-
公开(公告)号:CN103296087B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201310038706.2
申请日:2013-01-31
CPC分类号: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物(ZnON)。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
-
公开(公告)号:CN118368943A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410036264.6
申请日:2024-01-10
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H10K59/80 , H10K59/12 , H10K59/122 , H10K71/00
摘要: 本公开涉及显示装置和显示装置的制造方法。所述显示装置包括:基底;多个像素电极,设置在所述基底上方;第一绝缘层,在所述第一绝缘层中限定第一开口,并且所述第一绝缘层设置在所述多个像素电极中的像素电极上;辅助电极,设置在所述第一绝缘层上;中间层,设置在所述像素电极上,并且所述中间层包括设置在所述第一开口内的发光层;公共电极,设置在所述中间层上;以及第一封装层,设置在所述公共电极上方,其中,所述公共电极的端部与所述辅助电极的侧表面接触并且电连接到所述辅助电极的所述侧表面,并且所述第一封装层的端部设置在所述辅助电极的所述侧表面处并且设置为低于所述辅助电极的上表面。
-
公开(公告)号:CN107546231B
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN201710337796.3
申请日:2017-05-15
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要: 根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括:基底;在基底上的栅电极;在栅电极上的栅极绝缘层;包括与栅电极重叠的沟道区、以及彼此相对的源区和漏区的半导体构件,栅极绝缘层插入沟道区与栅电极之间,沟道区插入源区与漏区之间;在半导体构件上的层间绝缘层;在层间绝缘层上的数据导体;以及在数据导体上的钝化层,其中层间绝缘层具有在沟道区上的第一孔。
-
公开(公告)号:CN116504786A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310063233.5
申请日:2023-01-19
申请人: 三星显示有限公司 , 汉阳大学校ERICA产学协力团
IPC分类号: H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121 , H10K71/00
摘要: 公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管,阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极,第一有源层在阻挡层上,第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处,第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域,第一栅电极在第一有源层上,第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。
-
公开(公告)号:CN113963654A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202110749364.X
申请日:2021-07-02
申请人: 三星显示有限公司 , 汉阳大学校 ERICA 产学协力团
IPC分类号: G09G3/32 , G09G3/3208 , H01L27/15 , H01L27/32
摘要: 本发明提供了一种显示装置。该显示装置可以包括:基板;阻挡层,设置在基板上,并且具有沟槽;有源图案,设置在阻挡层上,由氧化物半导体形成,并且包括沿着沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在沟道区的各端处的源区和漏区;栅电极,设置在有源图案上,并且与沟道区重叠;源电极,设置在栅电极上,并且与源区电连接;以及漏电极,设置在栅电极上,并且与漏区电连接。
-
公开(公告)号:CN113540163A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110313254.9
申请日:2021-03-24
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/32
摘要: 提供显示装置及其制造方法。显示装置包括:基板;第一栅电极,配置在基板上;缓冲层,配置在第一栅电极上;第一有源图案,配置在缓冲层上且与第一栅电极重叠;第二有源图案,配置在缓冲层上且与第一有源图案间隔开,且包括沟道区域及分别配置在沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域;源极图案和漏极图案,分别配置在第一有源图案的两端部上;第一绝缘图案,配置在源极图案与漏极图案之间的第一有源图案上;第二绝缘图案,配置在第二有源图案的沟道区域上;第一供氧图案,配置在第一绝缘图案上且向第一有源图案供给氧;第二供氧图案,配置在第二绝缘图案上且向第二有源图案供给氧;和第二栅电极,配置在第二供氧图案上。
-
公开(公告)号:CN112086483A
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN202010521580.4
申请日:2020-06-10
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/32
摘要: 本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法,所述显示装置包括:基底;第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,布置在所述基底上方;显示元件,连接到所述第一薄膜晶体管;布线,连接到所述第二薄膜晶体管并且包括第一布线层和第二布线层;图案绝缘层,布置在所述第一布线层和所述第二布线层之间;平坦化层,覆盖所述布线;以及连接电极,布置在所述平坦化层上,并分别通过第一接触孔和第二接触孔连接到所述第一布线层和所述第二布线层。
-
公开(公告)号:CN110875335A
公开(公告)日:2020-03-10
申请号:CN201910697762.4
申请日:2019-07-30
申请人: 三星显示有限公司
摘要: 本公开涉及一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括基底、第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管以及子像素结构。所述基底具有包括多个子像素区域的显示区域和位于所述显示区域旁边的外围区域。所述第一氧化物晶体管设置在所述基底上的所述外围区域中,并且包括第一氧化物半导体图案,所述第一氧化物半导体图案包括锡(Sn)。所述第二氧化物晶体管设置在所述基底上的每个所述子像素区域中,并且包括第二氧化物半导体图案。所述子像素结构设置在所述第二氧化物晶体管上。
-
公开(公告)号:CN107546231A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201710337796.3
申请日:2017-05-15
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC分类号: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要: 根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括:基底;在基底上的栅电极;在栅电极上的栅极绝缘层;包括与栅电极重叠的沟道区、以及彼此相对的源区和漏区的半导体构件,栅极绝缘层插入沟道区与栅电极之间,沟道区插入源区与漏区之间;在半导体构件上的层间绝缘层;在层间绝缘层上的数据导体;以及在数据导体上的钝化层,其中层间绝缘层具有在沟道区上的第一孔。
-
公开(公告)号:CN220692026U
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202322067664.7
申请日:2023-08-03
申请人: 三星显示有限公司 , 汉阳大学校ERICA产学协力团
IPC分类号: H01L27/12
摘要: 本申请涉及显示设备。根据实施方式,显示设备包括:第一电容器电极,设置在衬底上以包括第一导电层和设置在第一导电层上的第二导电层;缓冲层,设置在第一电容器电极上;第二电容器电极,设置在缓冲层上;驱动晶体管,设置在衬底上;以及存储电容器,设置在衬底上并且电连接到驱动晶体管,其中,第一电容器电极包括取决于设置在第一导电层上的第二导电层的图案的凹部分和凸部分,缓冲层和第二电容器电极各自包括与第一电容器电极的凹部分和凸部分对应的突出部和凹陷部,并且第一电容器电极和第二电容器电极形成存储电容器的两个电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-