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公开(公告)号：CN102261979A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010183674.1
申请日：2010-05-26
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器及其制造方法，所述传感器包括硅片及安装于硅片上方的键合层，所述硅片设有感压薄膜，感压薄膜上突出有岛结构；所述硅片采用岛结构的形式来实现低量程测量的要求；通过键合在硅片上面的键合层以实现绝对压力的测量；另外，所述键合层还设有防止感压薄膜过度变形的止挡块，通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。
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公开(公告)号：CN101355827A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710044322.6
申请日：2007-07-27
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
发明人： 李刚
摘要： 一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片，其首先提供一具有第一区域与第二区域的基片，接着按照标准半导体工艺流程在所述第一区域制作包含栅导电层的集成电路，同时所述栅导电层及覆盖于所述栅导电层上的介质绝缘层延伸至所述第二区域，然后去除所述第二区域上的所述介质绝缘层并采用低于400℃的低温工艺在暴露出的栅导电层上依次生成第一膜层、牺牲层及第二膜层，然后腐蚀部分的牺牲层形成以所述暴露出的栅导电层与第一膜层共同作为电容一极、而所述第二膜层作为电容另一极的电容式微硅麦克风，由此实现集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成。
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公开(公告)号：CN103991836B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310053119.0
申请日：2013-02-19
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种微机电系统传感器制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。
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公开(公告)号：CN105181230A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510477434.5
申请日：2015-08-06
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： G01L19/06
CPC分类号： B81C1/0023 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2203/0154 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 一种可以直接手指等接触的压力传感器，其包括基板、附着在所述基板上的集成电路芯片以及附着在所述集成电路芯片上的压力传感器芯片。所述压力传感器芯片包括衬底、扁平的腔体以及与所述腔体相配合的敏感膜。所述压力传感器芯片在封装前具有位于一侧的台阶、淀积在所述敏感膜以及所述台阶上的绝缘层、位于所述台阶上的第一焊盘以及引线，其中所述压力传感器还包括用以封装的材料。本发明还揭示了一种压力传感器的封装方法。相较于现有技术，本发明的所述衬底能够在所述敏感膜过度变形时阻挡所述敏感膜，从而使所述敏感膜不易破裂。另外，通过设置台阶，一方面能够起到保护引线在使用中不被触碰的作用，另一方面也能够使压力传感器做得更薄。
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公开(公告)号：CN103257007B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210036199.4
申请日：2012-02-17
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明揭示了一种压力传感器介质隔离封装结构及其封装方法。所述压力传感器介质隔离封装结构包括：衬底、由柔软的低弹性模量的材料所制成的盖体、及压力传感器芯片。所述盖体与衬底共同形成一个密闭腔体以容纳所述压力传感器芯片。当待测介质的压力作用于所述盖体上时，所述盖体发生变形从而压缩密闭腔体内的气体以达到内外压力平衡。在此过程中，所述待测介质的压力被传递到压力传感器芯片的压力敏感膜上，从而达到将压力传感器芯片以及待测介质的压力进行隔离的目的。本发明是通过压缩气体来进行压力的传递，从而避免了传统的充灌硅油不锈钢封装技术中复杂的充灌硅油的工序，大大的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN102375586B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201010257137.7
申请日：2010-08-19
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： G06F3/01
CPC分类号： G06F3/0414 , G06F3/0338 , G06F3/041 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种识别指向与力度的操纵系统，包括：操纵板及安装于操纵板一侧的多个压力传感单元，压力传感单元包括支撑操纵板的弹性元件及与弹性元件相配合的压力传感器，压力传感器设有感压膜，弹性元件的内部设有作用于感压膜的流体，操纵板在外界压力的作用下迫使弹性元件发生变形进而使流体的压强发生变化；压力传感器的感压膜感知上述压强的变化，以识别作用在操纵板上的外界压力。压力传感器包括压力传感器芯片及位于压力传感器芯片外围的封装结构，感压膜设于压力传感器芯片上；弹性元件固定于封装结构上，封装结构设有穿孔，并且弹性元件内部的流体通过穿孔直接作用在感压膜上。本发明通过弹性元件的变形及流体压强的变化，实现对外界压力的侦测，可靠性高且成本低。
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公开(公告)号：CN103974181A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310030499.6
申请日：2013-01-28
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上淀积导电物质以形成可动敏感层，在所形成的可动敏感层上形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体、以及连接框体和振动体的梁；S4：在可动敏感层上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上淀积导电物质以制作背极板；S5：在背极板上形成若干声孔；S6：形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯穿衬底；以及，S8：去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使振动体和梁悬空，去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN101959105B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910160443.6
申请日：2009-07-12
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种静电式扬声器，涉及电声换能器领域。本发明提供的静电式扬声器包括：具有导电功能且设有若干声孔的一个或者两个背极板；具有导电功能且与所述一个或者两个背极板绝缘相隔一定距离形成电容的振动膜；驱动电路元件，用于将所述静电式扬声器从其外部接入点输入的电信号转化为驱动所述振动膜振动发声的驱动信号；背腔，其包括底板以及将底板和所述振动膜周围连接的侧墙；其中所述驱动电路元件固接在所述背腔内。静电式扬声器不仅比电动动圈式扬声器具有频率响应平坦、高频特性好、体积小、稳定性高、一致性好、抗干扰能力强的特点，而且本发明的体积小，适应目前消费性电子产品小型化发展的趋势。
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公开(公告)号：CN101355827B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200710044322.6
申请日：2007-07-27
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
发明人： 李刚
摘要： 一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片，其首先提供一具有第一区域与第二区域的基片，接着按照标准半导体工艺流程在所述第一区域制作包含栅导电层的集成电路，同时所述栅导电层及覆盖于所述栅导电层上的介质绝缘层延伸至所述第二区域，然后去除所述第二区域上的所述介质绝缘层并采用低于400℃的低温工艺在暴露出的栅导电层上依次生成第一膜层、牺牲层及第二膜层，然后腐蚀部分的牺牲层形成以所述暴露出的栅导电层与第一膜层共同作为电容一极、而所述第二膜层作为电容另一极的电容式微硅麦克风，由此实现集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成。
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公开(公告)号：CN103974181B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201310030499.6
申请日：2013-01-28
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上淀积导电物质以形成可动敏感层，在所形成的可动敏感层上形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体以及连接框体和振动体的梁；S4：在可动敏感层上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上淀积导电物质以制作背极板；S5：在背极板上形成若干声孔；S6：在所述可动敏感层和所述背极板上形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯穿衬底；以及，S8：去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使振动体和梁悬空，去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。
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