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公开(公告)号：CN103367567A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264472.3
申请日：2013-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN103367123A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264486.5
申请日：2013-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN103050432A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210559663.8
申请日：2012-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/Si或GOI衬底；于所述GaAs层表面形成第一SiO2层；键合一表面具有第二SiO2层的Si衬底，进行第一退火加强键合，进行第二退火使所述注入层剥离；采用XeF2气体腐蚀以去除GaAs层表面残留的半导体衬底，获得GaAsOI结构；采用类似的方案可以获得高质量的Ⅲ-ⅤOI结构。本发明通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段，获得高质量的GaAs层及Ⅲ-Ⅴ半导体层；采用高选择性气体腐蚀的方法，可以有效地将通过智能剥离后的残留半导体衬底去除的同时保持GaAs层的完整性，从而有效地制备出高质量的GaAsOI或Ⅲ-ⅤOI。
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公开(公告)号：CN103021812A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210559716.6
申请日：2012-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO2层，所述半导体衬底为Ge、Ge/Si及Ge/GeSi/Si衬底的一种；2）提供一表面具有第二SiO2层的Si衬底，键合所述第一SiO2层及第二SiO2层；3）采用XeF2气体腐蚀以去除所述半导体衬底，获得GaAs层/Ⅲ-Ⅴ半导体层/SiO2层/Si衬底结构。本发明具有以下有益效果：通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段可以获得高质量的Ⅲ-Ⅴ半导体层；通过高选择性气体腐蚀的方法制备Ⅲ-ⅤOI，可以有效地将半导体衬底去除的同时保持了Ⅲ-Ⅴ半导体层完整性，从而有效地制备出高质量的Ⅲ-ⅤOI。
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公开(公告)号：CN102627274A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210120753.7
申请日：2012-04-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/188
摘要： 本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术，本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源，催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性，人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。
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公开(公告)号：CN102583359A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210096785.8
申请日：2012-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/003
摘要： 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。
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公开(公告)号：CN111564756B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010290079.1
申请日：2020-04-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请提供一种硅基无磷激光器及其制备方法，该方法包括：在InP衬底上生长InGaAs外延层；利用离子注入的方式在所述InGaAs外延层中注入离子形成损伤层；将所述InGaAs外延层与硅衬底键合；通过加热的方式将所述InGaAs外延层于所述损伤层处剥离，得到硅基InGaAs衬底；将所述硅基InGaAs衬底的顶层抛光后外延InGaAs缓冲层、超晶格位错阻挡层、腐蚀阻挡层以及激光器结构。本申请的硅基无磷激光器及其制备方法通过键合技术直接获得高质量的硅基InGaAs衬底，可以避免在硅衬底上直接外延生长III‑V族化合物所产生的的失配位错、缺陷、反相畴等影响后续材料外延生长质量的问题。
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公开(公告)号：CN109427538B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201710735726.3
申请日：2017-08-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿缺陷层剥离所述牺牲层，以将键合有薄膜盖层的受体衬底与供体衬底分离，获得受体衬底‑薄膜盖层异质结构。通过上述方案，本发明中引入含铝化合物等易被化学腐蚀的材料作为牺牲层，层裂之后借用含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的异质结构和供体衬底表面洁净，可以成功的将薄膜盖层转移到受体衬底上，在提供柔性衬底的同时，供体衬底材料还可以重复利用。
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公开(公告)号：CN111564756A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010290079.1
申请日：2020-04-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请提供一种硅基无磷激光器及其制备方法，该方法包括：在InP衬底上生长InGaAs外延层；利用离子注入的方式在所述InGaAs外延层中注入离子形成损伤层；将所述InGaAs外延层与硅衬底键合；通过加热的方式将所述InGaAs外延层于所述损伤层处剥离，得到硅基InGaAs衬底；将所述硅基InGaAs衬底的顶层抛光后外延InGaAs缓冲层、超晶格位错阻挡层、腐蚀阻挡层以及激光器结构。本申请的硅基无磷激光器及其制备方法通过键合技术直接获得高质量的硅基InGaAs衬底，可以避免在硅衬底上直接外延生长III-V族化合物所产生的的失配位错、缺陷、反相畴等影响后续材料外延生长质量的问题。
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公开(公告)号：CN107039884B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01S5/34
摘要： 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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