中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

45 records (took 0.029 seconds)

    GaAs基板的洗涤方法、GaAs晶片及外延基板的制造方法
    32.
    发明授权
    GaAs基板的洗涤方法、GaAs晶片及外延基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100437927C

    公开(公告)日：2008-11-26

    申请号：CN200580001650.7

    申请日：2005-04-25

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 堀江裕介 ,  西浦隆幸 ,  上村智喜

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10T428/265

    Abstract: 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。

    研磨剂、制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法
    34.
    发明授权
    研磨剂、制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN102484059B

    公开(公告)日：2015-09-09

    申请号：CN201080040221.1

    申请日：2010-11-26

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 石桥惠二 ,  二村真史 ,  西浦隆幸

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/04

    Abstract: 本发明提供一种研磨剂和利用所述试剂制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法，由此能够有利地保持化合物半导体衬底的表面品质，还能够保持高研磨速率。所述研磨剂为用于GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的研磨剂，且包含碱金属碳酸盐、碱金属有机酸盐、氯基氧化剂和碱金属磷酸盐，其中所述碱金属碳酸盐和所述碱金属有机酸盐的浓度总和为0.01mol/L～0.02mol/L。所述制造化合物半导体的方法包括：准备GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的步骤，以及利用上述研磨剂对所述化合物半导体的面进行研磨的步骤。

    包装化合物半导体衬底的方法
    37.
    发明公开
    包装化合物半导体衬底的方法 有权

    公开(公告)号：CN101549781A

    公开(公告)日：2009-10-07

    申请号：CN200910133055.9

    申请日：2009-04-02

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄 ,  薮原良树

    IPC: B65D85/86 ,  B65D81/24 ,  B65D81/26 ,  B65D81/20 ,  B65D77/04 ,  B65D77/24

    CPC classification number: B65B61/20 ,  B65B31/024 ,  B65D77/003 ,  B65D77/04 ,  B65D81/266

    Abstract: 本发明提供了一种用于防止化合物半导体衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。所述化合物半导体衬底的包装方法包括第一步骤：将化合物半导体衬底(10)插到可透气的刚性容器(20)内，将所述刚性容器(20)放到具有1～100ml·m－2·天－1·atm－1的透氧率和1～15g·m－2·天－1的透湿率的内包装袋(30)内，用惰性气体置换所述内包装袋(30)内的空气，以及对所述内包装袋进行气密性密封；以及第二步骤：将所述密封的内包装袋(30)和至少吸收或吸附氧气和水分的脱氧剂/脱水剂(40)放到外包装袋(60)内，并对所述外包装袋(60)进行气密性密封，所述外包装袋(60)具有5ml·m－2·天－1·atm－1以下且低于所述内包装袋(30)的透氧率，并具有3g·m－2·天－1以下且低于所述内包装袋(30)的透湿率。

    GaAs半导体衬底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及制造方法
    38.
    发明公开
    GaAs半导体衬底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101452894A

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：CN200810178882.5

    申请日：2008-12-04

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 西浦隆幸

    IPC: H01L23/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/42

    CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

    Abstract: 本发明涉及GaAs半导体衬底及其制造方法，还涉及包括GaAs半导体衬底的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法。所述GaAs半导体衬底包括相对于(100)面(10a)具有6°～16°倾斜角的主表面(10m)，在该主表面(10m)上的氯原子浓度不超过1×1013cm－2。所述GaAs半导体制造方法包括抛光GaAs半导体晶片的抛光步骤，清洁经抛光的GaAs半导体晶片的第一次清洁步骤，对经历过第一次清洁的GaAs半导体晶片的厚度和主表面平整度进行检查的检查步骤，以及用不同于盐酸的酸和碱中的一种对检查过的GaAs半导体晶片进行清洁的第二次清洁步骤。通过上述GaAs半导体衬底，即使当在主表面上生长至少一层含至少三种元素的III－V族化合物半导体层时，仍能获得具有高性能的III－V族化合物半导体器件。

    化合物半导体衬底、其表面处理方法及制造方法
    39.
    发明公开
    化合物半导体衬底、其表面处理方法及制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101038871A

    公开(公告)日：2007-09-19

    申请号：CN200710084402.4

    申请日：2007-03-02

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 西浦隆幸 ,  冲田恭子 ,  堀江裕介

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L23/00

    CPC classification number: H01L21/02052

    Abstract: 提供了一种化合物半导体衬底的表面处理方法，一种化合物半导体的制造方法，一种化合物半导体衬底以及一种半导体晶片，涉及通过减小在由化合物半导体所形成的衬底的表面处的杂质浓度，来减小形成在衬底上的层处的杂质浓度。该化合物半导体衬底表面处理方法包括衬底制备步骤(S10)以及第一清洗步骤(S20)。衬底制备步骤(S10)包括制备由包含至少5质量％的铟的化合物半导体所形成的衬底的步骤。在第一清洗步骤(S20)中，使用清洗液清洗所述衬底至少3秒钟但不超过60秒钟的清洗持续时间，该清洗液具有至少－1但不超过3的pH，以及满足－0.08333x+0.750≤E≤－0.833x+1.333的关系的氧化还原电位E(mV)，其中x是pH值。

Patent Agency Ranking