公开(公告)号：CN102105993A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129037.1

申请日：2009-10-02

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 西宫立享 ,  宇田和孝 ,  川添浩平 ,  马场智义 ,  石出孝

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。

公开(公告)号：CN102084499A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201080002015.1

申请日：2010-02-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 村田和哉 ,  片山博贵 ,  松本光弘 ,  绫洋一郎

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池，其在面内具有由微结晶硅薄膜构成的发电层，该微结晶硅薄膜具有第一区域和与第一区域相比结晶化率低且载体的寿命高的第二区域。

公开(公告)号：CN102024874A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010278226.X

申请日：2010-09-10

申请人： 韩国铁钢株式会社

发明人： 明承烨

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供光电装置及其制造方法，该光电装置的制造方法包括下述步骤：在上述基板上形成第一电极；在上述第一电极上形成包括纯半导体层的第一单元；激励等离子体并对具有不同频率的施加电压进行调节，由此在上述第一单元上形成包括交替层压的多个子层的中间反射膜；在上述中间反射膜上形成包括纯半导体层的第二单元；在上述第二单元上形成第二电极。

公开(公告)号：CN102024873A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010278189.2

申请日：2010-09-10

申请人： 韩国铁钢株式会社

发明人： 明承烨

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供光电装置及其制造方法，该制造方法包括下述步骤：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成包括纯半导体层的第一单元；在所述第一单元上形成包括改变非硅原料气体的流量而交替层压的多个子层的中间反射膜；在所述中间反射膜上形成包括纯半导体层的第二单元；以及在所述第二单元上形成第二电极。

公开(公告)号：CN101866979A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910254037.6

申请日：2009-12-15

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 李正禹 ,  朴成基 ,  沈敬珍 ,  金泰润 ,  朴元绪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种制造太阳能电池的方法，其包括如下步骤：通过在室温下沉积透明导电氧化物，在衬底上形成透明导电层；通过使用第一激光器将激光束照射到该透明导电层上，使该透明导电层结晶；选择性地腐蚀该结晶的透明导电层，以在该透明导电层的表面形成凸起和凹陷的图案；通过对具有该凸起和凹陷的图案的该透明导电层进行构图，形成各单元电池中的各透明电极；在各透明电极上形成p-n结半导体层并对该p-n结半导体层进行构图；以及通过形成金属材料层并对该金属材料层进行构图，在该构图后的p-n结半导体层上形成各背电极，各背电极对应于各单元电池。

公开(公告)号：CN101821854A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110922.0

申请日：2008-10-03

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 蔡容基 ,  崔寿永

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明大体包括一种在微晶硅沉积期间用以动态控制太阳能电池基板的温度的方法。在非晶硅/微晶硅串接太阳能电池中，微晶硅可以使用比非晶硅更高的功率密度来沉积，并且被沉积到比非晶硅更厚的厚度。所施加的功率密度越高，沉积速度越快，但沉积温度可能也会增加。在高温时，掺杂质扩散进入太阳能电池的本征层且破坏太阳能电池的可能性更大。通过动态控制载座的温度，基板以及因此掺杂质都可以被维持在掺杂质会扩散进入本征层的温度以下的实质恒定温度。动态温度控制允许微晶硅能以高功率密度来沉积而不会破坏太阳能电池。

公开(公告)号：CN101755072A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025273.4

申请日：2008-07-10

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 崔寿永 ,  李立伟

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67745 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/906

摘要： 本发明实施方式大致关于提供一种用来在基板处理装置中形成改良薄膜单一或多结太阳能电池的方法与设备。实施方式之一提供一种系统，其中包含至少一处理腔室，其适以沉积一或多层用以形成一部分的太阳能电池。在一实施方式中，通过在沉积该一或多层于该基板上之前，在该处理腔室内表面执行清洁处理，来减少可在该处理区中进行处理的基板上的污染物量。此清洁处理包括沉积可捕捉在处理腔室中发现的污染物的层(如，干燥层或钝化层)。本发明其它实施方式可提供排程和/或将该清洁处理步骤放在基板处理顺序中的所需时间点，以改善整体系统的基板产出率。

公开(公告)号：CN100495740C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200310114921.2

申请日：2003-11-13

申请人： 佳能株式会社

发明人： 盐崎笃志 ,  杉山秀一郎

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/078

CPC分类号： H01L31/03685 ,  B32B17/10788 ,  H01L31/076 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： 提供一种光电元件，在设置了透明性保护部件后的最终制品状态下其转换效率高、制造成本低、轻质、且综合性能优越。该光电元件，从光入射侧依次包含具有i型非晶态半导体的第一pin结、具有i型微晶半导体的第二pin结、和具有i型微晶半导体的第三pin结，其特征在于：上述第一pin结的光入射侧至少具有透明性保护部件和透明电极层，且在上述多个pin结产生的光电流中，由上述第三pin结产生的光电流最少。

公开(公告)号：CN100364115C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410061799.1

申请日：1999-02-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 狩谷俊光

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。

公开(公告)号：CN101088171A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200580044170.9

申请日：2005-12-13

申请人： 于利奇研究中心有限公司

发明人： S·克莱因 ,  Y·麦 ,  F·芬格 ,  R·卡里厄斯

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明，在pin薄层太阳能电池或nip薄层太阳能电池中，在涂敷微晶i层之前，利用HWCVD方法将微晶硅层涂敷到下面的p层或n层上。因此，薄层太阳能电池的效率绝对地被提高了直至0.8％。