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公开(公告)号：CN118280888A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410678853.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。
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公开(公告)号：CN118164429B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410587503.7
申请日：2024-05-13
申请人： 成都航天博目电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于微纳器件的叠层结构及其制备方法，所述方法包括：在晶圆上涂敷光刻胶并进行软烤；使用光刻机和掩模版对光刻胶进行曝光，以将掩模版上的图形转移到晶圆上；使用显影液显影出倒梯形的光刻胶图像，两个光刻胶图像之间形成正梯形开口；在光刻胶图像和正梯形开口中沉积第一层材料；设定金属种子层，使用含有相同金属离子的电镀液，在第一层材料上电镀出电镀层金属；在电镀层金属上沉积第二层材料，形成叠层结构，所述叠层结构为沉积在正梯形开口中的第一层材料和第二层材料的组合；去除光刻胶保留所述叠层结构。本发明能够消除第一层材料之外的材料掉落或者直接沉积到衬底上的风险，提高第一层材料的阻障可靠性。
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公开(公告)号：CN118248779A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410330200.7
申请日：2024-03-21
申请人： 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C25D7/12 , C25D5/50 , C25D5/12 , C25D5/14 , C23C14/16 , C23C14/58 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本发明提供了一种提高太阳能电池电镀电极性能的金属化方法及其应用、太阳能电池，涉及太阳能电池金属化的技术领域，该金属化方法包括以下步骤：镍金属层沉积后的硅基底在强光照条件下进行退火处理，然后在退火后的镍金属层上电镀金属电极，形成太阳能电池电镀电极。本发明达到了降低金属电极与硅基底的接触电阻、提升金属电极与硅基底之间剥离强度，以及使电镀电极太阳能电池可以进行氢钝化工艺的技术效果。
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公开(公告)号：CN118223103A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410483823.8
申请日：2024-04-22
申请人： 江苏祥环科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种电镀太阳能电池设备所用的防逆流装置和方法，所述的防逆流装置中的电镀槽的溢流壁与导电阴极滚轮之间设有引流板，所述的引流板顶部高度不低于溢流壁顶部高度，电镀槽内设有阳极，阳极及导电阴极滚轮连通电镀电源正负极；电镀槽连接进液管，进液管连接供液设备，供液设备通过进液管向电镀槽内泵送电镀液。本发明避免了电镀液流至导电阴极滚轮，从而可以避免在导电阴极滚轮表面发生电镀，提高了电镀质量。同时，通过设置溢流缺口使电解液溢流均匀，保证基板底面电镀厚度足够，电镀厚度均匀，提高基板电镀效果。
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公开(公告)号：CN117802542B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410181584.0
申请日：2024-02-18
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明涉及铜电镀技术领域，公开一种铜互连电镀方法，属于铜电镀技术领域，包括以下步骤：（1）配制铜互连电镀液，所述铜互连电镀液包括硫酸铜、氯化铜、硫酸、添加剂和去离子水，其中，所述添加剂包括：加速剂、抑制剂、整平剂和助剂，所述助剂包括组分A，所述组分A为硫化聚合的蒽醌交联产物；（2）晶圆电镀，以待电镀的切割硅基晶圆为阴极，清洗后与磷铜阳极浸入所述铜互连电镀液中进行直流电镀；本发明采用具有界面离子浓度梯度均化作用的外加助剂作为芯片铜互连电镀添加剂，可实现无空洞和缺陷、均镀性佳、结构致密、表面光滑的效果。
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公开(公告)号：CN118166404A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410286553.1
申请日：2024-03-13
申请人： 强一半导体(上海)有限公司
发明人： 师晋海
摘要： 本发明公开了一种薄膜型探针卡及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：提供衬底；步骤2：在所述衬底表面依次涂胶、曝光、显影；步骤3：对所述衬底进行电镀前预处理；步骤4：在所述衬底上电镀出铜牺牲层；步骤5：在所述铜牺牲层上电镀出铜界面层；步骤6：在所述铜界面层上涂覆薄膜。本发明的方法既能提高铜层与薄膜之间的结合力，又不影响探针卡及薄膜的形貌。
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公开(公告)号：CN114197021B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111298590.7
申请日：2021-11-04
摘要： 本发明公开了一种双片晶圆镀膜夹具，解决了现有晶圆镀膜夹具存在的容易导致降低晶圆镀膜成品率的技术问题。采用一夹具双晶圆设计思路，在两夹具板的外侧面分别设置晶圆嵌入凹槽和导电盘，将预电镀镀膜的晶圆设置在导电盘中，在导电盘与导电板之间设置大尺寸的可伸缩导电针，大尺寸的可伸缩导电针顶接在导电盘上，使导电板、大尺寸的可伸缩导电针和导电盘，组成晶圆镀膜的一个供电电极；在夹具盖板环的内圆上，沿径向方向，等间隔设置径向凸起，用径向凸起限位晶圆，在径向凸起中设置小尺寸的可伸缩导电针，小尺寸的可伸缩导电针顶接在晶圆的镀膜面上，组成晶圆镀膜的另一个供电电极；本发明整体结构紧凑，夹具体积小，实现对两片晶圆片进行镀膜。
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公开(公告)号：CN115305539B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211112950.4
申请日：2022-09-14
申请人： 江苏成裕金属表面科技有限公司
发明人： 范寿祥
摘要： 本发明涉及电镀线领域，且公开了一种500毫米直径的纳米陶瓷电镀点镀电镀线生产工艺，有效的解决了目前带状芯片不断缠绕在收卷盘的外侧，易造成收卷直径不断加大，从而造成带状芯片移动速度加快，从而影响带状芯片的点镀的问题，包括工作台，所述工作台的顶端安装有点镀组件，点镀组件包括转动连接于工作台顶端中部的点镀模具,点镀模具的底端与第一电机的输出轴固定连接，第一电机与工作台的底壁固定连接，本发明，通过转动螺杆，从而带动第一连板和第二连板朝着弧板移动，使得底杆推动连接杆朝着压辊盖移动，从而使得压辊将带状芯片朝着点镀模具推动，使得带状芯片与点镀模具的外壁紧贴，从而方便对不同厚度的芯片进行点镀。
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公开(公告)号：CN118028955A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410428708.0
申请日：2024-04-10
申请人： 苏州智程半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明属于晶圆电镀液处理技术领域，尤其是一种晶圆电镀液处理装置及处理方法，包括设有阳极液入道和阳极液出道的电镀腔，所述阳极液出道的外表面设置有用于检测铜离子含量的检测机构，所述阳极液出道的内壁固定连通有排液管，所述排液管远离所述阳极液出道的一端设置有用于吸附铜离子的收集机构，所述收集机构的内部设置有翻转机构。该晶圆电镀液处理装置及处理方法，通过设置收集机构，便于将阳极液出道出来的阳极液中的铜离子通过铜离子交换树脂床层吸附出来，从而使得阳极液中的铜离子能够得到更好地使用，并利用收集的铜离子提高电镀腔内的铜离子含量，进而提高晶圆电镀效率。
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公开(公告)号：CN111936675B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201980022156.0
申请日：2019-02-20
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 何治安 , 尚蒂纳特·古艾迪 , 黄璐丹 , 安德鲁·詹姆斯·普福
摘要： 公开了用于控制用于衬底的电化学镀敷设备上的镀敷电解质浓度的方法和电镀系统。惰性阳极(或在需要时可以充当惰性阳极的辅助电极)控制一种或多种电解质成分的浓度。惰性阳极通过进行不产生金属离子的气体释放反应来平衡电镀工艺中电解液金属离子的产生和消耗速率。
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