了目前圆形渐变密度滤光片透射率只能在0‑270°扇形区域内沿极坐标角度方向线性变化，而不能在径向渐变的问题，实现了光通量在圆形滤光片径向上的线性递增和线性递减变化，基片上透射率沿半径方向线性渐变的功能。本发明滤光片依次包括基片和镀制在其上的膜层，膜层为金属铬(Cr)或Ni‑Cr，制备方法采用电子束热蒸发技术或磁控溅射技术制备金属Cr或Ni‑Cr薄膜，其中的关键是实现圆形基片上透射率在径向上的线性渐变需要一种专用的装置，所述装置包括，真空室，可旋转的基片架，与基片旋转轴同轴且固定不动的圆形遮挡板，以及蒸发源。
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公开(公告)号：CN104991426B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510491702.9
申请日：2015-08-12
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台，所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上，所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上，所述辅助曝光光阑上设置有开孔，所述基片旋转台上设置有第一读数指针，并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘，所述基片吸盘中心设置有抽气孔。本发明结构简单合理，便于基片安装调整，能够实现基片不同位置的单、多次曝光，提高多次曝光的重合度，调整无需碰触基片，减少基片污损概率，辅助曝光光阑更换方便，适用于不同的需求。
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公开(公告)号：CN104991426A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510491702.9
申请日：2015-08-12
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台，所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上，所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上，所述辅助曝光光阑上设置有开孔，所述基片旋转台上设置有第一读数指针，并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘，所述基片吸盘中心设置有抽气孔。本发明结构简单合理，便于基片安装调整，能够实现基片不同位置的单、多次曝光，提高多次曝光的重合度，调整无需碰触基片，减少基片污损概率，辅助曝光光阑更换方便，适用于不同的需求。
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公开(公告)号：CN106342212B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810075358.5
申请日：2008-04-24
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01N21/47
摘要： 一种高反射镜激光背散射测量装置，属激光陀螺测试领域。对激光进行分光，对反射光实时检测获得激光功率的波动信息送锁相放大器的差动端以便扣除光源波动对测量值的影响；对透射光进行调制、光学元件调整后，以可调角度入射到被测高反射镜表面，反射光被陷光器吸收，以入射光为光轴的背向散射光通过一小孔立体角被积分球收集，并转换为电信号送锁相放大器差动端之二，经锁相放大处理送计算机。被测样品随计算机控制的电控台运动完成不同点的背散射光强测量，获得二维分布图。解决了微弱背散射光强难测量的问题。实现了高反射镜激光背散射的精确测量和自动测量，也可测量其它用途高反射镜或超光滑表面背向散射。可广泛用于激光陀螺生产和科研。
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公开(公告)号：CN101348897B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810150947.5
申请日：2008-09-12
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明涉及一种磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本发明的一种磁约束磁控溅射方法，是在溅射靶的表面上方空间形成一个总体方向平行于靶面的磁约束磁场，利用该方法所制造磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。其可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。
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公开(公告)号：CN114415317B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210075178.7
申请日：2022-01-22
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G02B7/00
摘要： 本发明公开了一种自由曲面光学元件定位方法和装置，是一种方便、易实施、精度高、非接触的自由曲面光学元件定位方法和装置。装置包括机座和自由曲面光学元件定位光路，将自由曲面光学元件放置于机座上，根据利用自由曲面光学元件定位光路产生的光斑进行自由曲面光学元件的位置调整，实现定位。采用本发明方法可以实现加工、检测甚至后续装调基准的统一，实现自由曲面光学元件高精度加工、检测、装调基准的一致性控制，保证最终的光学系统性能。
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公开(公告)号：CN115322423A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211039449.X
申请日：2022-08-29
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明涉及一种蛋清薄膜及可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备方法。蛋清薄膜的制备包括蛋清前驱液的制备；基片清洗与表面活化；蛋清薄膜的制备。可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备包括醇基高k氧化物前驱液与水基TMOS前驱液的制备；蛋清薄膜的表面活化；醇基高k氧化物薄膜的制备；醇基高k氧化物薄膜的表面活化；水基TMOS薄膜的制备；源、漏电极的制备。本发明一方面获得大面积均匀的高k蛋清薄膜，另一方面借助醇基高k氧化物薄膜提高蛋清薄膜与水基TMOS薄膜间的制备兼容性，实现基于蛋清薄膜‑高k氧化物薄膜‑TMOS薄膜的全溶液可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备，该薄膜晶体管展现出生物兼容、可降解、低成本、低温制备，低压驱动、低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN112447473B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910807901.4
申请日：2019-08-29
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式，可形成高密度大面积的等离子体，利用该装置耦合正交磁场的定向移动，可驱动等离子体产生定向的运动，实现光学元件表面由线及面的加工。引入活性气体被电离激发，利用真空系统固有的气体分配器所产生的流导场，引导自由基作用于工件表面，亦会带来材料刻蚀效率的提高。而通过射频电场的参数（如功率等），磁场的参数（如各磁极大小的变化，包括平衡和非平衡模式以及磁极定向移动的速度等），以及气体相关参数（包括气体的种类，流量和压力等），可对等离子体的种类，密度和分布进行精确的调控，实现了光学元件表面的高效率大面积等离子体抛光。
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