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公开(公告)号：CN102800550A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210067360.4
申请日：2012-03-14
申请人： 日新离子机器株式会社
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304
摘要： 本发明提供离子注入装置，其包括质量分离磁铁，即使在伴随基板尺寸的大型化，带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下，与以往的技术相比，该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括：离子源，生成带状离子束；质量分离磁铁，具有一对磁极，该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置，通过在磁极之间产生的磁场，使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转；分析狭缝，使包含所希望的离子种类的离子束通过；处理室，配置有基板，通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。
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公开(公告)号：CN102683147A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110300414.2
申请日：2011-09-29
申请人： 日新离子机器株式会社
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
摘要： 本发明提供一种离子注入装置，以廉价且简单的装置结构，能够防止离子源产生的微粒混入基板。本发明的离子注入装置(IM)包括：离子源(1)，通过离子束引出口(14)朝向与重力方向(G)交差的方向引出离子束(2)；输送盘(7)，装载有基板(4)；掩模(5)，安装在输送盘(7)上，且至少具有一个开口部(6)；以及驱动机构，通过使输送盘(7)在与离子束(2)交差的方向上移动，使离子束(2)经过掩模(5)上形成的开口部(6)，对基板的规定区域进行照射。该离子注入装置还包括防尘板(11)，在沿重力方向(G)观察离子束引出口(14)时，该防尘板(11)覆盖离子束引出口(14)的下方，并且不妨碍离子束(2)照射基板(4)。
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公开(公告)号：CN102683144A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110306371.9
申请日：2011-10-11
申请人： 日新离子机器株式会社
摘要： 本发明提供狭缝电极和具有该狭缝电极的带电粒子束发生装置，当带电粒子束发生装置运转时，使狭缝状开口部的形状难以产生热变形。狭缝电极(1)包括：电极框体(2)，具有开口部(3)；以及多个电极单元(U)，能装拆地安装在电极框体(2)上。各电极单元(U)包括：多根电极棒(5)，并列设置在开口部(3)内；以及一组电极棒支承构件(6)，隔着开口部(3)支承各电极棒(5)的长度方向的端部。
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公开(公告)号：CN102629543A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110303446.8
申请日：2011-10-09
申请人： 日新离子机器株式会社
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/31711
摘要： 本发明提供离子注入方法和离子注入装置。该离子注入方法可以不受在基板面内形成的不均匀剂量分布的形状的限制，使作为不希望具有的剂量分布的过渡区域变小，并且可以缩短离子注入处理所需要的时间。该离子注入方法通过改变离子束(3)和基板(11)的相对位置关系，向基板(11)注入离子。而且，按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，该第一离子注入处理在基板(11)上形成均匀的剂量分布，该第二离子注入处理在基板(11)上形成不均匀的剂量分布，并且在进行第二离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸比在进行第一离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸小。
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公开(公告)号：CN102376513A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110137140.X
申请日：2011-05-24
申请人： 日新离子机器株式会社
发明人： 松本武
摘要： 本发明提供一种离子源电极的清洗方法，可以在构成离子源引出电极系统的电极的广阔区域上高速去除堆积物。代替向离子源(2)的等离子体生成部(4)中导入可电离气体并引出离子束，向构成引出电极系统(10)的第一电极(11)和第二电极(12)之间供给清洗用气体(48)，在将第一电极(11)和第二电极(12)之间的气压保持在高于离子束引出时的气压的状态下，从辉光放电用电源(60)向第一电极(11)和第二电极(12)之间施加电压，在两电极(11)、(12)之间使清洗用气体(48)产生辉光放电(80)。
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公开(公告)号：CN101162679B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200710180290.2
申请日：2007-10-11
申请人： 日新离子机器株式会社
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在X方向上弯曲离子束的主磁场。每一个外线圈是马鞍形线圈，其产生校正主磁场的次磁场。每一个线圈具有凹槽部分位于扇形圆柱形叠层线圈中的结构，所述叠层线圈配置如下：在迭片绝缘体的外围表面上缠绕绝缘片和导体片的迭片多匝；以及在外围表面上形成迭片绝缘体。
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公开(公告)号：CN102237245A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010528640.1
申请日：2010-11-01
申请人： 日新离子机器株式会社
发明人： 中尾和浩
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304
摘要： 本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠，在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中，能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布，按照预先决定的顺序，调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布，使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后，根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差，设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布，调整第m个束电流密度分布，使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内。
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公开(公告)号：CN101742809A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910205161.3
申请日：2009-10-16
申请人： 日新离子机器株式会社
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32678 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J2237/0041
摘要： 本发明提供了一种等离子体生成设备，该等离子体生成设备包括：天线腔室，其被邻近于生成等离子体的等离子体腔室放置，并被排气为真空；天线，其被放置在天线腔室中，并放射高频波；分隔板，其由绝缘体制成，并将等离子体腔室与天线腔室分隔以阻挡气体进入天线腔室，并且允许从天线放射的高频波穿过分隔板；以及磁体装置，其放置在等离子体腔室外部，并在等离子体腔室中生成磁场以引起电子回旋共振。
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公开(公告)号：CN101510506A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910004114.2
申请日：2009-02-12
申请人： 日新离子机器株式会社
发明人： 日野雅泰
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/20 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/20235 , H01J2237/31703
摘要： 本发明提供了一种离子注入方法及设备。使用离子束的束电流、到基板的剂量、以及被设置为1的基板的扫描次数的初始值，计算基板的扫描速度。如果扫描速度处于范围之内，则将当前的扫描次数和当前的扫描速度分别设置为实际的扫描次数和实际的扫描速度。如果扫描速度高于范围的上限，则中断计算处理。如果扫描速度低于范围的下限，则以1递增扫描次数以计算校正的扫描次数。通过使用校正的扫描次数等等计算校正的扫描速度。重复以上步骤直到校正的扫描速度处于容许的扫描速度范围之内。
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公开(公告)号：CN101467228A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021880.9
申请日：2007-06-12
申请人： 国立大学法人京都大学 , 日新离子机器株式会社
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701
摘要： 一种具有场发射电子源(10)的离子辐射装置，其中，所述场发射电子源(10)设置在离子束(2)的路径的附近并且发射电子(12)。场发射电子源(10)以一个方向设置，沿着该方向，由从电子源(10)发射的电子(12)与平行于离子束(2)的行进方向的方向所形成的入射角处于－15度至+45度的范围内(离子束(2)的内向方向是“+”，以及其外向方向是“－”)。
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