公开(公告)号：CN112382669B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011076947.2

申请日：2020-10-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 何琦 ,  张金风 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法，包括：本征金刚石衬底；第一P型金刚石层，位于本征金刚石衬底上；本征金刚石层，位于第一P型金刚石层的中心；欧姆电极，位于第一P型金刚石层上且环绕本征金刚石层；第二P型金刚石层，位于本征金刚石层上，本征金刚石层与第二P型金刚石层共同形成台面结构；肖特基电极，位于第二P型金刚石层上。该雪崩二极管通过采用金刚石作为雪崩二极管的衬底材料，并使得二极管形成贋竖式PIP结构，提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流及响应速度，抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。

公开(公告)号：CN112133752B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010879627.4

申请日：2020-08-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任泽阳 ,  梁振芳 ,  张金风 ,  吕丹丹 ,  何琦 ,  苏凯 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种复合终端表面金刚石高压场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：金刚石衬底；复合终端表面，位于金刚石衬底的表面；源电极，位于复合终端表面的一端；漏电极，位于复合终端表面的另一端；栅介质，位于源电极和漏电极之间的复合终端表面上，且覆盖部分源电极和部分漏电极；栅电极，位于栅介质上，且位于源电极和漏电极之间；其中，复合终端表面由间隔的氢终端表面和改性终端表面形成，且改性终端表面位于漏电极下方、漏电极和栅电极之间的栅介质下方以及栅电极靠近漏电极一侧的边缘下方。该晶体管中复合终端表面的采用抑制了反向泄露电流、提高了器件耐压能力、优化了器件性能。

公开(公告)号：CN111996581B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010653578.2

申请日：2020-07-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任泽阳 ,  邢雨菲 ,  张金风 ,  张进成 ,  何琦 ,  苏凯 ,  郝跃

IPC: C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法，包括步骤：S1、选取表面为(100)晶面的单晶金刚石作为衬底；S2、在所述衬底的表层中形成表面为(100)晶面的非金刚石层；S3、刻蚀所述非金刚石层和所述衬底，形成若干表面为(111)晶面的凹槽；S4、在所述非金刚石层的(100)晶面上选择性外延生长金刚石，形成外延层；S5、利用电化学腐蚀方法将所述凹槽之间的所述非金刚石层电解刻蚀掉，使所述外延层与所述衬底分离。该分离方法在金刚石衬底上预先刻蚀(111)晶面的凹槽，然后进行(100)晶面选择性外延，之后利用电化学腐蚀方法刻蚀掉相邻凹槽间的非金刚石层，实现分离衬底与外延层的目的，由于腐蚀深度小，大幅度提升了分离速度。

公开(公告)号：CN112382669A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011076947.2

申请日：2020-10-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 何琦 ,  张金风 ,  任泽阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法，包括：本征金刚石衬底；第一P型金刚石层，位于本征金刚石衬底上；本征金刚石层，位于第一P型金刚石层的中心；欧姆电极，位于第一P型金刚石层上且环绕本征金刚石层；第二P型金刚石层，位于本征金刚石层上，本征金刚石层与第二P型金刚石层共同形成台面结构；肖特基电极，位于第二P型金刚石层上。该雪崩二极管通过采用金刚石作为雪崩二极管的衬底材料，并使得二极管形成贋竖式PIP结构，提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流及响应速度，抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。

公开(公告)号：CN102339393A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110271232.7

申请日：2011-09-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李永杰 ,  何琦 ,  李朝义

IPC: G06K9/66

Abstract: 本发明属于计算机视觉技术领域，公开了一种目标搜索方法。具体包括：小波变换、高斯滤波、主分量提取、确定分布函数、提取全局特征向量、获取目标分布图像、特征提取和特征叠加步骤。本发明的方法通过高斯滤波获取图像的全局信息，通过训练图像全局特征与目标位置得到的分布函数模拟图像中的目标对人眼注意的自顶向下的调制，提取强度，颜色，方向等特征模拟自底向上的调制，更准确的模拟了人眼搜索过程，同时在获取图像全局信息的过程中考虑了人眼的多尺度特性，更适合人眼视觉习惯，提高了结果的准确性。

公开(公告)号：CN212335281U

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202021593756.9

申请日：2020-08-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任泽阳 ,  张金风 ,  张进成 ,  苏凯 ,  何琦 ,  郝跃

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/458

Abstract: 本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，反应腔，设置在波导装置下方，与波导装置连接，天线下盘位于反应腔内部；旋转升降冷却机构，旋转升降冷却机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构，其中，主轴顶端与反应腔内设置的生长平台连接；升降机构、旋转机构和冷却机构均与主轴连接，以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做直线运动和旋转运动的同时进行水冷散热。本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利