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公开(公告)号：CN109702560A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811234579.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B1/00 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够获取膜厚的测定点的实际位置，并且能够将最佳的研磨压力施加到晶片等基板的研磨装置和研磨方法。在基板(W)的研磨过程中，基板检测传感器(8)以及膜厚传感器(7)一边横穿基板(W)的表面，一边基板检测传感器(8)以预先设定的周期生成基板检测信号，且膜厚传感器(7)在规定的测定点生成膜厚信号，根据基板检测信号的数量，计算出基板(W)的中心相对于研磨头(1)的中心的偏心角，并且基于偏心角修正规定的测定点的位置，基于规定的测定点的修正后的位置和膜厚信号，对研磨头(1)按压基板(W)的研磨压力进行控制。
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公开(公告)号：CN106457507B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580020769.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/34 , B24B49/02 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。
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公开(公告)号：CN109290942A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810814032.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B49/05 , B24B37/107 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明公开了基板研磨装置及基板研磨方法，基板研磨装置具备：顶环，所述顶环用于通过将基板向研磨垫按压而进行基板研磨；光谱生成部，所述光谱生成部对基板的被研磨面进行光照射并接收其反射光，并算出该反射光的与波长对应的反射率光谱；及存储部，所述存储部存储用于基于反射率光谱而推定被研磨面的膜厚的多个膜厚推定算法。从存储于存储部的膜厚推定算法之中设定多个膜厚推定算法及其切换条件，通过所设定的膜厚推定算法来推定被研磨面的膜厚，并且在满足了切换条件的情况下，切换应适用的膜厚推定算法。
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公开(公告)号：CN118848807A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410499816.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是研磨方法、储存有使计算机动作用的程序的计算机可读取的记录介质及研磨装置，提出一种不需要事先对参照晶片进行研磨，能够一边研磨工件一边获取该工件的相对膜厚轮廓的技术。本研磨方法在工件(W)的研磨过程中，通过在工件(W)上的两点(R、M)反复生成参照光谱和监视光谱来制作参照光谱历史和监视光谱历史，计算作为最近的监视光谱与参照光谱历史内的多个参照光谱的差的多个参照历史差，计算作为最近的参照光谱与监视光谱历史内的多个监视光谱的差的多个监视历史差，基于参照历史差或监视历史差的最小点，计算监视点(M)与参照点(R)之间的膜厚差。
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公开(公告)号：CN118254095A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311794227.3
申请日：2023-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/20 , B24B37/34
Abstract: 提供一种研磨装置及研磨方法，即使传感头的数量增加，研磨装置的尺寸的增加量也较之以往有所改善。研磨基板(W)的研磨装置(110)具有用于保持研磨垫的研磨台和相对于所述研磨垫按压基板(W)的表面的研磨头。多个第一光学头(131～134)一边横穿基板(W)地移动一边检测与基板(W)的膜厚有关的信号。一个分光器(14)接收并处理多个第一传感头(131～134)中的至少两个第一传感头所输出的信号。光开关(40)将传感头(131～134)选择性地与分光器(14)连接。在多个传感头(131～134)同时与基板相对的时刻，处理部(15)控制光开关(40)，以将与分光器(14)的连接从一个传感头切换至另一个传感头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117177839A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029035.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
Abstract: 本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。
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公开(公告)号：CN115147690A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210383534.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G06V10/80 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V10/74 , G06N20/00 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种膜厚推定模型的创建方法、膜厚推定方法及存储介质，该模型能够降低来自晶片等工件的反射光的谱图的偏差的影响，并决定准确的膜厚。本方法包括下述的工序：决定分别表示来自具有膜的样本的反射光的多个样本谱图的特征的多个样本特征量，通过计算出所述多个样本谱图中的每一个与代表谱图之间的相似度而取得多个相似度，使用训练数据执行机器学习来创建膜厚推定模型，该训练数据包含所述多个样本特征量、所述多个相似度以及与所述多个样本谱图分别对应的多个膜厚。
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公开(公告)号：CN109746823B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201811306978.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/27 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够在不改变膜厚传感器的测定周期且不增大测定数据量的情况下提高膜厚测定的空间分辨率的研磨方法及研磨装置。研磨方法使配置于距研磨台(3)的中心(O)相同的距离处的第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)与研磨台(3)一起旋转，一边通过研磨头(1)将基板(W)按压于旋转的研磨台(3)上的研磨垫(2)而对该基板(W)的表面进行研磨，一边由第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)生成表示在基板(W)的表面上的、距基板(W)的中心的距离不同的测定点处的膜厚的信号值，基于第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)所生成的信号值，控制从研磨头(1)施加于基板(W)的研磨压力。
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公开(公告)号：CN109877698B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201811433092.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、存储介质、及基板研磨的响应特性的获取方法，能够通过简便的方法更准确地得到晶片等基板研磨的响应特性。基板处理装置具备：研磨头，该研磨头形成用于将晶片(W)按压于研磨垫(42)的多个压力室(D1～D5)；压力控制部，该压力控制部用于对该多个压力室的内部的力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；膜厚测定部，该膜厚测定部测定研磨中的晶片的膜厚分布；存储部，该膜厚测定部存储多个压力室中的设定压力的信息；及响应特性获取部，在晶片的研磨中每当满足规定条件时，该响应特性获取部变更设定压力并测定对于晶片的研磨率，基于得到的多个研磨率获取基板研磨对于压力反馈的响应特性。
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公开(公告)号：CN109290942B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201810814032.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明公开了基板研磨装置及基板研磨方法，基板研磨装置具备：顶环，所述顶环用于通过将基板向研磨垫按压而进行基板研磨；光谱生成部，所述光谱生成部对基板的被研磨面进行光照射并接收其反射光，并算出该反射光的与波长对应的反射率光谱；及存储部，所述存储部存储用于基于反射率光谱而推定被研磨面的膜厚的多个膜厚推定算法。从存储于存储部的膜厚推定算法之中设定多个膜厚推定算法及其切换条件，通过所设定的膜厚推定算法来推定被研磨面的膜厚，并且在满足了切换条件的情况下，切换应适用的膜厚推定算法。
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