公开(公告)号：CN107275497A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710337790.6

申请日：2017-05-15

申请人： 南京邮电大学

发明人： 邓玲玲 ,  陈若曦 ,  周志杰 ,  贾博仑 ,  陈淑芬

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L51/502 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明公开一种利用银纳米立方的等离子共振效应增强器件性能的蓝光有机发光二极管结构及其制备方法，该蓝光有机发光二极管从下往上依次为：ITO玻璃基底、空穴传输层、银纳米立方层、蓝光发光层、电子传输层、金属阴极。银纳米立方的引入，使蓝光有机发光二极管的性能得到有效的提升。制备的过程包括：首先采用合成法制备银纳米立方，然后对银纳米立方进行二氧化硅层包裹。器件的制备则是先将基底清洗，再旋涂制膜，然后在真空中蒸镀制膜，结束后进行冷却即可。本发明将银纳米立方旋涂在空穴传输层和蓝光发光层之间，利用银纳米立方较强的等离子体共振效应，有效提高了蓝光有机发光二极管的效率。本发明简单易行，具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN105070847B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201510574101.4

申请日：2015-09-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 宋丽芳 ,  刘则

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/3258 ,  H01L51/004 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5369

摘要： 本发明涉及一种复合层，包括平坦化层和与所述平坦化层连接的阳极层，所述平坦化层由聚甲基丙烯酸甲酯/纳米粒子复合材料制成；所述纳米粒子为二氧化硅，二氧化钛，三氧化二铝或氧化锌。由于平坦化层使用的材料为纳米粒子掺入聚甲基丙烯酸甲酯的复合材料，二氧化钛、三氧化二铝等纳米粒子与阳极层ITO界面性质相似，因此，复合层中的这两部分粘附性好，结合力较高。而且，所述纳米粒子自身具有吸收或反射紫外线的功能，掺入聚甲基丙烯酸甲酯中可以屏蔽紫外线。另外，聚甲基丙烯酸甲酯/纳米粒子复合材料的热分解温度高，因此由其制成的复合层中平坦化层的耐热性较高。

公开(公告)号：CN105185921B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510280652.X

申请日：2015-05-27

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 李在暎 ,  金泰镜 ,  许海利 ,  许训会 ,  金智珉

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L51/5253 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558

摘要： 公开一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：柔性封装层，所述柔性封装层包括被构造成覆盖具有多个像素的区域的至少一个铝氧化物层；位于所述柔性封装层上的柔性阻挡膜，所述柔性阻挡膜包括柔性阻挡膜主体和压敏粘结剂层；和粘结促进层，所述粘结促进层与所述铝氧化物层和所述压敏粘结剂层直接接触。

公开(公告)号：CN107195782A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710352597.X

申请日：2017-05-18

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 谢华飞

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L27/283 ,  H01L27/286 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0566 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明公开一种薄膜晶体管制作方法、阵列基板制作方法及显示装置。薄膜晶体管制作方法包括：提供一基板；在所述基板上覆盖隔离层；在所述隔离层上涂布有源层前驱体溶液；将所述有源层前驱体溶液形成有源层薄膜；将所述有源层薄膜分割成小模块有源层，以通过薄膜晶体管的有源层来提高迁移率，并通过高迁移率的薄膜晶体管来驱动阵列基板的量子点发光器件以此提高显示装置显示的发光性能。

公开(公告)号：CN105706261B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201480058967.3

申请日：2014-10-28

申请人： 柯尼卡美能达株式会社

发明人： 大久保康 ,  石代圭子 ,  波木井健

IPC分类号： H01L51/50 ,  C07D213/38 ,  C07D401/10 ,  C07D401/14 ,  C07D471/04 ,  C07D519/00 ,  H05B33/28

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D213/06 ,  C07D213/38 ,  C07D401/10 ,  C07D401/14 ,  C07D471/04 ,  C07D519/00 ,  C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G61/124 ,  C08G61/125 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/1434 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3242 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/95 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明的课题是提供发光效率高、驱动电压及稳定性优异的有机电致发光元件、具备该有机电致发光元件的显示装置及照明装置。本发明的有机电致发光元件，是在阳极与阴极之间至少具有电子注入层、电子传输层及发光层的有机电致发光元件，其特征在于，上述电子注入层含有电子化合物，上述电子传输层含有具有氮原子的有机化合物，上述氮原子的至少一个具有不参与芳香性的非共享电子对，并且该非共享电子对没有与金属配位。

