公开(公告)号：CN110010465A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811574685.5

申请日：2018-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 板谷刚司 ,  石坂忠大 ,  康达巴拉 ,  塔皮里 ,  尤凯鸿 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。

公开(公告)号：CN106952894A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611191916.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。

公开(公告)号：CN101082125B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200610140313.2

申请日：2006-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。

公开(公告)号：CN101084327B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200580043869.3

申请日：2005-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  五味淳 ,  若林哲

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。

公开(公告)号：CN101205605A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。

公开(公告)号：CN100364046C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN03820662.5

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  石坂忠大 ,  小岛康彦 ,  大岛康弘 ,  重冈隆

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557

Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。

公开(公告)号：CN1826428A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480002181.6

申请日：2004-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大岛康弘 ,  小岛康彦 ,  重冈隆 ,  河南博 ,  石坂忠大

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。