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公开(公告)号：CN102269623B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110032744.8
申请日：2011-01-30
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
CPC分类号： G01N21/211 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/021 , G01J3/0224 , G01N21/21
摘要： 本发明提供一种易于调节聚焦的、可实现无色差的、可保持偏振特性的、且结构简单的垂直入射宽带偏振光谱仪。该垂直入射宽带偏振光谱仪利用至少一个平面反射元件改变会聚光束传播方向，实现探测光束垂直入射并会聚于样品表面的垂直入射宽带偏振光谱仪。而且，该垂直入射宽带偏振光谱仪包含至少一个偏振器，从而能够测量各向异性或非均匀性样品，如包含周期性结构的薄膜的三维形貌和材料光学常数。
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公开(公告)号：CN102338662A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110147474.5
申请日：2011-06-02
申请人： 北京智朗芯光科技有限公司
CPC分类号： G01N21/211 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/021 , G01J3/0224 , G01N21/21
摘要： 本发明提供了一种易于调节聚焦的、可实现无色差的、可保持偏振特性的、且结构简单的斜入射宽带光谱仪。该斜入射宽带光谱仪包含至少两个偏振器、至少一个相位补偿元件、至少两个曲面反射元件和至少两个平面反射元件的斜入射宽带光谱仪。斜入射宽带光谱仪利用平面反射元件改变光束传播方向，并且可补偿因反射聚光单元引起的偏振变化，使得光束经相位补偿元件后的偏振特性在斜入射并会聚于样品表面时保持不变。本发明的斜入射宽带光谱仪，能够高精确度地测量样品材料的光学常数、薄膜厚度和/或用于分析周期性结构的样品的临界尺度(CD)或三维形貌。
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公开(公告)号：CN118380362A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410815239.8
申请日：2024-06-24
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司 , 杭州昂坤半导体设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种兼容非标尺寸的晶圆寻边方法、系统及装置，该方法包括：控制目标晶圆上升以脱离晶圆支撑件，使目标晶圆上升至激光位移传感器识别范围内的居中位置，控制激光位移传感器移动至目标晶圆的边缘位置；控制目标晶圆旋转，通过激光位移传感器对目标晶圆进行数据采集，输出测量数据；对测量数据进行滤波处理，去除无效数据，保留晶圆边缘数据；对晶圆边缘数据进行补偿值计算，确定补偿值；重复对目标晶圆进行数据采集多次以输出采样数据，根据采样数据确定目标晶圆的平边位置，以实现目标晶圆的寻边。本发明解决了现有技术中非标尺寸的晶圆需要手动放片后人工寻边，操作困难效率较低，并且容易损坏晶圆的问题。
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公开(公告)号：CN118130060A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410573305.5
申请日：2024-05-10
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种光路干扰消除系统，该方法包括：第一光学元件，第一光学元件包括第一端点以及第二端点；第二光学元件，第二光学元件包括第三端点以及第四端点；其中，第三端点高于第一端点第一预设距离，第四端点高于第二端点第二预设距离，且第一光学元件的出射面与第二光学元件的入射面相向倾斜设置，同时在第一光学元件的出射面与第二光学元件的入射面之间形成第一夹角；当检测光束入射至第一光学元件的内部时，通过第一光学元件对检测光束进行全反射，并反射出具有第二夹角的第一出射光线；通过第二光学元件将第一出射光线反射成第二出射光线，并将第二出射光线按照第四夹角入射至CCD的内部。本发明能够有效的提升检测效率。
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公开(公告)号：CN117129029A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311396196.6
申请日：2023-10-26
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种芯片检测方法及系统，该方法包括：当获取到待检测芯片时，通过低倍镜头构建出与待检测芯片适配的检测模板以及检测区域，检测模板设于检测区域内；启用高倍镜头，并通过高倍镜头实时采集待检测芯片的高倍芯片图像；基于预设规则构建出低倍镜头与高倍镜头之间的映射关系，并根据映射关系将高倍芯片图像映射至检测模板中，以对应完成待检测芯片的检测。本发明能够大幅节省计算资源，同时提升了用户的使用体验。
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公开(公告)号：CN115876148A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310069671.2
申请日：2023-02-07
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆平面度测量平台运行误差补偿方法及系统，涉及半导体测试技术领域，该方法包括：将目标晶圆置于测量平台之上，对目标晶圆进行扫描，获取第一X向数据集与第一Y向数据集，以及第二X向数据集与第二Y向数据集；对第一X向数据集、第二X向数据集进行拟合，得到第一X向最佳二乘平面与第二X向最佳二乘平面，计算第一X向一维向量与第二X向一维向量，以得到X向跳动估计值；以相同方式得到Y向跳动估计值；根据所述X向跳动估计值与所述Y向跳动估计值。计算各个扫描点的综合跳动数据；根据综合跳动数据，得到运用于晶圆平面度测量的补偿数据。本发明旨在解决现有技术中对晶圆平面度测量进行补偿不够精准的技术问题。
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公开(公告)号：CN115254648A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210964584.9
申请日：2022-08-11
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于芯片检测的分选方法及装置，该分选方法快速将控制料盘输送到承接检测后芯片的位置和承接标记NG件芯片的位置，在芯片逐个检测的过程中，达到芯片检测完就直接搬运到空置料盘上，减少搬运次数，提高效率，以芯片检测位检测到的数据作为参考，快速的进行OK件和NG件的分选操作，不论芯片的良品率是多少，都可以高效快速的进行分选，并以整盘OK件或者整盘NG件进行输出，配合料盘可快速输送至不同的芯片承接位，提高操作效率，避免人工参与加工，提高分选效率和分选准确性，适应芯片的检测节拍，提高芯片检测的整体效率。
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公开(公告)号：CN115082391A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210667124.X
申请日：2022-06-13
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆反射率确定方法及相关设备。该方法包括：获取待测晶圆的目标亮场图像；基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。
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公开(公告)号：CN115018857A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210953897.4
申请日：2022-08-10
申请人： 南昌昂坤半导体设备有限公司 , 昂坤视觉(北京)科技有限公司
IPC分类号： G06T7/10
摘要： 一种图像分割方法、装置、计算机可读存储介质及计算机设备，该方法包括：将训练样本图像进行像素归一化处理；将归一化处理后的训练样本图像输入至图像分割模型中进行图像分割处理；将图像分割模型输出的预测概率以及训练样本图像的分割真值输入到目标损失函数中进行损失值计算，该目标损失函数用于进行交叉损失计算、平均绝对误差损失计算，以及像素类别内的损失计算与像素类别间的损失计算；当计算出的损失值大于预设值时，根据损失值对图像分割模型的参数进行优化；当计算出的损失值小于或等于预设值时，将待测图像输入至图像分割模型中，得到待测图像的图像分割结果。本发明图像分割精度，以及图像分割效率均优于现有技术。
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公开(公告)号：CN114996071A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210772980.1
申请日：2022-06-30
申请人： 昂坤视觉(北京)科技有限公司
IPC分类号： G06F11/22
摘要： 本申请提供了一种数据分析方法、系统、介质及电子设备。该方法包括：获取待分析晶圆的至少一组检测数据；针对任意一组检测数据，根据对应的检测标准，对所述待分析晶圆进行标识，生成所述待分析晶圆的缺陷标识图；对各个缺陷标识图进行叠图操作，生成所述待分析晶圆的综合缺陷图，根据所述综合缺陷图进行针对所述待分析晶圆的数据分析。本申请的技术方案可以使得各工艺段的检测数据得以整合，能够明晰缺陷的演变和工艺问题，为工艺改进和设备监控提供有效的数据支持。
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