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公开(公告)号：CN1185690C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1381870A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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公开(公告)号：CN118326332A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452503.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法。在金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延AlN外延层中，首先制备AlN纳米图形化结构，然后在AlN纳米图形化结构上经过三步外延，大幅降低外延层中的位错缺陷，最终可在纳米级厚度获得表面平整，内部无空隙，位错密度极低的AlN外延层。这种在纳米图形化结构上的多步外延方法，形成多种外延晶面，可以快速偏折位错缺陷的延伸方向到水平方向，不仅可以在较低的生长厚度下达到低位错缺陷密度，而且可以获得平整的表面形貌。本发明方法采用的工艺步骤与常规MOCVD晶体外延工艺相兼容，适用于与AlN相关的高质量材料制备工艺体系。
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公开(公告)号：CN118183641A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410452506.X
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明公开了一种通过消除表面间隙降低AlN表面分解的高温退火方法。首先在AlN模板表面完全覆盖与AlN兼容的覆盖层材料，并进一步在两片AlN模板面对面贴敷时，夹入高纯AlN粉末，以这种贴敷形式进行后续高温退火。所制得的AlN模板表面高温退火分解大大降低，具有大面积均匀光滑的表面；本发明方法采用的工艺步骤与半导体微电子技术相兼容，适用于与AlN相关的高性能光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号：CN115101593A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210559846.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种胆固醇生物传感器，其特征在于：以HEMT为换能器，在换能器的栅极上固定胆固醇氧化酶，所述栅极表面材料为金。还公开了其制备方法。本发明运用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构作为换能器，将胆固醇氧化酶固定到器件的金栅上，实现对胆固醇的探测。这样不仅具备了电化学的性能，如测试简单，结构简化，实时反应，成本低等优点，同时由于HEMT结构的本征信号低，受外界其他环境影响小，灵敏度有一个很大的提高。促使胆固醇生物传感器提高了对胆固醇的准确性、专一性、稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114262938A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111548883.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN的批量制备。
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公开(公告)号：CN111554733A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
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公开(公告)号：CN111554575A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010401018.8
申请日：2020-05-13
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制备中低表面损伤的两步干法刻蚀方法，其步骤包括：(1)器件表面清洁；(2)高速的纵向ICP干法刻蚀；(3)低速的纵向ICP干法刻蚀；其特征在于：步骤(2)中的RF功率在步骤(3)中RF功率的200％以上，步骤(3)中的ICP功率在步骤(2)中ICP功率的200％以上。本发明通过先后采用两套不同的刻蚀功率，实现两步刻蚀，机理主要是在ICP刻蚀接近器件设计深度时，将主要刻蚀机制从离子轰击效应更换为表面离子化学反应，依靠小动能的表面化学反应，完成最后的刻蚀结构，从而将表面刻蚀损伤降低到最小范围。
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公开(公告)号：CN109935614A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro-LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro-LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro-LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN109037291A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810863787.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。
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