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公开(公告)号：CN109461668A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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公开(公告)号：CN102709395B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210191009.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。
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公开(公告)号：CN102864496A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210349836.3
申请日：2012-09-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种移动加热器法生长碲锌镉晶体的装置，设有高频电磁感应加热器和上下电阻加热炉，上下电阻加热炉形成生长炉体中间加热段的保温区，伺服旋转机构驱动氧化铝支撑杆带动石英料管转动，伺服直线移动机构驱动生长炉体在竖直方向上进行升降运动，控制系统控制高频电磁感应加热器和上下电阻加热炉的输出功率，并控制伺服旋转机构并使碲锌镉晶体生长材料处于生长炉体的中间加热段，控制系统控制伺服直线移动机构匀速上升，同时控制伺服旋转机构使石英料管匀速旋转。本发明装置制备碲锌镉晶体，能降低了晶体生长温度，减少了杂质污染，同时区熔过程的存在对晶体起到了提纯的作用，最终获得高纯度的碲锌镉晶体，完全符合作为探测器材料要求。
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公开(公告)号：CN102230213B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102220644A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101887921A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010215756.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该CMT薄膜太阳能电池的结构为：透明导电玻璃/CdS/CdMnTe/背电极或透明导电玻璃/CMT电池/CuInSe2电池/背电极的叠层电池。其中CMT薄膜制备方法是：采用近空间升华法在衬底上沉积CdMnTe薄膜；薄膜沉积后，采用近空间升华设备，在氯化镉蒸汽氛围中对CMT薄膜进行高温退火。采用CMT薄膜制备太阳能电池有利于促进低成本、高稳定性和高效率叠层太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN101882653A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215802.6
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN118241314A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410526089.9
申请日：2024-04-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长界面改善系统及方法，所述改善系统包括炉膛(1)和套设于炉膛(1)外侧的加热模块(2)；所述炉膛(1)沿其轴向分为中部炉膛(11)和端部炉膛(12)，加热模块(2)包括与中部炉膛(11)对应的中部加热模块(21)以及与端部炉膛(12)对应的端部加热模块(22)；所述中部加热模块(21)内还设有能通入交变电流的激励线圈(3)。与现有技术相比，本发明可以在移动加热器法的使用过程中通过电磁搅拌的方式促进Te溶液对流，以此改善CdZnTe晶体生长界面，获得高质量CdZnTe单晶。
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公开(公告)号：CN117684250A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410024933.8
申请日：2024-01-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种实现窄峰型温场生长CdZnTe单晶体的装置及方法，装置包括炉膛、加热模块、保温模块和测温模块；所述炉膛内设有用于放置CdZnTe多晶体的支撑杆；加热模块设于炉膛外侧，加热模块沿炉膛轴向分为中部加热模块和端部加热模块，CdZnTe多晶体置于中部加热模块对应辐射的区域；保温模块包括与中部加热模块和端部加热模块分别对应的中部保温模块和端部保温模块；其中，端部保温模块位于端部加热模块外侧；中部保温模块围绕中部加热模块设置并在中部加热模块和炉膛之间开设供中部加热模块热辐射的加热窗口；中部加热模块和端部加热模块均连接测温模块。与现有技术相比，本发明可以实现可调控的窄峰型温场，从而生长高质量的CdZnTe单晶体。
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公开(公告)号：CN109461668B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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