-
公开(公告)号：CN105655400B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510828720.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 佐佐木俊成
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第1绝缘层，设置有到达第1电极的第1开口部，并且在第1开口部具有环状的第1侧壁；氧化物半导体层，配置于第1侧壁，并且与第1电极连接；栅极绝缘层，配置于氧化物半导体层上；栅电极，与配置于第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和第2电极，配置于第1绝缘层的上方，并且与氧化物半导体层连接，氧化物半导体层配置于第1侧壁与栅极绝缘层之间，栅极绝缘层配置于氧化物半导体层与栅电极之间。
-
公开(公告)号：CN105702733B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510881025.1
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 佐佐木俊成
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/42348 , H01L29/66742 , H01L29/78642 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置包含:栅极电极,在图案端部具有第侧壁;栅极绝缘层,被配置在栅极电极的上表面以及第侧壁;氧化物半导体层,与所述第侧壁对置地配置;第绝缘层,被配置在氧化物半导体层上;第电极,与氧化物半导体层的第部分连接;以及第二电极,与氧化物半导体层的第二部分连接;栅极绝缘层被配置在第侧壁与氧化物半导体层之间,氧化物半导体层被配置在栅极绝缘层与第绝缘层之间。
-
公开(公告)号：CN107203077A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710136805.2
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1345
Abstract: 本发明涉及可视性良好的图像显示装置。图像显示装置包含第一基板，与所述第一基板相对配置的第二基板，所述第一基板与所述第二基板之间的电光层，配置在所述电光层与所述第一基板之间的多个像素电极，与所述多个像素电极分别电连接的多个开关元件，和在所述第一基板与所述多个开关元件之间的层中包含的彩色滤光片，所述第一基板的面对所述电光层一侧的相反侧为图像显示侧。在所述第一基板与所述多个开关元件之间的层中进一步包含遮光层。
-
公开(公告)号：CN105759519A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201510977357.X
申请日：2015-12-23
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 佐佐木俊成
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/42392 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78642 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , G02F1/136286 , H01L27/1222 , H01L27/1244
Abstract: 本发明的目的在于提供具有能够使通态电流提高的晶体管的显示装置。显示装置包括：基板；具有第1侧壁的第1绝缘层；第1侧壁的上方的氧化物半导体层；与氧化物半导体层对置的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；氧化物半导体层与基板之间的、与氧化物半导体层的第1部分连接的第1透明导电层；第1绝缘层的与基板相反一侧的、与氧化物半导体层的第2部分连接的第1电极；以及与第1透明导电层连接并与第1透明导电层同一层的第2透明导电层。
-
公开(公告)号：CN119767752A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411344225.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供抑制光劣化的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；和覆盖源电极及漏电极、且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层，S值为1.5V/dec以上2.5V/dec以下。氧化物半导体层包含：与源电极及漏电极中的一者重叠的第1区域；和与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差可以为5nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119604968A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055153.3
申请日：2023-07-26
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H10D30/67
Abstract: 层叠结构体具有基底绝缘层、设置在基底绝缘层上的金属氧化物层、和与金属氧化物层相接地设置的氧化物半导体层，氧化物半导体层有与金属氧化物层中包含的金属元素相同的金属元素具有浓度梯度的区域，金属元素的浓度梯度随着接近金属氧化物层与氧化物半导体层的界面而增加。
-
公开(公告)号：CN119498029A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051062.2
申请日：2023-07-27
IPC: H10D30/67
Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的具有多晶结构的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜的晶体结构为方铁锰矿型结构，在使用Cu‑Kα射线的面外XRD衍射图案中，氧化物半导体膜的(222)面的峰强度相对(422)面的峰强度之比为3.0以下。由(222)面的所述峰算出的微晶直径可以为10nm以上。
-
公开(公告)号：CN119422456A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380042084.2
申请日：2023-04-19
Abstract: 薄膜晶体管(10)包括：设置在基板(100)之上的具有多晶结构的氧化物半导体层(140)；设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160)；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层(150)，氧化物半导体层包括：与栅电极重叠且具有第一载流子浓度(n1)的第一区域(141)；与栅电极不重叠且具有第二载流子浓度(n2)的第二区域(142)；和与栅电极重叠且位于第一区域与所述第二区域之间的第三区域(143)，第二载流子浓度比第一载流子浓度大，第三区域的载流子浓度在从第二区域朝向所述第一区域的沟道长度方向上减少，沟道长度方向上的第三区域的长度为0.00μm以上0.60μm以下。
-
公开(公告)号：CN118891736A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027827.9
申请日：2023-03-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H10K50/00
Abstract: 半导体装置(10)具有：设置在绝缘表面之上的氧化物半导体层(140)；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层(150)；和隔着栅极绝缘层而设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160)，栅电极从栅极绝缘层侧起依次具有含钛层(162)及导电层(164)，栅极绝缘层包括与栅电极重叠的第一区域(152)和与栅电极不重叠的第二区域(154)，含钛层的厚度(T3)为第一区域中的厚度(T1)的50％以下。
-
公开(公告)号：CN118872072A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380021202.1
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H10K50/00
Abstract: 半导体装置，其包含：绝缘表面之上的氧化金属层；氧化金属层之上的氧化物半导体层；和氧化物半导体层之上的绝缘层，其中，绝缘层包含与氧化物半导体层重叠的第1区域，第1区域的第1铝浓度为1×1017atoms/cm3以上。第1区域可以为从位于氧化物半导体层的相反侧的绝缘层的表面起50nm以下的区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.027 seconds)
