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公开(公告)号：CN107623071B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710727440.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种低温Si与有机的叠层太阳能电池，主要解决现有太阳能电池能量转换效率低的问题。其包括阴极(1)、n型硅片基体(2)、p型有机导电薄膜(3)、p型缓冲层(4)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、有机活性层(7)、空穴传输层(8)以及阳极(9)。其中阴极、n型硅片基体和p型有机导电薄膜自下而上构成Si杂化太阳能电池；电子传输层、界面修饰层、有机活性层、空穴传输层以及阳极自下而上构成有机太阳能电池，这两种结构的太阳能电池通过p型缓冲层叠加构成叠层结构，使电荷能够有效的向电极传输。本发明提高了能量转换效率并且整个制备工艺低于200℃，减少了能源消耗，可用于便携式能源及可穿戴电子设备。
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公开(公告)号：CN109326678A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811181410.5
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性二硫化钼光电晶体管及其制备方法，主要解决现有柔性晶体管制作工艺难度较高及性能较差的问题。该晶体管结构自下而上包括栅极(1)，介电层(2)，半导体层(3)；该半导体层(3)的两端设有分别与介电层(2)连接的源电极(4)和漏电极(5)，该栅极(1)采用表面蒸有ITO透明电极层的柔性透明材料聚萘二甲酸乙二醇酯PEN，该半导体层(3)掺杂有5％-15％的氢氧化钾水溶液。本发明通过运用衬底转移技术将器件从硅衬底上转移到PEN衬底上，并且在衬底转移过程中对二硫化钼材料进行掺杂以降低其接触电阻，简化了制作工艺，降低了成本，提高了器件的性能和柔性，可用于电子、通信和医疗设备。
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公开(公告)号：CN107464847A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710610914.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/228
Abstract: 本发明公开了一种基于碱金属溶液掺杂的二硫化钼晶体管及制备方法，主要解决现有二硫化钼晶体管接触电阻过高的问题。该晶体管结构包括底栅(1)、介电层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、半导体层(5)。其中：介质层(2)设置于底栅(1)上方，半导体层(5)设于介质层(2)上方，源电极(3)与漏电极(4)设于半导体层(5)的两端，半导体层(5)与源电极(3)之间的接触区域设为源掺杂区域(6)，半导体层(5)与漏电极(4)之间的接触区域设为漏掺杂区域(7)，这两个掺杂区均采用浓度为10％-30％的氢氧化钾水溶液进行掺杂。本发明降低了二硫化钼晶体管的接触电阻，提高了晶体管的迁移率和开关比，可用于数字电路。
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公开(公告)号：CN118398698A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410520814.1
申请日：2024-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种PIN型范德华异质结深紫外光电探测器及其制备方法，主要解决现有氧化镓基深紫外光电探测器无法在获得高光电增益的同时兼顾较快的响应速度的问题。其包括：衬底、缓冲层、底电极、感光层和顶电极。该感光层采用自下而上为N型宽禁带半导体β‑Ga2O3层、Sb2O3范德华材料插层、P型Si外延层的多层半导体材料复合结构，以形成深紫外光响应及能带中的单极电子阻挡层，该底电极位于β‑Ga2O3层上的一侧，其与Sb2O3范德华材料插层处于同一平面，以抽取阻挡层中累积的光生电子。本发明具有对深紫外的强光响应，提高了探测器的光电增益、响应度和探测率，加快了响应速度，可用于低噪声的深紫外光波段单光子探测及紫外通讯。
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公开(公告)号：CN118197460A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410193160.6
申请日：2024-02-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种压力诱导FAPbI3材料物性的预测方法，包括：基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，利用VASP软件设置DFT+U和范德华力修正方法的计算参数；构建FAPbI3初始结构，利用DFT+U和范德华力修正方法对FAPbI3初始结构进行优化，得到FAPbI3稳定结构；利用VASP软件模拟对FAPbI3稳定结构施加不同静水压力的情形，在不同静水压力的条件下，利用DFT+U和范德华力修正方法对FAPbI3稳定结构进行优化，得到不同静水压力下对应的FAPbI3最终稳定结构，分析不同静水压力下FAPbI3的结构性质、光电性质和热力学性质。本发明解决了现有技术中材料性能预测不准确、性能预测成本高昂、实验手段到达不到原子尺度的精度等问题，为开发多种钙钛矿超硬材料提供一定的理论参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117658492A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311563850.8
