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公开(公告)号：CN116053106A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211315862.4
申请日：2022-10-26
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01L21/265
Abstract: 本发明的课题在于提高离子注入工序中的生产率。离子注入方法包括如下步骤：根据第1扫描信号生成第1扫描射束；在多个测定位置，利用射束测定装置测定第1扫描射束的射束电流；根据经测定的射束电流的时间波形和确定为第1扫描信号的扫描指示值的时间波形计算射束电流矩阵；通过对经测定的射束电流进行时间积分，计算第1扫描射束的第1射束电流密度分布；根据第1射束电流密度分布，校正射束电流矩阵的各成分的值；及根据经校正的射束电流矩阵，生成用于实现作为目标的射束电流密度分布的第2扫描信号。
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公开(公告)号：CN114975175A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210171188.0
申请日：2022-02-24
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 桥口定央
Abstract: 本发明涉及晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法，均匀且迅速地调整晶片的温度。晶片温度调整装置(100)具备：上表面(112)；晶片支承机构(114)，在将上表面(112)与晶片(W)的间隔(d)维持在规定范围内，且上表面(112)与晶片(W)之间的第1空间(118)和晶片(W)上方的第2空间(120)连通的状态下，在上表面(112)的上方支承晶片(W)；工作台(104)，调整上表面(112)的温度；及气体供给部(106)，向第1空间(118)及第2空间(120)供给热传递气体。
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公开(公告)号：CN109817503B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201811351479.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 佐佐木玄
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明根据需要提高离子注入装置的质量分辨率。质量分析装置(22)具备：质量分析磁铁(22a)，对通过引出电极从离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转；质谱分析狭缝(22b)，设置于质量分析磁铁(22a)的下游，且使偏转的离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过；及透镜装置(22c)，设置于质量分析磁铁(22a)与质谱分析狭缝(22b)之间，且对朝向质谱分析狭缝(22b)的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整离子束的收敛及发散。质量分析装置(22)在隔着质谱分析狭缝(22b)的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内，利用透镜装置(22c)来改变通过质谱分析狭缝(22b)的离子束的收敛位置，由此调整质量分辨率。
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公开(公告)号：CN113363128A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110238943.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304 , G06F30/20
Abstract: 本发明评价离子束的物理量的测定的妥当性。离子注入装置(10)具备：射束生成装置，根据注入配方生成离子束；多个测定装置，测定离子束的至少一个物理量；及控制装置(60)，获取包含通过多个测定装置测定的多个测定值的数据集，使用表示多个测定值的相关关系的模型，评价离子束的至少一个物理量的测定的妥当性。
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公开(公告)号：CN108695129B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810256674.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/302
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子注入方法，能够应对多种射束条件。离子注入装置具备构成为对向晶圆照射的离子束(B)供给电子的等离子体簇射装置(60)。等离子体簇射装置(60)包含：等离子体生成室(62)，具有引出向离子束(B)供给的电子的引出开口(64)；第1电极(71)，具有与引出开口(64)连通的开口(74)，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第1电压；第2电极(72)，配置在隔着离子束(B)而与第1电极(71)相对置的位置，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部(86)，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制并切换等离子体簇射装置(60)的动作模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349574A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010715921.1
申请日：2020-07-23
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石桥和久
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建立对应关联的相关信息。控制装置计算出模拟了基于多个聚合函数及相关信息的离子注入时的晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的推断值，并修正多个聚合函数，以使推断值与目标值相似，由此生成多个校正函数。控制装置根据多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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公开(公告)号：CN112349573A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010715903.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 石桥和久
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置保持多个注入处方，多个注入处方中的每一个包含晶片处理面内的二维不均匀剂量分布、根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将二维不均匀剂量分布与多个校正函数建立对应关联的相关信息。控制装置在新获取了二维不均匀剂量分布的目标值时，从多个注入处方中确定包含与目标值相似的二维不均匀剂量分布的注入处方。控制装置根据所确定的注入处方中所包含的多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。
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公开(公告)号：CN112242286A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010547174.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 室冈博树
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明的课题在于提高将通过加热固体材料生成的蒸气用于原料的离子生成装置的性能。离子生成装置(12)具备：蒸气生成室(68)，用于对混合了作为杂质元素的单质的第1固体材料(91)和作为含有杂质元素的化合物的第2固体材料(92)的原料(90)进行加热而生成蒸气；及等离子体生成室(78)，使用从蒸气生成室(68)供给的蒸气生成含有杂质元素的离子的等离子体。杂质元素也可以是铝。
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公开(公告)号：CN108281341B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810010055.9
申请日：2018-01-05
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 佐佐木玄
IPC: H01J37/317
Abstract: 离子注入方法以及离子注入装置，以高精度迅速调整线性加速器的透镜参数。离子注入装置具备：多级线性加速单元(110)，包含多级高频谐振器和多级收敛透镜；第1射束测量部(160)，设置于多级线性加速单元(110)的中途，构成为使射束轨道(Z)的中心附近的射束部分通过，另一方面测量在射束轨道(Z)的中心附近的外侧被电极体(164)屏蔽的其他射束部分的电流量；第2射束测量部(170)，设置于多级线性加速单元(110)的下游，构成为测量从多级线性加速单元(110)射出的离子束的电流量；以及控制装置，构成为根据第1射束测量部(160)以及第2射束测量部(170)的测量结果调整多级收敛透镜的控制参数。
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公开(公告)号：CN108695129A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810256674.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/302
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3233 , H01J37/32422 , H01J2237/0045 , H01L21/2236 , H01J37/3023
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子注入方法，能够应对多种射束条件。离子注入装置具备构成为对向晶圆照射的离子束(B)供给电子的等离子体簇射装置(60)。等离子体簇射装置(60)包含：等离子体生成室(62)，具有引出向离子束(B)供给的电子的引出开口(64)；第1电极(71)，具有与引出开口(64)连通的开口(74)，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第1电压；第2电极(72)，配置在隔着离子束(B)而与第1电极(71)相对置的位置，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部(86)，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制并切换等离子体簇射装置(60)的动作模式。
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