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公开(公告)号：CN101617408B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880005310.5
申请日：2008-02-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 在其中要在基板1上形成栅电极4的薄膜晶体管的制造方法中，该方法具有以下步骤：在基板1上形成栅电极4；以覆盖所述栅电极4的方式形成金属氧化物层7；形成源电极6和漏电极5；以及在惰性气体中实施退火，以将金属氧化物层7的一部分变成沟道区域。
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公开(公告)号：CN101467257B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780009137.1
申请日：2007-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3211 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供了一种发光器件，包含：设置在基片上并包含蓝色像素区、绿色像素区和红色像素区的像素区，所述蓝色像素区、绿色像素区和红色像素区分别对应于三原色蓝色、绿色和红色的光，该像素区包括：具有源电极、漏电极、栅电极、栅绝缘膜和有源层的薄膜晶体管；发光层；以及用于将该发光层夹在中间的下电极和对置电极，其中该有源层包含氧化物；该漏电极与该发光层的一部分电连接；并且该薄膜晶体管设置在基片上的除蓝色像素区之外的区域中。
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公开(公告)号：CN101405869B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200780009277.9
申请日：2007-02-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28202 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。
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公开(公告)号：CN101681927A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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公开(公告)号：CN101548389A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780045002.0
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/66969
Abstract: 提供一种底栅型薄膜晶体管，该底栅型薄膜晶体管在衬底(1)上包括：栅电极(2)、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜(3)、作为沟道层的氧化物半导体层(4)、作为保护层的第二绝缘膜(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，氧化物半导体层(4)包括氧化物，所述氧化物包括选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种，并且，第二绝缘膜(5)包括被形成为与氧化物半导体层(4)接触的非晶氧化物绝缘体，并且在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的脱附气体，该脱附气体通过温度编程脱附测量被观察为氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101506986A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031168.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括非晶氧化物半导体膜，其中形成有源层的步骤包括：在具有1×10－3Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤，和在第一步骤之后在氧化气氛中对氧化物膜退火的第二步骤。
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公开(公告)号：CN101405869A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009277.9
申请日：2007-02-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28202 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。
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公开(公告)号：CN1384552A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02121842.0
申请日：2002-03-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , H01L31/03685 , H01L31/075 , H01L31/182 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10T428/261
Abstract: 本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其特征是,至少一层硅基膜含微晶,微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其中至少一层硅基膜含微晶,膜中的微晶取向特征按其膜厚方向变化。为了提供价格便宜的有优良性能的硅基膜,本发明提供一种具有优良特性,生产周期缩短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括该硅基膜,有优良附着力和优良的耐环境性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1112294A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94120764.1
申请日：1994-12-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。
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公开(公告)号：CN102593188B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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