公开(公告)号：CN116153940A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211448586.9

申请日：2022-11-18

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李京垣 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  金恩贤 ,  金亨俊 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 公开了一种薄膜晶体管和一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在遮光层上，并且包括金属氧化物；缓冲层，设置在基底上，并且覆盖氧供应层；有源层，设置在缓冲层上，其中，有源层包括与遮光层叠置的沟道区以及分别与沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；以及栅极绝缘层，设置在有源层的沟道区上。

公开(公告)号：CN116072729A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211360841.4

申请日：2022-11-02

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 金亨俊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开一种晶体管以及晶体管的制造方法。根据一实施例的晶体管包括：半导体层，配置于基板上；栅极电极，与所述半导体层重叠；源极电极以及漏极电极，与所述半导体层电连接，所述半导体层包含掺杂在第一物质中的第二物质，所述第一物质包含以化学式XYa表示的化合物，所述X是Mo、W、Zr以及Re中的一种，所述Y是S、Se以及Te中的一种，所述a是1以上的自然数，所述第二物质包含W、Hf、Ta、Ti、Pt、Ni、Ga以及Zr中的至少任一种，所述第二物质包含与所述第一物质不同的元素。

公开(公告)号：CN116033791A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211271504.8

申请日：2022-10-18

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金亨俊 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC分类号： H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/124 ,  H10K59/131 ,  H10K71/00

摘要： 本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：第一导电层，包括第一电压线和第二电压线；缓冲层；半导体层，包括第一有源层和第二有源层；第一栅极绝缘层；第二导电层，包括与第一有源层重叠的第一栅电极和与第二有源层重叠的第二栅电极；钝化层；过孔层；堤图案层，包括彼此部分地间隔开的第一堤图案和第二堤图案；第三导电层，包括彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及发光元件。钝化层包括氮化硅(SiNx)，并且氮化硅(SiNx)中的硅‑氢键(Si‑H)的数量与氮‑氢键(N‑H)的数量的比率在约1:0.6至约1:1.5的范围内。

公开(公告)号：CN114582812A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111419203.0

申请日：2021-11-26

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金亨俊 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

摘要： 提供了显示装置。根据实施方式的显示装置包括布置在衬底上的遮光层、布置在遮光层上并且接触遮光层的供氧层、布置在供氧层上的半导体层以及与半导体层电连接的发光二极管。半导体层包括氧化物半导体，并且供氧层包括包含有铟、锌、镓和锡中的至少一种的金属氧化物。

公开(公告)号：CN114447016A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111264223.5

申请日：2021-10-28

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金亨俊 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

摘要： 本申请涉及显示设备。显示设备包括：第一堤部，在衬底上并且彼此间隔开；第一电极和第二电极，在第一堤部上并且彼此间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；以及发光元件，在第一绝缘层上，并且各自具有在第一电极和第二电极上的端。第一堤部中的每个包括第一图案部分，第一图案部分包括凹入部分和凸出部分。第一堤部的第一图案部分设置在第一堤部的侧表面上。侧表面间隔开并且面向彼此。第一电极和第二电极中的每个包括第二图案部分，第二图案部分在第一图案部分上并且在其表面上具有与第一图案部分相对应的图案形状。

公开(公告)号：CN108535910B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201810357946.1

申请日：2013-07-10

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 郑形基 ,  金晒玹 ,  尹汝建 ,  洪成憙 ,  金亨俊 ,  朴载华 ,  宋荣九 ,  金性勋

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：第一绝缘基底；栅极线，设置在第一绝缘基底上；第一数据线和第二数据线，设置在第一绝缘基底上；滤色器，设置在第一绝缘基底上并且设置在第一数据线和第二数据线之间；第一光阻挡构件，设置在第一数据线和第二数据线上；以及第二光阻挡构件，设置在滤色器和第一光阻挡构件上、沿着与栅极线相同的方向延伸并且在第一数据线和第二数据线上与第一光阻挡构件叠置。

公开(公告)号：CN105679832B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201510883961.6

申请日：2015-12-04

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 方硕焕 ,  金亨俊 ,  林志晚

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/471

摘要： 本公开提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。一种薄膜晶体管基板包括：栅极电极，设置在基底基板上；有源图案，与栅极电极交叠；源极金属图案，包括设置在有源图案上的源极电极和与源极电极分隔开的漏极电极二者；缓冲层，设置在源极金属图案上并接触有源图案；第一钝化层，设置在缓冲层上；以及第二钝化层，设置在第一钝化层上。缓冲层中的氢的密度大于第一钝化层中的氢的密度且小于第二钝化层中的氢的密度。

公开(公告)号：CN112397550A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010742693.7

申请日：2020-07-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙晳 ,  金明花 ,  金兑相 ,  金亨俊 ,  文然建 ,  朴根徹 ,  孙尚佑 ,  林俊亨 ,  全景辰 ,  崔惠临

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G09G3/3233

摘要： 本发明涉及显示设备及其制造方法。该显示设备包括：基板；被布置在基板上的缓冲层；被布置在缓冲层上并且包括氧化物半导体和第一有源层的第一半导体层；被布置在第一半导体层和缓冲层上的第一栅绝缘层；被布置在第一栅绝缘层上并且包括氧化物半导体、第二有源层以及在第一有源层上的第一氧化物层的第二半导体层；被布置在第二半导体层上的第二栅绝缘层；被布置在第二栅绝缘层上的第一导电层；被布置在第一导电层上的绝缘层；被布置在绝缘层上的第二导电层；被布置在第二导电层上的钝化层；以及被布置在钝化层上的第三导电层。

公开(公告)号：CN105319763A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510462900.2

申请日：2015-07-31

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 尹锡圭 ,  金恩珠 ,  金亨俊 ,  罗柄善 ,  朴成宰 ,  李润锡 ,  李益洙 ,  李濬表 ,  任完淳 ,  黄宗鹤

IPC分类号： G02F1/1335

摘要： 本发明的一个或多个实施方式涉及液晶显示器，包括：彼此面对的第一基板和第二基板；在第一基板和第二基板的任一个上的第一颜色像素区、第二颜色像素区、第三颜色像素区和白色像素区；以及在第一基板和第二基板之间的液晶层。第一滤色器设置在第一颜色像素区和白色像素区的每个中，第一像素区、第二像素区、第三像素区和白色像素区的每个包括多个畴，每两个相邻的畴具有在它们之间的边界，第一滤色器设置在白色像素区中的畴之间的至少一个边界处。

公开(公告)号：CN104347822A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410217069.X

申请日：2014-05-21

申请人： 三星显示有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 吴敏镐 ,  金容铎 ,  李昭玲 ,  赵尹衡 ,  金钟祐 ,  文智永 ,  金亨俊 ,  朴相炫 ,  金爀珍 ,  吴承河

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L51/5256 ,  H01L51/0031

摘要： 本发明提供了显示设备。显示设备包括：衬底、位于衬底上的显示面板、和用于密封显示面板的封装膜。封装膜包括至少一个有机层和/或至少一个无机层以及至少一对导电层。