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公开(公告)号:CN101976671A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN201010273756.5
申请日:2005-11-18
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0272 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L29/78603
Abstract: 一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板,包括:设置在该基板一个表面上的变形防止层。该基板可以包括设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管和变形防止层,该变形防止层设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。
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公开(公告)号:CN1790749B
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200510119451.8
申请日:2005-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L27/32 , H01L21/336 , H01L51/40 , H05B33/12 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外,该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。
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公开(公告)号:CN101924140A
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN201010136377.1
申请日:2006-04-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L29/78651 , H01L29/78681 , H01L51/0017
Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括:衬底;安置在衬底上的栅极电极;彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极;以及与栅极电极绝缘的半导体层,接触源极和漏极电极的每一个,并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分,并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
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公开(公告)号:CN1870235B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200610099617.9
申请日:2006-05-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3274 , H01L51/0021 , H01L51/0541
Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT),一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中,由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极,而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异,所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜,通过蚀刻缓冲膜,在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元,在缓冲膜上形成电极层,使用光刻工艺,通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极,在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层,在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。
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公开(公告)号:CN1874001B
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200610099874.2
申请日:2006-05-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 一种平板显示器,可以防止驱动功率的电压下降,同时,还可以将位于电路区域的电子器件的性能下降最小化,在该区域中设置各种电子器件,该平板显示器包括:基板;设置在基板上的绝缘膜;包括至少一个发光二极管的像素区域,该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像;设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域;及插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域中并与发光二极管的电极电连接的导电膜。
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公开(公告)号:CN100585901C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200510003495.4
申请日:2005-11-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管,和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括:形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极;和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。
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公开(公告)号:CN100543950C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200510119172.1
申请日:2005-11-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/5253
Abstract: 提供了一种具有TFT的塑料衬底的制造方法,一种根据该方法制造的衬底,一种平板显示器的制造方法以及一种根据该方法制造的平板显示器,可以被用到柔性平板显示器上。该方法包括:制备包括多个导电图案的薄膜;粘结该薄膜到衬底上;将TFT电连接到薄膜上的导电图案;在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。
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公开(公告)号:CN100521842C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200510087830.3
申请日:2005-06-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/322 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/0541
Abstract: 提供一种包括有机薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵有机电致发光(EL)显示器件,具有较高孔径比并且容易以阵列结构实现,该有机薄膜晶体管优选为n型。该显示器件包括表面电极;在表面电极上至少包括发光层的中间层;形成在中间层上的像素电极;位于像素电极上并与像素电极绝缘的第一电极;位于像素电极上并与像素电极耦接的第二电极;接触第一电极和第二电极的n型有机半导体层;以及位于n型有机半导体层上并与第一电极,第二电极和该n型有机半导体层绝缘的第一栅电极。
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公开(公告)号:CN100517730C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200610110090.5
申请日:2004-07-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且,这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性,在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且,由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀,所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号:CN100511680C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200510103852.4
申请日:2005-08-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/124 , H01L27/283 , H01L51/56 , H01L2227/323
Abstract: 一种能最小化串扰的半导体装置和包含这种半导体装置的平板显示装置,这种半导体装置包含两个薄膜晶体管。这种半导体装置包括:第一电极,在同一平面上包围第一电极的第二电极,在同一平面上包围第二电极的第三电极,在同一平面上包围第三电极的第四电极,与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极分离的另一平面上的第一栅极,第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔,与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极的平面分离的另一平面上的第二栅极,第二栅极对应于第三电极和第四电极之间的间隔,以及与第一栅极和第二栅极绝缘并且与第一到第四电极接触的半导体层。
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