公开(公告)号：CN111690350A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010174273.3

申请日：2020-03-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  高本尚英

IPC: C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J11/04 ,  C09J7/20 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，其适合于使紫外线固化性的切割带粘合剂层即使经过紫外线照射也确保环框保持力。本发明的带粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)及粘接薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)具有包含基材(11)和紫外线固化性的粘合剂层(12)的层叠结构。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)的粘合剂层(12)。切割带(10)在经过其粘合剂层(12)侧对SUS平面的贴合和之后对粘合剂层(12)的200mJ/cm2的紫外线照射之后在23℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件的剥离试验中，对SUS平面显示出0.03～0.2N/20mm的剥离粘合力。

公开(公告)号：CN111662646A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010149735.6

申请日：2020-03-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: [课题]提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。[解决方案]本发明的切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。本发明的带有粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)和粘接薄膜(20)的层叠结构。粘接薄膜(20)以能剥离的方式与切割带(10)的粘合剂层(12)密合。粘合剂层(12)含有玻璃化转变温度为-43℃以下的基础聚合物。

公开(公告)号：CN111647364A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010139705.7

申请日：2020-03-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  高本尚英

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜，其适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序。本发明的切割芯片接合薄膜X具有包含切割带(10)及芯片接合薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)的粘合剂层(12)侧的表面在对SUS平面在-15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。芯片接合薄膜(20)以可剥离的方式密合于切割带(10)所具有的粘合剂层(12)。

公开(公告)号：CN107665853A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710632480.7

申请日：2017-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  杉村敏正

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J133/08 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明涉及切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法。本发明提供在刀片切割时能够减少在芯片侧面产生的龟裂的切割带一体型半导体背面用薄膜。本发明为切割带一体型半导体背面用薄膜，其具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。

公开(公告)号：CN104093804A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007921.4

申请日：2013-02-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 铃木俊隆 ,  石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正 ,  白井稚人

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/30 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/122 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明的目的在于提供在各种环境下都能够得到稳定的粘接特性和剥离特性、并且能够将对被粘物的污染限制在最小的粘合带。一种粘合带，其为在热塑性树脂薄膜的单面形成有压敏性粘合剂层的粘合带，其中，至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一者中含有亚甲基双脂肪酸酰胺和脂肪酸，且实质上不含作为生成亚甲基双脂肪酸酰胺时的副产物的脂肪酸单酰胺。

公开(公告)号：CN103811301A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310551934.X

申请日：2013-11-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  田中俊平 ,  高桥智一 ,  秋月伸也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/02005 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明提供晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆，该晶圆的加工方法在进行任意适当的加工工序前包括溶剂清洗工序，在该加工工序中，可适当地保持晶圆，并防止粘合片剥离后的残胶。本发明的晶圆的加工方法包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆；以及加工工序，加工该晶圆。本发明的晶圆的加工方法中，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。

公开(公告)号：CN103779371A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310499119.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  福原淳仁 ,  杉村敏正 ,  高桥智一 ,  水野浩二

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，其能够以优异的生产效率制造具有贯通导电路径的半导体元件。本发明的制造方法包括：[工序A]，准备半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成有多个半导体元件的有源面、在与该有源面相反侧的面上形成的规定的图案的导电层、以及连接该有源面和其相反侧的面的贯通导电路径；[工序B]，在该导电层上形成焊料凸块；以及[工序C]，切割该半导体晶圆，其中，该[工序A]包括在具有形成有多个半导体元件的有源面的半导体晶圆的该有源面侧贴附有保护带的状态下，对与该有源面相反侧的面进行磨削的步骤，从该磨削起至[工序C]的切割为止在贴附该保护带的状态下进行。

公开(公告)号：CN103515279A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310247086.3

申请日：2013-06-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  宇圆田大介 ,  松村健

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/58 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L24/80 ,  H01L2924/0001

Abstract: 本发明提供能够实现生产效率进一步提高的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法，具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去功能层形成用基板而使功能层露出的工序；在露出的功能层上贴合最终基板的工序；和将临时固定层和转印用基板从功能层分离的工序，其中，对于临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸渍60秒钟并且在150℃下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。

公开(公告)号：CN103003232A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180033998.X

申请日：2011-07-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  大川雄士 ,  浅井文辉 ,  大石伦仁 ,  杉村敏正

IPC: C07C233/05 ,  C07C231/24 ,  C07C233/35 ,  C09J11/06 ,  C09J133/04

CPC classification number: C09J11/06 ,  C07C233/05 ,  C07C233/35 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/24 ,  C09J2205/102 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在各种环境下都可以得到稳定的粘接特性及剥离特性，并且可以将对被粘物的污染限制在最小的亚甲基双脂肪酸酰胺组合物、粘合片及其制造方法。所述亚甲基双脂肪酸酰胺组合物含有由脂肪酸单酰胺与甲醛反应得到的亚甲基双脂肪酸酰胺作为主成分，其中，包含所述脂肪酸单酰胺及构成该脂肪酸单酰胺的脂肪酸的杂质的含量为0～低于1重量%；所述粘合片是在热塑性树脂薄膜的单面形成压敏性粘合剂层而得到的，其中，至少在热塑性树脂薄膜及压敏性粘合剂层的任一者中含有上述亚甲基双脂肪酸酰胺组合物。

公开(公告)号：CN102222634A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110099946.4

申请日：2011-04-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/1467 ,  Y10T428/1471 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片连接至被粘物上的用于保护半导体元件背面的倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层，所述倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层为放射线固化型压敏粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的压敏粘合力通过放射线照射而降低。