薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器

    公开(公告)号:CN101924140A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN201010136377.1

    申请日:2006-04-21

    Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括:衬底;安置在衬底上的栅极电极;彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极;以及与栅极电极绝缘的半导体层,接触源极和漏极电极的每一个,并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分,并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

    有机TFT,其制造方法以及平板显示器件

    公开(公告)号:CN1870235B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200610099617.9

    申请日:2006-05-26

    CPC classification number: H01L51/105 H01L27/3274 H01L51/0021 H01L51/0541

    Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT),一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中,由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极,而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异,所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜,通过蚀刻缓冲膜,在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元,在缓冲膜上形成电极层,使用光刻工艺,通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极,在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层,在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。

    平板显示器
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1874001B

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200610099874.2

    申请日:2006-05-29

    Abstract: 一种平板显示器,可以防止驱动功率的电压下降,同时,还可以将位于电路区域的电子器件的性能下降最小化,在该区域中设置各种电子器件,该平板显示器包括:基板;设置在基板上的绝缘膜;包括至少一个发光二极管的像素区域,该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像;设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域;及插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域中并与发光二极管的电极电连接的导电膜。

    有机薄膜晶体管及其制造方法和平板显示器件

    公开(公告)号:CN100585901C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200510003495.4

    申请日:2005-11-23

    Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管,和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括:形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极;和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。

    平板显示装置和互补金属氧化物半导体器件

    公开(公告)号:CN100517730C

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200610110090.5

    申请日:2004-07-16

    Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且,这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性,在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且,由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀,所以在象素部分中具有更好的电流一致性。

    半导体装置和包含该半导体装置的平板显示装置

    公开(公告)号:CN100511680C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200510103852.4

    申请日:2005-08-05

    Inventor: 具在本 徐旼彻

    Abstract: 一种能最小化串扰的半导体装置和包含这种半导体装置的平板显示装置,这种半导体装置包含两个薄膜晶体管。这种半导体装置包括:第一电极,在同一平面上包围第一电极的第二电极,在同一平面上包围第二电极的第三电极,在同一平面上包围第三电极的第四电极,与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极分离的另一平面上的第一栅极,第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔,与第一到第四电极绝缘并且设置在与第一到第四电极的平面分离的另一平面上的第二栅极,第二栅极对应于第三电极和第四电极之间的间隔,以及与第一栅极和第二栅极绝缘并且与第一到第四电极接触的半导体层。

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