公开(公告)号：CN102832287B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210326559.4

申请日：2011-11-10

申请人： 郭磊

发明人： 郭磊

IPC分类号： H01L31/12 ,  H01L31/173

CPC分类号： H01L31/125 ,  H01L31/173

摘要： 本发明提供一种半导体直流光电变压器，包括：第一电极层；形成在所述第一电极层之上的电光转换层；形成在所述电光转换层之上的第二电极层；形成在所述第二电极层之上的第一隔离层；形成在所述第一隔离层之上的第三电极层；形成在所述第三电极层之上的光电转换层；以及形成在所述光电转换层之上的第四电极层，其中，所述第一隔离层、所述第二电极层和所述第三电极层对所述电光转换层发出的工作光线透明。根据本发明实施例的半导体直流光电变压器可直接实现直流电压的变压。同时具有耐高压，无电磁辐射，无线圈结构，不受太阳辐射及太阳风暴等的影响，安全可靠，体积小，寿命长，重量轻，安装维护方便等优点。

公开(公告)号：CN101090139B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710112200.6

申请日：2001-01-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L31/14 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/30 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3244 ,  H04N3/155 ,  H04N5/374

摘要： 本发明提供了一种重量轻、(厚度)薄、尺寸小的附着型区域传感器。该区域传感器的像素具有作为光源的EL元件和作为光电转换元件的光电二极管。为了控制EL元件和光电二极管的工作，该附着型区域传感器使用了TFT。

公开(公告)号：CN1127151C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN97180913.5

申请日：1997-11-26

申请人： 艾伦·Y·乔

发明人： 艾伦·Y·乔 ,  文森特·Y·乔

IPC分类号： H01L31/08 ,  H01L31/173 ,  H03K17/78

摘要： 公开了作为单片集成电路制造的能够快速切换频率的波长部分可控的光电子开关(“电压相位光电子开关”)。电压相位光电子开关由两个反向平行靠近的最好在单片硅基片上的光电二极管组成，使得一个光电二极管的阳极通过第一导体与第二个光电二极管的阴极电连接，且第一光电二极管的阴极通过第二导体与第二光电二极管的阳极电连接。电压相位光电子开关的电压相位由电压相位光电子开关的两个光电二极管的相对亮度确定，并能够快速切换。适合于电压相位光电子开关的应用包括高速光电耦合器，线性光学位置传感器，边缘和目标检测传感器，图象识别传感器，光基状态计算机的基本子单元，及高分辨率光学编码器。

公开(公告)号：CN118136718A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410310244.3

申请日：2024-03-19

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 孙晓娟 ,  孙文超 ,  吕顺鹏 ,  黎大兵 ,  蒋科 ,  贲建伟 ,  张山丽

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/32

摘要： 本申请提供的同质集成器件，包括：衬底；图案化介电层掩膜；缓冲层；n型掺杂层；多量子阱层；p型掺杂层；n型接触电极；p型接触电极；光波导结构；本申请提供的同质集成器件，选取LED发光波长最短的区域制作LED器件，选择In组分较高的区域制作PD器件，LED发光波长蓝移，PD响应频段红移，从而提高了LED和PD同质集成芯片发光和探测波长重合度，进而提高系统的光电耦合效率。另外，本申请还提供了一种同质集成器件的制备方法。

公开(公告)号：CN118103979A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068723.8

申请日：2022-08-12

申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司

发明人： 马丁·赫茨勒 ,  霍斯特·瓦尔加 ,  迪尔克·贝克 ,  坦森·瓦尔盖斯 ,  诺温·文马尔姆

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L31/167 ,  H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L31/173

摘要： 提出一种光电子器件，所述光电子器件具有如下特征：‑发射器(1)，所述发射器以输入电压(Vin)运行并且在运行中产生电磁辐射(2)，‑多个接收器(3)，所述接收器形成接收器阵列(4)，其中接收器阵列(4)将由发射器(1)在运行中产生的电磁辐射(2)转换成输出电压(Vout)，其中‑接收器(3)的辐射耦合输入面(5)设置在发射器(1)的辐射耦合输出面(6)上，并且‑在发射器(1)和接收器阵列(4)之间设置有辐射影响元件(7)，其中辐射影响元件(7)将由发射器(1)产生的电磁辐射(2)偏转到接收器(3)的辐射耦合输入面(5)上。