公开(公告)号：CN106784397A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611160706.X

申请日：2016-12-15

申请人： TCL集团股份有限公司

发明人： 王宇 ,  曹蔚然 ,  杨一行 ,  钱磊

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5076 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明公开一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED，方法包括步骤：A、在硫化物中加入铝源，然后加水混合得到混合液；B、将混合液超声一段时间；C、将超声后的混合液在150‑200℃下反应3‑24h，待反应液降到室温后，依次过滤和清洗得到Al掺杂氧化物。本发明采用溶液法来对氧化物掺杂Al，整个制备过程，无需真空条件和真空设备，工艺简单，效率高，成本低。通过本发明的方法可改变氧化物的功函数，使得氧化物的功函数和金属电极的功函数更加匹配，进而更有利于载流子的传输，同时制备得到的氧化物作为电子传输层具有优良的透光性，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN106660260A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580042029.9

申请日：2015-08-03

申请人： 捷客斯能源株式会社

发明人： 高桥麻登香 ,  鸟山重隆 ,  关隆史 ,  佐藤祐辅

IPC分类号： B29C59/02 ,  B29C65/52 ,  H01L21/027 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC分类号： H01L51/5275 ,  B29C59/046 ,  B29C59/10 ,  B29C59/14 ,  B29C59/16 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/023 ,  B32B33/00 ,  B32B37/0053 ,  B32B37/025 ,  B32B37/12 ,  B32B37/1284 ,  B32B37/203 ,  B32B38/10 ,  B32B2038/0076 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2457/206 ,  H01L21/027 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H05B33/04 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的具有凹凸图案的构件的制造方法具有如下步骤：于表面具有凹凸图案的模具140的上述凹凸图案上形成第1膜60的步骤；于基材40上形成第2膜70的步骤；通过使上述模具140与上述基材40重叠，将上述第1膜60与上述第2膜70接合的步骤；及自与上述第2膜70接合的上述第1膜60将上述模具140剥离的步骤。本发明提供一种制造具有凹凸图案的功能性构件的方法。

公开(公告)号：CN106601924A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611193114.8

申请日：2016-12-21

申请人： 浙江大学

发明人： 皮孝东 ,  顾伟 ,  杨德仁

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L51/5088 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，由下至上依次包括ITO玻璃衬底、MoO3修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电极层，所述的MoO3修饰层的厚度为1～7nm。制备方法时依次在ITO玻璃衬底上制备MoO3修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电极层即可。本发明的量子点发光二极管通过在空穴注入层和ITO玻璃衬底之间设置MoO3修饰层，以对ITO玻璃衬底和空穴注入层之间的界面进行调控，有效促进了量子点发光二极管中空穴的注入，使量子点发光二极管中电子、空穴的注入平衡，能够有效提高发光二极管的外量子效率。

公开(公告)号：CN103633244B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310351161.0

申请日：2013-08-13

申请人： 索尼公司

发明人： 石井由威 ,  小野秀树

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308

摘要： 本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。

公开(公告)号：CN106536641A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580036562.4

申请日：2015-07-07

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： 克里斯汀·杜斯拉特 ,  安托万·科拉斯 ,  金钟珉

IPC分类号： C09D1/00 ,  C23C16/44 ,  H01L51/50

CPC分类号： C07F11/005 ,  C09D1/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/125 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明涉及使用溶胶-凝胶或气相沉积方法自仅含钨、氧、碳及氢的前体制备电致变色氧化钨或氧化钼及其掺杂衍生物纳米材料，因为其他元素可产生影响电致变色性能的光学缺陷。优选地，该液体与挥发性化合物W(＝O)(OsBu)4为所用前体。