申请日：2023-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了低成本溶液法制备全无机钙钛矿薄膜的方法，具体为：对全无机钙钛矿薄膜基板进行预处理；在预处理后的全无机钙钛矿薄膜基板上制备下层电荷传输层；制备PbX2以及CsX前驱体溶液；在全无机钙钛矿薄膜基板上滴加PbX2前驱体溶液，旋涂，退火，得到PbX2薄膜；在PbX2薄膜上滴加CsX溶液，旋涂，退火，得到CsPbX3薄膜；在CsPbX3薄膜上滴加CsX前驱体溶液，旋涂，退火，得到低缺陷致密的CsPbX3薄膜。与传统的多步旋涂法相比，采用本发明的方法能够使钙钛矿薄膜的相变受到抑制，同时保证所制备的器件效率达到9.37％，且降低了制备过程的成本，使得该技术更具可行性和可推广性。
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公开(公告)号：CN117613127A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311562440.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 基于双金属氧化物传输层的全无机钙钛矿太阳电池及其制备，分为正向结构钙钛矿太阳电池和反向结构钙钛矿太阳电池；正向结构钙钛矿太阳电池包括：透明导电衬底；电子传输层，位于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，位于电子传输层上；空穴传输层，位于钙钛矿吸光层上；电极，位于空穴传输层上；电子传输层和空穴传输层均为氧化物；反向结构钙钛矿太阳电池，包括透明导电衬底；空穴传输层，位于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，位于空穴传输层上；电子传输层，位于钙钛矿吸光层上；电极，位于电子传输层上；电子传输层和空穴传输层均为氧化物。本发明降低钙钛矿上表面载流子复合，改善界面电荷传输同时保护钙钛矿薄膜，提升器件效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN117577665A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311512659.0
申请日：2023-11-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/02 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种二维重构铁电相宽带隙半导体材料及其制备方法，主要解决现有技术中半导体薄膜质量和厚度难以控制的问题。方案包括：1)衬底预处理；2)生长石墨烯层，并将其转移至衬底；3)对衬底上的石墨烯层进行等离子修饰；4)利用限域沉积法形成金属层；5)生长二维宽带隙半导体；6)高温退火。本发明通过降低传统宽带隙半导体材料的纬度引入量子效应，实现带隙和能级位置的调控，使用高温退火诱导铁电相重构，得到表现出铁电性质和极化调制效应的原子级别厚度的二维重构铁电相宽带隙半导体材料，该材料薄层作为沟道能够有效减少晶格失配和表面缺陷，提高器件性能，同时可以与传统CMOS工艺兼容，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115148844B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210816620.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/18 , H01L31/0336 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于WSe2/MoS2和MoS2/β‑Ga2O3双异质结的光电探测器及其制备方法，主要解决现有MoS2/β‑Ga2O3异质结光电探测器暗电流过大、响应度较低的问题。其自下而上包括：衬底、β‑Ga2O3层和MoS2层，该MoS2层的上部增设有WSe2层，以在β‑Ga2O3层与MoS2层之间形成Ⅰ型异质结，在MoS2层与WSe2层之间形成Ⅱ型异质结，该WSe2层和MoS2层的两端对称设置阳极和阴极。本发明通过设置Ⅱ型异质结与Ⅰ型异质结组合的双异质结结构，实现对光生载流子的分离、增强电场强度、增加光吸收率，进而降低暗电流、提高器件响应速度，可用于紫外区间光电探测。
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公开(公告)号：CN117305773A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311268328.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种热蒸发制备氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤；步骤1，将Ga2O3源放入金属舟内，将金属舟置于真空蒸镀设备中的放入真空镀膜设备中；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在真空蒸镀设备内的基片上，放入真空蒸镀设备内抽真空；步骤3，调节蒸镀电流使得电流流经金属舟两边接点从而对金属舟进行加热，蒸发镓源；步骤4，当金属舟上通过的电流到达步骤3所述程度，升华的气态Ga2O3上浮并凝华于膜厚仪的检测设备，通过调控蒸镀电流间接控制蒸镀速率，蒸镀速率和蒸镀时间控制最后沉积形成的Ga2O3薄膜厚度；步骤5，薄膜沉积完成后，利用管式炉对所述Ga2O3薄膜进行退火处理；得到Ga2O3薄膜。本发明能够较为准确的控制薄膜厚度，成膜速率快、效率高，且薄膜生长机理简单。
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