公开(公告)号：CN110518087B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201910823539.X

申请日：2019-09-02

申请人： 电子科技大学 ,  广安职业技术学院 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  四川上特科技有限公司

发明人： 徐开凯 ,  苗晶晶 ,  曾德贵 ,  孙宏亮 ,  范洋 ,  张宁 ,  林涛 ,  赵建明 ,  廖楠 ,  徐银森 ,  陈勇 ,  曾尚文 ,  李洪贞 ,  施宝球 ,  刘继芝 ,  李健儿

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路(56)对比文件Sun，Hongliang，et.al.“A novelpolysilicon light source and its on-chipoptical interconnection structuredesign”《.SPIE》.2019,第1102342-1至1102342-6页.

公开(公告)号：CN116632100A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310605534.6

申请日：2023-05-25

申请人： 河源市众拓光电科技有限公司

发明人： 李国强

IPC分类号： H01L31/153 ,  H01L31/173 ,  H01L31/18

摘要： 本申请实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法，集成器件包括导电衬底、LED外延层、探测器外延层、第一电极及第二电极；LED外延层设于导电衬底且与导电衬底电连接；探测器外延层设于导电衬底且与导电衬底之间绝缘设置，探测器外延层与LED外延层相互隔离设置；第一电极的两端分别与LED外延层远离导电衬底的一端和探测器外延层远离导电衬底的一端电连接；第二电极与探测器外延层靠近导电衬底的一端电连接。本申请将LED外延层与探测器外延层集成在同一器件上，使集成器件中同时具有通信功能以及探测功能，在保证LED外延层体积的前提下，减少集成器件的占用空间，提升器件通信过程的稳定性。

公开(公告)号：CN115911174A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211057384.1

申请日：2022-08-31

申请人： 北京工业大学

发明人： 李建军 ,  付聪乐

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L33/10 ,  A61B5/021

摘要： 一种面向光电容积脉搏波血压测量的光电集成传感芯片，从芯片的顶视图看，包括四个光发射区，光探测区,光发射区的接触电极,光探测区的接触电极,光发射区的压焊电极，光探测区的压焊电极，将四个相对独立光发射区以及光探测区之间相互隔离的隔离层。本发明是将光电容积脉搏波传感器的光发射区和光探测区集成在一块芯片上，模块体积小，便于集成化；光发射区和探测区具有相同的谐振腔和有源区，对波长的选择性好，提高了器件的抗干扰能力；由于芯片采用了共振腔结构，光发射区的发光亮度高，光探测区的效率高，整个器件所需驱动电流小，功耗低，便于应用于可穿戴式医疗设备中。

公开(公告)号：CN115810689A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202111081788.X

申请日：2021-09-15

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 郭炜 ,  国琛雨 ,  张佳欣 ,  叶继春

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L31/18

摘要： 本申请公开了一种紫外LED和紫外探测器集成器件及其制作方法，包括衬底；位于衬底上表面、包括多层层叠的膜层的集成外延体，集成外延体包括紫外LED的第一外延体和紫外探测器的第二外延体，集成外延体中各膜层的材料为基于同一族材料的化合物；分别与第一外延体和第二外延体接触的n型电极、p型电极。本申请中集成外延体包括紫外LED的第一外延体和紫外探测器的第二外延体，集成外延体中的各个膜层的材料为基于同一族材料的化合物，所以一外延体、第二外延体属于同一材料体系，实现第一外延体第二外延体的同质集成，提升集成器件可靠性和稳定性，且第一外延体、第二外延体可以通过一次性的外延技术进行制备，缩短工艺时间，提升制作效率。

公开(公告)号：CN113066891A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110354218.7

申请日：2021-04-01

申请人： 南京邮电大学

发明人： 李欣 ,  李芸 ,  王徐 ,  蒋成伟 ,  沙源清 ,  王永进

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  G01N21/41

摘要： 本发明揭示了一种基于多波导型定向耦合器的集成式芯片及其制备方法，所述芯片以晶圆为载体，所述晶圆上设置有发光二极管器件，所述发光二极管器件的出光端依次设置有调节组件及光电探测器，所述调节组件由多波导型定向耦合器及与置于所述多波导型定向耦合器上方，且与所述多波导型定向耦合器垂直相交的聚二甲基硅氧烷微流体通道构成。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：可以有效且快速的监测出待测液体的折射率等物理参数。