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公开(公告)号：CN112531050B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011393697.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的横向SAM型APD边缘电场聚集效应的器件。该器件是先在p‑型AlGaN衬底上同质外延一层一定厚度的非故意掺杂的AlGaN，再在AlGaN上异质外延一层GaN，然后通过离子注入的方式在AlGaN层形成横向的p‑i‑n‑i‑n结构,上面形成p‑GaN覆盖层。刻蚀掉不需要的部分p‑GaN后，进行p型欧姆接触与n型欧姆接触的制备，形成横向SAM型APD器件。通过调节p‑GaN覆盖层的掺杂浓度与覆盖长度等参数，可以实现对横向SAM型APD器件边缘电场的调节。在合适的覆盖长度下，可以实现不具有显著的边缘电场聚集效应的GaN基横向SAM型APD器件。同时，p‑GaN覆盖层降低了掺杂与欧姆接触的难度，而极化场的引入，也会带来正的器件效益。
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公开(公告)号：CN114156347A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111608967.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高耐压和低导通的横向结构功率肖特基二极管器件，其特征在于其结构自下而上依次包括：具有渐变势垒的器件外延结构，在渐变势垒内形成从高到低指向衬底的极化电场；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在沟道层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明充分利用了沟道的高电导特性和维持势垒阻挡层，将集中分布在阳极边缘的电场分散抵消或减弱，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
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公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN113299805A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110569721.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称量子阱结构的UV‑LED，其结构自下而上包括：一衬底层；一生长于衬底层上的n‑AlGaN层；一生长于n型AlGaN层上的对称AlGaN量子阱层；一生长于对称AlGaN量子阱层上的非对称AlGaN量子阱层；一生长于非对称AlGaN量子阱层上的p‑AlGaN层；一生长于p‑AlGaN层上的p‑GaN层；p型电极和n型电极。本发明提出了一种基于非对称多量子阱结构的AlGaN基宽光谱紫外LED(UV‑LED)，通过多种不同Al组分和不同厚度的量子阱结构的组合，获得了宽发光光谱，在6V正向电压的偏置下，发光光谱半高宽为17nm，接近传统UV‑LED的两倍。
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公开(公告)号：CN113070200A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110376310.3
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种滚筒筛筛孔清堵装置，所述步进电机驱动滑块在滑轨上往复运动，激光测距系统和清堵系统的气体喷头固定在滑块两侧，正对滚筒筛的滚筒曲面，随滑块移动；所述激光测距系统测量激光照射的距离，角度编码系统确定滚筒相对于0位绕旋转轴转动的角度，控制系统判断筛孔是否堵塞，清堵系统的气体喷头用于冲洗堵塞的筛孔。并公开了滚筒筛筛孔清堵方法。本发明装置与滚筒筛系统同步工作，且不要求滚筒匀速转动，能够扫描到每一个筛孔，自动检测筛孔状态，自动进行清堵操作；定位、测距、识别、清堵往复进行，确保滚筒筛设备使用过程中不停机，从而提高设备使用效率，降低工人的劳动强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111554733B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
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公开(公告)号：CN108878469B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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公开(公告)号：CN110501773B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910806001.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/20 , G02B1/00 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280‑320nm以及280‑340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2‑3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。
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公开(公告)号：CN110690273A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910981564.0
申请日：2019-10-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/808 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n-GaN基底上获得多片式垂直条状结构p-GaN，与n-GaN基底形成多个薄的p-n结横向n型沟道，再通过沟道厚度以及p型和n型掺杂浓度的控制，使n型沟道在零偏下处于p-n结内建电场的完全耗尽状态，即器件处于关断状态，需要施加正向偏压才能使沟道处于导通状态，即器件具有正的阈值电压。同时，多沟道保证了器件的大电流输出。
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公开(公告)号：CN110501773A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910806001.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/20 , G02B1/00 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种应用于日盲光电探测器的AlN/Al0.5Ga0.5N多周期一维光子晶体滤波器，包括衬底，还包括生长在衬底上的两到三个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构，每个周期性的AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN结构中，AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN生长周期为33组。并公开了应用该光子晶体滤波器的日盲光电探测器。本发明的多周期叠加光子晶体滤波，与传统单周期AlN/AlGaN单周期光子晶体滤波器相比，实现了280-320nm以及280-340nm峰值反射率达到99％的宽阻带，是单周期最高阻带的2-3倍，集成于日盲探测器上可提高日盲区与可见盲区的光电流响应抑制比等性能。
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